微通道板的寿命试验

微通道板寿命时间是微通道板在应用中的一个重要质量指标。本文论述Ⅱ代象增强器的微通道板寿命试验的方法,在研制的试验装置上进行了试验研究,得到了微通道板的增盖—板压、增盖—输出电荷的变化规律,提出了进行寿命试验的规范和估算微通道板可能的工作寿命的方法。     

箱式工业微波炉门的优化设计

以同轴矩形传输线等效电路原理来设计工业微波炉门．当采用微波源功率为２０ｋＷ，工作频率在（９１５±２５）ＭＨｚ时，经测试距炉门５ｃｍ处微波泄漏功率密度小于１０μＷ／ｃｍ２．     

对微观客体本性的探讨

用光束就是光子流的观点不能够解释光的干涉,用电子束就是电子流的观点也不能解释电子的干涉,唯有用微观粒子的几率幅能够圆满地解释其干涉.因而,干涉可以理解为是两个几率幅之间的干涉.所以,从干涉实验来看,量子理论的最基本的概念,或者说,微观粒子的本性,应当是几率幅,而不是波粒二象性.     

圆筒燃烧室内双股同心旋转射流的流场

本文数值模拟了圆筒燃烧室内双股同心强旋流流场及其湍流参数的分布。计算中,对Kolmogorov-Prandtl旋涡粘性系数假定中的经验系数C_μ做了初步调试,认为C_μ对不同流场及同一流场中的不同点都有可能不同,而且C_μ应具有各向异性的特性。实验结果表明:数学模型与计算方法,对模拟轴对称强旋流场是可行的。     

MPCVD法沉积金刚石薄膜中等离子体光谱

从等离子体发射光谱变化这一角度研究在不同沉积条件下等离子体中电子平均能量的特点，分析碳源气体分析与电子的碰撞以及碳氢基团的能态变化，从而对等离子体法沉积金刚石薄膜微观机理进行初步探索。     

正N边形同轴传输线特性阻抗的近似计算

综合分析同轴线电容近似计算方法，推导出正边形同轴传输线特性阻抗的近似计算公式，实例计算了正三边形、正四边形、正五边形、正六边形、正七边形、正八边形同轴传输线的特性阻抗，通过理论分析和数值比较验证近似计算公式的计算精度。计算结果表明：当R1／R2〈〈1，近似计算公式精度不高，当R1／R2≥0．8时，公式具有较高的计算精度，可用于电磁工程问题的设计与计算。     

界面电子转移对纳米TiO2薄膜导电性的影响

研究纳米TiO₂薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系. 结果表明， 沉积在Ti和Si基底上的TiO₂薄膜的电阻率随着膜厚的 增加而非线性增大, 分别经历了导体、 半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程， Ti O₂薄膜导电层厚度也不相同， 沉积在玻璃表面TiO₂薄膜为绝缘体. 这些现象是界面电子在界面的转移所致， 基底材料与薄膜功函数差的大小决定了导电层厚度.     

地源热泵的套管式地下换热器传热研究

依据能量平衡，建立了地下浅埋套管式换热器传热模型，求解并分析了影响传热的主要因素，提出了强化换热的措施，给出了相应的函数关系图。     

可调谐的同轴腔滤波器

本文介绍一种带宽为5～8MHz,调谐范围在350～510MHz的同轴腔带通滤波器。详细地介绍了腔间孔耦合理论。给出消除耦合环自感影响的方法及减弱电耦合的途径,並给出了实测结果与理论计算的比较。     

边界元素法和矩量法在终端开路同轴线中的应用

本文应用边界元素法和矩最法研究无损测量中终端开路同轴线作为传感器时的边缘电容及场分布，把边界元素法用在了轴对称的电磁场问题及多介质区域。文中给出了两种方法求解该问题的主要步骤和公式，并对计算细节作了说明，尤其是对奇点的处理。对边缘电容Ｃ（ε）和介电常数ε之间所建立的线性模型进行了全面讨论，给出了齐全的数据和结果，并同有关文献的结果及实验值进行了比较，验证了方法的可靠性及精确性，为实验工作提供了理论