等离子喷涂薄壁工件涂层中温度场解析

沉积层中的热梯度及涂层与基体材料热膨胀系数的差异是引起等离子喷涂残余应力的主要原因.考虑到喷涂子层增厚,建立起基于喷涂颗粒沉积过程温度场的解析模型.在分析中同时考虑了热传导、热辐射对涂层的影响,计算了在不同的基体-涂层体系下涂层的温度场.结果表明,涂层沉积过程中升温过程分为两个阶段:初级阶段,即体系温度不超过相应喷涂材料熔点的15%;完成阶段,即涂层与基体达到热平衡后继续升温到最高温度,并在界面处结合最终形成残余应力.     

衬底对溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜晶体结构和发光特性的影响

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)旋涂法在Si(100)和熔石英衬底上制备ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)等手段分析得到ZnO薄膜的晶体结构和发光特性.结果表明,在Si(100)衬底上制备的ZnO薄膜呈现沿各个晶面自由生长的特性,而熔石英衬底上制备的样品呈现沿c轴择优取向生长的特性.     

石墨衬底生长高质量金刚石膜的优势

石墨衬底上可以沉积出晶体取向性较强的(220)织构的金刚石膜,这种金刚石膜的热导率高、断裂强度大;石墨衬底上沉积金刚石形核致密、速度快;石墨上沉积的金刚石膜纹理缺陷少。对石墨衬底的这些优势做了比较详尽的分析。     

不同基质、不同容器对薄壳山核桃苗木根系生长影响的研究

在浙江省建德市邓家东坞村进行不同基质和不同容器对薄壳山核桃苗木生长及根系生长影响的研究.结果表明:不同育苗措施对苗木地上部分苗木地径及苗木高度均有一定的影响,其中以普通育苗容器对苗木地径及高度影响最大,其值也最大,而基质类型和去胚尖措施对苗木地径也有一定的影响,但是对苗木高度均未表现出显著性差异.容器种类对地下部分各指标未表现出显著性影响,而基质类型及去胚尖措施对苗木地下部分各指标影响较大,其中以40%泥炭+40%珍珠岩+20%蛭石为基质及去1/2胚尖苗木根系长度、根系表面积及根系体积最大.在实际生产应用中,可选择普通育苗容器、40%泥炭+40%珍珠岩+20%蛭石为基质和去1/2胚尖的模式进行容器苗的培育,不仅可以获得基质较轻、苗木健壮的容器苗,同时其苗木根系发达,可大大提高造林成活率和保存率.     

Experimental study of laser direct cladding of Zr02 coating on titanium substrate

采用激光同轴送粉工艺在钛基体上直接熔覆ZrO。陶瓷涂层,研究不同工艺参数对单道熔覆层熔覆质量的影响规律;采用光学显微镜观察陶瓷涂层的微观组织,并采用电子探针技术分析基体和zrO：陶瓷结合区成分分布;利用XRD分析激光熔覆前后zroz陶瓷物相变化情况．结果表明：在一定的功率范围内,熔覆层宽度受激光功率的影响不大,熔覆层高度和基体熔化深度随工艺参数的变化呈现一定的规律性;ZrO。和Ti基体结合区形成很好的成分梯度渐变过渡,陶瓷微观组织为细小的枝状晶组织;激光熔覆ZrOz陶瓷后,单斜相（m相）衍射峰强度相对减弱．     

钛基体激光直接熔覆ZrO 2涂层实验研究

采用激光同轴送粉工艺在钛基体上直接熔覆ZrO2陶瓷涂层,研究不同工艺参数对单道熔覆层熔覆质量的影响规律;采用光学显微镜观察陶瓷涂层的微观组织,并采用电子探针技术分析基体和ZrO2陶瓷结合区成分分布;利用XRD分析激光熔覆前后ZrO2陶瓷物相变化情况.结果表明:在一定的功率范围内,熔覆层宽度受激光功率的影响不大,熔覆层高度和基体熔化深度随工艺参数的变化呈现一定的规律性;ZrO2和Ti基体结合区形成很好的成分梯度渐变过渡,陶瓷微观组织为细小的枝状晶组织;激光熔覆ZrO2陶瓷后,单斜相(m相)衍射峰强度相对减弱.     

播娘蒿叶绿体型△12脱饱和酶的功能研究

本文应用RT-PCR和RACE方法扩增出了的播娘蒿叶绿体型△12脱饱和酶（Ds-FAD2CHL）全长cDNA,其完整编码框为1344 bp,编码447个氨基酸;该基因ORF在酵母Saccharamyces cerevisiae中的表达阐明其功能为将18:1^△9脱饱和生成亚油酸(18:2^△9,12);进一步切除叶绿体信号肽后的脱饱和酶在酵母中把18:1^△9脱饱和生成18:2^△9,12的效率提高了3.72%;通过GC/MS分析转基因酵母的磷脂及酰基辅酶A库发现,该脱饱和酶的作用底物为磷脂,而不是以酰基辅酶A形式结合的脂肪酸.     

不同基质条件下丛枝菌根真菌对桑树生长的影响

【目的】研究不同基质条件下桑树接种丛枝菌根(AM)真菌后的生长情况,以筛选适合桑树育苗的基质和AM真菌种类,为桑树的生态和经济产业发展提供技术支撑。【方法】采用G_a(聚丛球囊霉Glomus aggregatum)、G_c(苏格兰球囊霉Glomus caledonium)、G_i(根内球囊霉 Glomus intraradices)、G_v(地表球囊霉 Glomus versiforme)、BGCH(透光球囊霉Glomus diaphanum BGC HEB07A)、BGCX(幼套球囊霉Glomus etunicatum BGC XJ03C)6种丛枝菌根真菌(arbuscular mycorrhiza,AM真菌),设置P1(牛粪、菇渣、珍珠岩、黄心土体积比6.0:3.0:0.5:0.5)、P2(牛粪、菇渣、珍珠岩、黄心土体积比6:2:1:1)、P3(黄心土)3种基质配比,研究不同基质条件下接种AM真菌对桑树生长情况的影响。【结果】G_c、BGCX和BGCH 3种AM真菌对桑树根系的侵染率最高,且基质P1中的侵染率显著高于P2和P3; 接种G_c和BGCH桑树种子的发芽率最高,且在基质P1中表现更好; 接种AM真菌桑树的株高、地径、根系表面积、根系总长度、根尖数量和根系生物量均显著高于未接种的桑树,以G_c、G_v和BGCH 3种效果最好,且在基质P1中表现更好; 接种AM真菌桑树的净光合速率、水分利用效率、PSⅡ(光系统Ⅱ)最大光化学效率、PSⅡ天线转化效率、实际原初光化学效率、光合电子传递速率等参数值均显著高于未接菌种的桑树,总体上以G_c、G_v和BGCH 3种效果最好,且在基质P1中表现更好。【结论】AM真菌促进了桑树的生长,以G_c和BGCH 两种最优,且以基质P1最佳。     

椭偏术测定吸收薄膜的n、k、d值-多入射角法

本文提出了一种多入射角椭偏术无损测定吸收薄膜ｎ、 ｋ、 ｄ的方法（ＱＷＤ－８４法）。叙述了它的基本原理和数据处理方法，探讨了测定技术中的几个要点，给出了测定流程图，并对玻璃和硅衬底的一些吸收薄膜进行了测定和比较。测定结果表明：该法是一种一次性无损实测吸收薄膜ｎ、ｋ、ｄ值的有效方法，它系统可靠、方便易行，对薄膜参数的测定和成膜工艺的研究有较重要的价值。     

氮化铁薄膜的结构及磁性研究

采用直流磁控溅射方法，以Ar／N2作为放电气体在玻璃基片上沉积了单相γFe4N薄膜，采用X射线衍射（XRD）和超导量子干涉仪（SQUID）对所制备的样品进行了结构和磁性性能分析，研究了基片温度对薄膜的结构和磁性性能的影响。