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51.
52.
采用Ar^+离子溅射方法将300nm SnO2薄膜沉积在Si片上,分别对膜层进行60keV,5×10^16cm^-2Mg^+离子注入和100kdV,6×10^16cm^-1Nb^+离子注入,对未注入,Mg^+离子注入,Nb^+离子注入3种薄膜进行500℃,4h退火处理.  相似文献   
53.
WC—Co硬质合金的MEVVA源离子注入表面改性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用了卢瑟福背散射,俄歇电子能谱和X射线衍射等现代表面分析技术,研究了Ta离子米注入和Ta+C双注入的钴粘结碳化钨硬质合金表面的微化学和微结构变化。在此基础上,进行了进口和国产的WC-Co刀具的Ta注入和Ta+C双注入的表面改性研究,取得了明显的应用效果。  相似文献   
54.
讨论了用CAMECAIMS-4f型二次离子质谱仪对AlxGa1-xAs复杂多层结构定量深度分析的方法。采用CsM+技术,完成了无外部参考物质AlxGa1-xAs基体成分定量分析,提出并实验验证了一种新的变溅射速率深度校准方法,详细讨论了复杂基体中对杂质进行定量分析时二次离子类型的选择,还尝试了在缺乏足够参考物质时杂质含量的实验估算。实现了二次离子质谱(SIMS)对复杂多层结构的定量分析,同时得到了主成分和杂质的定量深度分布,并保持了SIMS的优良深度分辨本领。  相似文献   
55.
研究了在强酸性条件下,邻苯二酚紫与碘酸根离子的褪色反应,拟定了测定加磺食盐中碘离子简便,快速的分析方法,确定了该以反应的最佳褪色条件,碘离子在0.3-2.0μg/10mL落款围内服从比尔定律,邻苯二酚紫摩尔吸光系εtt6=1.15×10^5L.mol^-1.cm^-1。  相似文献   
56.
对于Ba1-xEuxMgF4体系,当E2+u掺杂浓度(x)小于0.10时,其发光性质与前人研究结果相同。当E2+u掺杂浓度(x)大于0.10时,样品的发射光谱、激发光谱与荧光衰减情况都发生了明显改变。x射线衍射证明,这是由于结构的改变引起的。  相似文献   
57.
阐述了一种与DOS接口的非标准设备驱动程序的编程方法,它增加了非标准设备驱动程序的适用性.  相似文献   
58.
应用一阶导数分光光度法同时测定锌镉钴   总被引:4,自引:0,他引:4  
在乳化剂OP存在下,把掩蔽法和一阶导数光度法相结合提出了不经分离同时测定锌,镉,钴的新方法。  相似文献   
59.
无臭氧负离子空气净化器最佳设计问题   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了在电晕线加热情况下负离子空气净化器结构的选择总是其中包括电极间距、电晕线线径,网状电极网孔尺寸。讨论了加热功率及供电电源的设计问题,为负离子空气净化器的合理化设计提供了依据。  相似文献   
60.
采用离子束增强沉积方法(IBED),在Fe基上制备了TiN薄膜。通过划痕仪,透射电镜(TEM),俄歇电子能谱(AES),粘着力测量仪的观测,分析和计算,给出了膜的形貌,组分和机械特性;发现TiN膜与衬底之间存在一过渡区,膜中含氧量比气相真空沉积(CVD)明显减小。在AES定量计算中,本文采用一种与文献不同的方法,较为简便地处理了俄歇谱中Ti和N峰的重叠现象  相似文献   
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