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741.
王兆智 《北京理工大学学报》1993,(Z1)
考虑标准非线性规划问题,在各函数一阶导数Lipschitz连续的假设下,给出了广义二阶GCQ下的二阶必要条件;较弱CQ假设下弧立局部最优解的充分条件。 相似文献
742.
关于域上无限方阵的逆方阵 总被引：20，自引：2，他引：20
王世强 《北京师范大学学报(自然科学版)》1993,29(3):327-330
用紧致性论证给出了任一域K上行列有限的无限方阵A具有各种逆方阵的基本的充分必要条件.主要结果是:A在K上具有唯一的行列有限双侧逆方阵当且只当A的各行向量在K上无限线性无关并且各列向量也在K上无限线性无关. 相似文献
743.
韩瑞珠 《东南大学学报(自然科学版)》1993,23(6):17-23
本给出了一类满足广义逆协变性条件的可逆矩阵集合与常见的可逆矩阵集合之间的关系，推广了复数域，四元为数体上矩阵广义逆协变性的相应结果。 相似文献
744.
745.
746.
刘建洲 《吉林大学学报(理学版)》1993,(3)
本文给出四元数正定自共轭矩阵的一个公式及正定自共轭矩阵和的特征值积的一些不等式和Hadamard不等式的更一般形式. 相似文献
747.
黄克明 《山东师范大学学报(自然科学版)》1996,11(4):31-34
给出了矩阵方程ＡＸＢ－Ｃ有（反）次Ｈｅｒｍｉｔｅ解的充要条件及其通解表达式。 相似文献
748.
指出了文献［１］中给出的由布尔矩阵乘法半群Ｂｎ的Ｅｕｌｅｒ－Ｆｅｒｍａｔ公式及相应的一个具体例子都是不正确的，给出了半群Ｂｎ的Ｅｕｌｅｒ－Ｆｅｒｍａｔ公式的正确形式及其完整证明。 相似文献
749.
利用场控变阻材料电阻率随电场变化的特点，改善留边型平板高压陶瓷电容器电极边缘的电场，可以大幅度提高陶瓷电容器的性能，探讨了ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２系玻璃加入掺杂ＺｎＯ制成的半导体玻璃釉对陶瓷电容器电击穿强度，充放电寿命的影响，通过配方，工艺、电极结构的优化可以使留边型高压陶瓷电容器的击穿强度提高８０％以上，充放电寿命提高了１０倍以上，并与具有类似场控变阻性能的半导体漆作了对比。 相似文献
750.
探讨了基于构件真实质量分布的连杆机构准动力学（动态静力学）分析的统一建模方法，它适用于各种平面、空间连杆机构．采用达朗伯原理和矩阵方法，推导了机构支反力及驱动力求解的统一公式．开发了相应的准动力学通用分析系统，该系统已有效地应用于工程实际之中． 相似文献