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31.
纳米双相钕铁硼永磁合金的织构及磁畴 总被引:3,自引:1,他引:3
为开发纳米复合永磁材料高磁能积的潜力,用熔体快淬法制备各向异性的纳米双相快淬带。X光衍射结果表明,Nd9Fe85-xNbxB6(x=0,0.5,1.0)快淬带中存在垂直于带面的Nd2Fe14B[00L]织构,其自由面上的织构强于贴辊面。x=1.0时,在15m.s-1的快淬速度下的择优取向度为94%。磁力显微镜观察表明晶粒间存在强烈的交换耦合作用。x=0.5时的快淬带具有较强交换耦合作用及高织构度,因此具有最佳磁性能。其剩余磁极化强度为1.130T,内禀矫顽力为519.8kA.m-1,最大磁能积为121.2kJ.m-3。 相似文献
32.
水的力学作用和化学物理作用的交错影响,使得坝基软岩软化和受力更为复杂,也使一般固体线弹性本构模型不再适用。该文介绍了饱和体抗拉试验,对试验结果进行拟合,用试验验证了本构曲线受拉区的合理性。构建了复杂应力状态下饱和体本构模型,实现了复杂应力饱和体计算的有限元算法,并验证了算法的可行性和收敛性。根据新构建的本构模型和算法,给出了相应的三维有限元计算程序,其计算算例的结果验证了本构模型的合理性和算法的正确性。 相似文献
33.
相变储热在建筑节能中的应用 总被引:7,自引:0,他引:7
相变储热技术是利用低品位能源 ,实现建筑节能的重要途径。综述了可用于建筑节能的相变储热材料和相变储热技术 ,并提出了这一技术领域内近期需要研究和解决的问题 相似文献
34.
变频电机绝缘材料破坏机理的探讨及新型绝缘材料的制备 总被引:3,自引:0,他引:3
对变频电机中电磁线绝缘材料过早破坏机理的研究现状进行了总结,并对影响变频电机电磁线绝缘材料寿命的最主要的影响因素进行了讨论.通过纳米材料改性制备了一种新型绝缘材料,改善了电磁线的耐电晕性能,提高了电磁线的耐变频寿命. 相似文献
35.
万怡灶 《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》1997,30(4):507-511
研究了300K-1073K温度范围内两种纤维比C/Cu复合材料的热膨胀性能及合金元素的影响。结果表明,在α-T曲线的水平和下降阶段,合金元素对C/Cu复合材料热膨胀性能的影响主要取决于合金元素对其界面结合强度的影响程度。 相似文献
36.
沐继尧 《武汉科技大学学报(自然科学版)》1997,(2)
提出高炉精料应考虑铁矿石、焦炭及合理的炉料结构三个方面。对铁矿石精料的要求八字诀是:“高、熟、稳、好、少、净、匀、小”;对焦炭精料要求的四字诀是:“高、低、少、好”。并认为今后应更加重视铁矿石及焦炭的热态冶金性能。 相似文献
37.
通过X射线衍射相分析、光电子谱分析及金相分析等手段,对B4C在铁基摩擦材料中的作用及机理进行了研究,结果表明,B4C在铁基摩擦材料加压烧结过程中能与铁发生反应,生成一种新相Fe2B.在摩擦磨损过程中,加入的B4C并没有直接起到摩擦组元的作用,而是通过生成的Fe2B起作用.在一般负荷工作条件下,Fe2B主要起摩擦组元的作用;在重负荷工作条件下,Fe-Fe2B共晶体起润滑组元的作用. 相似文献
38.
用混合熔烧的方法,制备出一种氧化物封接料.该封接料能在700℃下对氧化铝瓷与铜及铜合金进行气密性封接.在封接中,只需将封接料涂在陶瓷体的封接面,套上金属件,在马弗炉中以5℃/min升温到700℃后保温10min即可.对封接体所作的拉伸强度和气密性质量检测表明,封接界面的抗拉强度高于陶瓷本体强度,界面对空气的漏率小于1.4×10-9Pam3/h,满足工业部门对封接质量的要求. 相似文献
39.
Conclusion Ceramic-cemented carbide compact inserts have been developed by hot-pressing sintering techniques, the upper part of the compact
insert is of Al2O3 + TiB2 ceramic material, while the base part of the compact insert is of WC + Co cemented carbide. The compact insert makes full
use of the advantages of the high hardness of ceramic materials and the high strength of cemented carbide, and its mechanical
properties are just between that of Al2O3 + TiB2 and WC + Co. SEM, XRD and electron microprobe analysis showed that element diffusion and formation of new phases are the
main causes for the bond of Al2O3 + TiB2 with WC + Co in the interface. 相似文献