Microstructure transition of Al-Cu eutectic alloy during containerless rapid solidification

Droplets of Al-32.7%Cu eutectic alloy were rapidly solidified during containerless processing in a 3 m drop tube. The microstructural evolution of Al-Cu eutectic alloy depends strongly on droplet size. The eutectic growth morphology changes from regular lamellar eutectic to a kind of anomalous eutectic with the decrease in droplet size. This microstructural transition was analyzed within the current theories of eutectic growth. The results indicate that there exists a critical velocity for eutectic growth beyond which anomalous eutectic appears. The coupled zone of the Al-Cu eutectic alloy system has been calculated on the basis of the Trivedi-Magnin-Kurz(TMK) eutectic growth and the Lipton-Kurz-Trivedi(LKT)/Boettinger-Coriell-Trivedi(BCT) dendrite growth models, which provides a further interpretation for the morphological transition.     

乳化液膜法净化湿法磷酸除镁研究

采用乳化液膜技术对湿法磷酸进行脱镁净化是一种净化湿法磷酸的新途径。采用正交试验设计方法组织实验，结果表明在实验研究范围内，萃取剂对湿法磷酸中脱镁效果有高度显著的影响，而表面活性剂、膜试剂和反萃取剂对镁的脱除有一定影响。     

层流液柱吸收法测定气体在液相中的扩散系数

采用射流吸收的简捷方法，通过测定由Ｓｈｏｕｔｈｗｅｌｌ型孔板所产生的截面速度均匀的层流喷射液柱所吸收的气体量，由渗透理论所导出的模型，可计算出一定温度、压力下的微溶气体在液相中的分子扩散系数Ｄ。在温度为３０～４５℃的范围，测试结果与文献值吻合良好．     

CsLiB6O10晶体光参量振荡器的线宽分析

采用355nm脉冲激光作为泵浦源,对影响CsLiB_6O_(10)晶体光参量振荡器的信号光线宽的各种物理机制进行了数值模拟计算和分析.结果表明,泵浦光的发散角和偏轴方向对信号光线宽的影响较大。     

一种识别液体中粒状物的数字图象法软件的基本原理

本文介绍了一种识别液体中粒状物的数字图象法软件的基本原理,说明了软件中确定背景灰度门槛值的原则,发展了从背景中分离粒状物并对粒状物的大小和数目进行统计的算法。对整个软件进行了初步验证。     

溶胶凝胶法制备三维规则排列大孔TiO2材料

以聚苯乙烯微球 (LatexSphere)离心后形成的三维规则排列的胶晶 (colloidcrystal)作模板 ,用钛酸丁酯、水、乙醇等配制的溶胶填充微球之间的间隙 ,然后原位形成凝胶 ,最后通过焙烧除去微球得到三维规则排列大孔TiO2 材料 (3DOM)。溶胶的浓度一般控制在 0 5～ 1 0md/L之间。焙烧过程的升温速度应控制在 5℃ /min以下。得到的样品表面可观察到五颜六色的彩光。从SEM照片可观察到 ,球形孔大小均匀 ,排列整齐 ,孔壁填充完全。孔径在 5 30nm左右 ,孔的排列呈面心立方结构 ,孔与孔之间由小孔窗相互交连。XRD表明孔壁含有锐钛矿和金红石两种晶型 ,2种晶型质量分数大约各占 5 0 %。     

(E)-3-(3,4-二甲氧基苯基)-2-氰基丙烯酸乙酯的合成和晶体结构

标题化合物C14 H15O4N(3)是由 3,4 二甲氧基苯甲醛 (1) 与氰乙酸乙酯 (2 ) 在KF/蒙脱土催化下以N ,N 二甲基甲酰胺 (DMF)作溶剂反应而得 .结构通过单晶X射线衍射分析确定 ,其晶体属于单斜晶系 ,空间群P2 1/n ,a =1.310 1(3) ,b =0 .80 32 (2 ) ,c =1.385 4 (2 )nm ,β =114 .2 1(1)° ,Mr=2 6 1.2 7,V =1.32 96 (5 )nm3 ,Dc=1.30 5 g/cm3 ,Z =4 ,μ(MoKα) =0 .0 96mm-1,F(0 0 0 ) =5 5 2 .晶体结构用直接法解出 ,使用全矩阵最小二乘法对原子参数进行修正 ,最后的偏离因子R =0 .0 398,RW =0 .0 816 .单晶X衍射分析表明标题化合物为 (E)式异构体产物 ,说明该反应具有立体选择性 .     

QSTEM技术中晶面指数的模糊逼近

本文阐述了 QSTEM 技术中获得的晶面夹角值与晶面指数之间的位相关系,提出了测量值与理论值的隶属度,建立了测量值与晶面指数之间的模糊关系——矩阵 A,通过两个例子,说明了模糊逼近的具体方法以及参数 T、m 和算子 H 等的具体意义。     

半导体单晶硅的离子束蚀刻实验研究

离子束蚀刻是一种有超精细加工能力的微细加工技术,广泛应用于微电子、光子技术、表面科学等领域。硅及其化合物常用来制作大规模集成电路,在其表面蚀刻出具有一定几何布图尺寸的沟槽。其深度、宽度、边壁倾角及槽底形状等直接影响器件的性能。