固体基质室温磷光猝灭法测定尿结石和人发中微量铋

报道了包含桑色素(Morin)的SiO2纳米微球(Morin-SiO2)的合成方法,并用JEM-2000EX型透射电子显微镜检测其微球粒径,达到50 nm.基于Morin-SiO2能在滤纸固体基质上发射强而稳定的室温磷光,铋可使室温磷光猝灭,据此建立了Morin-SiO2固体基质室温磷光猝灭法测定痕量铋的新方法.铋的含量在0.16～14.4 ag/斑(浓度范围0.40～36.0 fg/ML,0.4 μL/斑)内与△Ip值成线性关系,方法检出限0.026 ag/斑(对应浓度6.5×10-17 g/mL),本法灵敏度高,重现性好,简捷快速,用于尿结石、人发样品的测定,结果满意.     

原子级平整硅基底的制备

采用RCA方法与Piranha溶液处理相结合，对单晶硅表面超声腐蚀处理，接触角、原了力显微镜（AFM）表征结果显示获得了平整高羟基密度的氧化物表面，采用水相烷化，将3－氨基丙基－三甲氧基硅烷（APS）组 装在湿化学法处理的单晶硅表面上，AFM和X－射线光电子能谱（XPS）研究表明得到了平整均匀的氨基自组装膜。     

新型基片集成波导三孔定向耦合器的设计

利用矩形波导多孔定向耦合器理论和基片集成波导与矩形波导的等效关系,设计了基片集成波导三孔定向耦合器。通过在耦合孔的上金属面开哑铃形槽来增加能量的耦合,从而提出一种新型的三孔定向耦合器。实验结果表明:该耦合器在8.6 GHz-10.6 GHz的频率范围内,输入端反射系数和隔离口的电压传输系数均小于-15 dB,相对带宽达到20％,通带内直通口与耦合口的电压传输系数均在-8.2 dB--3.3 dB之间,耦合度约为6 dB,隔离度大于15 dB,性能获得了较大提高。该耦合器设计方法简单,加工成本低廉,可以广泛用于微波毫米波系统中。     

基质、插穗及促根剂对喜树扦插生根的影响

为探索不同处理对喜树硬枝扦插生根的影响及扦插生根与体内营养物质含量之间的关系,以1年生喜树枝条为材料,从基质种类、插穗部位、长度及粗度、ABT与NAA浓度等方面研究了不同处理对生根的影响,同时测定了喜树生根过程中可溶性糖、淀粉和蛋白质3种营养物质的含量。结果表明,泥炭土中插穗生根率最高,达96.67%; 选用1年生实生苗下部插穗的成活率最高,为97.33%; 粗度为0.6～0.9 cm、长度为10.0～15.0 cm的插穗,更利于生根。沙藏过的喜树插穗生根率高于不沙藏枝条。质量浓度为250 mg/L的ABT处理插穗效果最好,生根率达86.67%。硬枝扦插的喜树插穗是以皮部生根为主,兼有部分愈伤组织生根。生根过程中插穗基部的可溶性糖含量呈急剧下降后升高和再下降再上升的趋势,淀粉含量呈升高—降低—升高—降低的变化趋势,而蛋白质含量变化趋势与前两者都不一致。     

荧光物质的酯类衍生物用作人血胆碱酯酶底物的研究

合成了几种荧光物质4－甲基伞形酮、荧光素、二溴荧光素的乙酸酯及丁酸酯,研究了它们用作人血胆碱酯酶（ChE）底物进行活性测定的各种条件,通过米氏常数（Km）和人血ChE稀释比曲线的测定系统地比较了六种物质作为底物与ChE作用的特异性和灵敏度。结果表明荧光物质量子产率越高、发射波长越长、酯基的烃基链越长的物质,用作人血ChE活性测定底物的选择性和灵敏度越好。     

A review of GaN-based optoelectronic devices on silicon substrate

Group Ⅲ-nitride material system possesses some unique properties,such as large spectrum coverage from infrared to deep ultraviolet,wide energy band gap,high electron saturation velocity,high electrical breakdown field,and strong polarization effect,which enables the big family has a very wide application range from optoelectronic to power electronic area.Furthermore,the successful growth of GaN-related III-nitride material on large size silicon substrate enable the above applications easily realize the commercialization,because of the cost-effective device fabrication on the platform of Si-based integrated circuits.In this article,the progress and development of the GaN-based materials and light-emitting diodes grown on Si substrate were summarized,in which some key issues regarding to the material growth and device fabrication were reviewed.     

屋顶绿化单体基质材料对降雨径流氮磷特征的影响

【目的】随着城市建设的发展,屋顶绿化成为拓展空间绿化的重要形式,但其径流氮磷浓度一直备受争议,选择对降雨径流氮磷浓度影响较小的单体基质材料是普及屋顶绿化需解决的关键技术问题。【方法】选用6种单体基质材料作为研究对象,比较其理化性质,并通过模拟降雨试验研究不同基质降雨径流氮磷浓度特征。【结果】泥炭土延迟产流能力最佳,椰糠与泥炭土径流削减率最高,分别为25.97%、23.44%; 有机基质降雨径流氮磷浓度趋势类似,发现初期冲刷效应,稻壳炭径流氮磷浓度初期冲刷效应最为严重,椰糠次之,泥炭土最弱; 蛭石对降雨中氨氮具有较好吸附作用,初期浓度削减率达到46%; 蛭石、陶粒对降雨中总磷具有较好吸附作用; 有机基质中稻壳炭降雨径流氮磷污染负荷最高,总氮、氨氮和硝态氮污染负荷分别达256.18、98.90、157.29 mg/m²。【结论】不同单体基质材料对降雨径流氮磷浓度影响差异较大,从径流水量与径流水质(氮磷浓度)来看,建议采用椰糠、泥炭土、珍珠岩、蛭石作为上海市屋顶绿化配方基质材料,即上海市供选择的污染负荷较低的“环境友好型”屋顶绿化基质材料。     

Si83Ge17／Si压应变衬底上HfO2栅介质薄膜的电学性能

本文用射频磁控溅射方法在p-si83Ge17／Si压应变衬底上沉积制备Hf02栅介质薄膜,研究其后退火处理前后的电学性能,并与相同条件沉积在无应变p-Si衬底上Hf02薄膜的电学性能进行对比研究．物性测试分析结果表明,沉积Hf02薄膜为单斜相（m-Hf02）多晶薄膜,薄膜介电常数的频率依赖性较小,1MHz时薄膜介电常数k约为23．8．在相同的优化制备条件下,沉积在si83Ge17／si衬底上的Hf02薄膜电学性能明显优于沉积在Si衬底上的薄膜样品：薄膜累积态电容增加;平带电压‰骤减至-0．06V;电容．电压滞后回线明显减小;-1V栅电压下漏电流密度,减小至2．51 x 10-5A·cm-2．实验对比结果表明Si83Ge17应变层能有效地抑制Hf02与si之间的界面反应,改善HfO2／Si界面性质,从而提高薄膜的电学性能．     

磁控反应溅射法低温制备氮化硅薄膜

采用射频 (RF)磁控反应溅射法制备出氮化硅薄膜 .从红外吸收光谱可见 ,氮气参加了反应并生成 Si- N键 ,薄膜中含有少量的 Si- O键和 Si- H键 ;薄膜的成分与制备过程中基片温度、射频功率等工艺参数密切相关 ,当基片温度升高到 40 0℃时 ,薄膜中基本不再含 Si- H键 ,氮化硅薄膜的纯度得到提高 .     

两种人工湿地不同填料层净化污水效果研究

通过采集复合垂直流人工湿地(IVCW)和水平潜流人工湿地(HSCW)侧面不同高度的水样,初步研究了两种湿地填料的表层、中层、底层分别对污水中CODCr,TN,TP的净化效果.结果显示:①对CODCr的去除,两种人工湿地均未表现出显著差异.②两种湿地对TN的去除,主要取决于填料的中层和底层.③IVCW的填料表层除磷效果稳定,随环境因素变化,填料的中、底层TP去除率存在显著差异;HSCW中除磷主要在填料的底层,表层和中层填料容易出现明显的基质磷释放现象.