Si衬底减薄及氧化对硅基二氧化硅波导应力双折射影响的数值分析

采用有限元法对硅基二氧化硅波导在玻璃化过程中的应力与Si衬底厚度和背面氧化层厚度的关系进行了系统的分析;在此基础上,应用全矢量有限差分束传播法(FD-BPM) 对应力光波导的双折射进行了分析.结果表明随着Si衬底厚度的减薄,波导附近水平方向和垂直方向所受应力趋于一致,双折射系数B可小于10~(-4);Si衬底背面氧化层的存在使双折射系数略有增大,但随氧化层厚度的增加可减缓其增加量.     

不同温度下脉冲激光沉积LiCoO_2薄膜的微观结构和表面形貌

使用脉冲激光沉积技术,不同的衬底温度,在单晶Si(100)衬底上沉积了锂离子电池正极材料Li-CoO2的薄膜.用XRD对样品进行晶体结构分析,用SEM观察了样品的表面形貌.结果显示,衬底温度对LiCoO2薄膜的微观结构和表面形貌都有明显影响.在500℃以上的衬底温度下生长的样品结晶质量较好;晶体的颗粒尺寸随着温度的升高而增大.     

岩质边坡生态护坡中基材选择试验分析

生态防护技术是一种新型的边坡护坡技术,而对于护坡基材的选择是其关键问题.通过室内试验,考虑水、土壤、水泥和有机质与粗纤维的混合物等四种成分在基材中的作用,利用正交分析方法.确定各因素作用对试验指标影响的主次关系,找出对应于试验指标的最优工艺条件和最佳配比方案,得到:①要使试验获得的7 d强度值最大.可选取最有力各因素水平组合A<,2>B<,2>C<,2>D<,4>,即水泥120g、土壤820 g、腐殖质混合物220 g和水1 200 g;②要使试验获得的14 d强度值和28 d强度值最大,可选取它们的最有力各因素水平组合A2B232D3,即水泥120 g、土壤820 g、腐殖质混合物220 g和水1 100 g.得到的结果可为工程实践提供指导.     

亲和吸附固体基质室温燐光法测定痕量糖

在外重原子微扰剂Pb（Ac）2存在下,异硫氰酸荧光素（FITC）的SiO2纳米微球（简写作FITC—SiO2）在醋酸纤维素膜（ACM）上能发射强而稳定的室温燐光（room temperature phosphorescence,简称RTP）信号．由FITC-SiO2标记的麦胚凝集素（Triticum vulgate lectin,简称WGA）产物（FITC-SiO2-WGA）,不仅仍能在ACM上与萄萄糖（glucose,简称G）发生定量的特异性亲和吸附（affinity adsorption,简称AA）反应,且AA反应产物（WGA-G—WGA-FITC-SiO2）能发射更强的RTP信号,其△Ip值与G的含量成线性关系,据此建立了FITC-SiO2标记WGA-AA固体基质室温燐光法（affinity adsorption solid substrate-room temperature phosphorimetry,简称AASSRTP）测定G的一种新方法．按3Sb／k计算,本方法的检出限（LD）为0．47pg spot^-1（对应浓度为1．2×10^-9m L^-1,即5．3×10^-9 mol L^-1）,灵敏度高,用本法和G氧化酶法对比测定了血清试样中G的含量,结果相吻合．同时讨论了AASSRTP测定G的反应机理．     

Kinetics of electroless Ni-Cu-P deposits on silicon in a basic hypophosphite-type bath

Electroless Ni-Cu-P deposits were deposited on the Si substrate in a basic hypophosphite-type plating bath. The effects of pH value and the metal source composition, Ni and Cu, in the plating bath on the kinetics of the Ni-Cu-P deposition were studied. The electroless Ni-Cu-P deposits were characterized by a scanning electron microscope, a transmission electron microscope, an energy dispersive X-ray spectroscope, and an X-ray diffractometer. The results showed that the pH value of the plating bath had no obvious effect on the morphology and composition of electroless Ni-Cu-P deposits. However, the composition of the metal source, Ni and Cu, in the plating bath had great effect on the kinetics of electroless Ni-Cu-P deposition.     

Progress of graphene growth on copper by chemical vapor deposition: Growth behavior and controlled synthesis

Recently,chemical vapor deposition (CVD) on copper has been becoming a main method for preparing large-area and highquality monolayer graphene.In this paper,we first briefly introduce the preliminary understanding of the microstructure and growth behavior of graphene on copper,and then focus on the recent progress on the quality improvement,number of layers control and transfer-free growth of graphene.In the end,we attempt to analyze the possible development of CVD growth of graphene in future,including the controlled growth of large-size single-crystal graphene and bilayer graphene with different stacking orders.     

蓝宝石衬底上酞菁铜薄膜的生长及相变研究

 采用真空蒸发沉积方法在Al₂O₃衬底上生长CuPc薄膜,用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外-可见光分光光度计多种测试手段表征薄膜的结构,研究不同沉积速率、不同膜厚和衬底温度对CuPc薄膜结构的影响.研究结果表明：CuPc薄膜的晶粒尺寸随沉积速率的增大而减小,薄膜越厚,结晶度越高,CuPc薄膜退火温度约为250℃时发生相变,由原来的亚稳态α-CuPc晶型结构转变为稳定的β-CuPc晶型结构.
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土壤置换法研究土壤基质对微生物碳氮磷的影响

【目的】探索植被演替初期不同土壤基质对微生物碳氮磷含量及其化学计量比的影响。【方法】于2004年采集天然次生林(演替前样地)的A层(淋溶层)、B层(淀积层)和C层(母质层土)土,分别填入30 cm土层厚度的样地,构成A、B和C处理,分别模拟森林皆伐次生演替、无种子库次生演替和原生演替,每种处理4个重复,经过10 a自然演替,比较不同土壤基质间微生物碳氮磷含量及其化学计量比的差异。【结果】① 演替前样地不同土壤基质微生物生物量碳氮磷及其占土壤碳氮磷的比例均呈现出A处理显著高于B、C两个处理(P < 0.05, C处理微生物生物量氮占土壤氮比例除外); 土壤微生物生物量碳氮比(n_Cmic/n_Nmic)为A处理低于B、C处理,土壤微生物生物量碳磷比(n_Cmic/n_Pmic)和微生物生物量氮磷比(n_Nmic/n_Pmic)均为A处理高于B、C处理; ② 演替后样地,不同土壤基质微生物生物量碳氮磷呈现出A处理显著高于B、C两个处理(P < 0.05),其占土壤碳氮磷的比例均呈现出A处理高于B、C两个处理; n_Cmic/n_Nmic为A、B处理低于C处理,n_Cmic/n_Pmic和n_Nmic/n_Pmic均为A处理高于B、C处理; ③ 经过10 a植被演替,A、B、C 3个处理土壤微生物生物量碳氮磷浓度及其占土壤碳氮磷的比例均上升(B处理n_Pmic除外); 3个处理n_Cmic/n_Nmic下降、n_Cmic/n_Pmic和n_Nmic/n_Pmic上升,其中,B、C两个处理的n_Cmic/n_Nmic显著下降(P < 0.05),A、C两个处理的n_Nmic/n_Pmic显著上升(P < 0.05)。【结论】植被演替初期,不同土壤基质理化性质的差异是影响土壤微生物碳氮磷的主要因素。     

新型基片集成波导宽带带通滤波器

利用基片集成波导的高通传输特性以及光子带隙结构的阻带特性,构建了一种新型结构的基片集成波导带通滤波器。为了验证该想法,设计了1个中心频率为5.0GHz,分数带宽为60%的滤波器,电磁仿真结果表明该滤波器在频率为3.5～6.5GHz频率范围内具有明显的通带特性,带内最大插入损耗约为0.64dB.利用PCB工艺制作了该滤波器的实物,使用矢量网络分析仪对其进行了测试,测试结果表明该滤波器的通带为3.8～6.8GHz,分数带宽约为56%,带内最小插入损耗为1.6dB。电磁仿真结果和实际测试结果较一致。     

镁含量和热处理对Zn_(1-x)Mg_xO薄膜晶体结构的影响

采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备Zn1-xMgxO(x=0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6(mol))薄膜.X射线衍射谱测试结果发现,在0.1相似文献