锂离子电池纳米碳负极材料的结构与嵌锂行为

采用了一种工业副产品的纳米碳粉作为锂离子电池的负极材料,对纳米碳粉进行了提纯,测定了纳米碳粉的纯度,并对提纯后的纳米碳粉进行了电化学嵌锂性能的研究·充放电实验结果表明,该碳材料首次放电比容量为358 3mA·h/g,首次循环可逆容量为336 4mA·h/g,循环9次后可逆容量保持率为76 1%·TEM观察纳米碳粉的形貌,表明纳米碳粉为球形,直径在30nm左右;XRD测定纳米碳粉的结构,纳米碳粉的d002值介于石墨和软碳材料的d002值之间,为0 3481nm·     

运用纳米结构钛钒氧化物制备的高稳定性正极材料

采用正十二烷胺作为分子模板制备了具有纳米结构的钛钒复合氧化物．将该复合物加热至330℃时,部分分子模板被消除．测试了该氧化物作为锂电池正极材料的性能,发现引入纳米结构极大地提高了材料的充放电稳定性．     

离子渗铝的粉末冶金供铝源及其应用

本文提出了一种用粉末冶金制成的离子渗铝时的铝供给源,并用这种供铝源在辉光放电的条件下进行了渗铝研究。结果表明,该法渗入速度快,表面质量好。可在任何部位进行局部或整体渗入。     

新型钙钛矿结构复合氧化物材料的电导性能

研究了几种钙钛矿结构以及类钙钛矿结构材料的电导性能.实验表明,La0.8Sr0.2MnO3,La0.8Sr0.2Ni0.1Mn0.9O3,La0.8Sr0.2Ce0.1Mn0.9O3和SrFe0.5Co0.5O3电导率相差不大,均为10-1S·cm-1数量级;高温熔盐中耐侵蚀性能优良的LaLiMnOy和LaLi0.5MnOy电导率差别很大,前者电导率大于1 S·cm-1,达到了MCFC阴极对材料电导性能要求,而后者仅为10-2S·cm-1数量级.高达0.191eV的电导激活能可能是LaLi0.5MnOy电导率过低的原因.     

微空心阴极放电自持的辉光放电的理论及实验

利用蒙特卡洛方法模拟了微空心阴极放电（MHCD）出射电子的空间以及能量分布，并在此基础上模拟了微空心阴极放电自持的辉光放电中电子的空间分布．模拟表明减小MHCD绝缘层厚度，能有效地改变从微空心阴极放电中出射电子的能量分布，从而提高电子发射效率．对于给定的微空心阴极放电电压，电子的发射存在一个轴向电压阈值；轴向电压的进一步增加，出射的电子数会达到饱和．实验表明以MHCD作为辉光放电电子源是可行的，并且微空心阴极放电自持的辉光放电特性的实验结果和理论模拟是一致的．     

阴极真空弧放电等离子体的过滤及传输

阴极真空孤放电产生高密度等离子体的同时，也产生了尺寸可达微米量级的液滴，液滴对膜层的污染限制了它的应用。为解决这个问题，可采用轴对称磁场约束阴极斑，磁过滤器过滤等离子体出束中的液滴。结果表明液滴在磁过滤器出口处已基本上被过滤掉了，该处离子束流达到１２０ｍＡ。     

在Ti阴极上还原草酸制乙醛酸的探讨

本文研究以Ti代替pb作为还原草酸制乙醛酸的阴极材料。实验结果证明:机械强度、电导率、抗腐蚀能力,Ti均优于pb。在相同槽电压下,Ti阴极的电流密度远高于pb,可获较高电流效率,并可在不添加任何助剂情况下,直接电解纯草酸液,产品分离可简化。     

中子辐照半绝缘硅衬底上的SOI技术

本文描述了一种新奇的SOI技术:中子辐照单晶硅形成半绝缘材料,经激光扫描退火恢复表面层的半导体特性并由此组成了SOI结构.在这个结构上我们制作了n沟MOSFET.本文研究了这种半绝缘层的性质,这种技术的工艺流程和条件以及用这种方法制得的MOS器件的性能.     

一种用曲轴轨迹确定轴外点扩散分布的方法

根据曲轴宽电子束聚焦理论，研究了一种用曲轴轨迹确定轴外点扩散分布的方法，这种新方法可在保持与传统方法相同的精度条件下，减少电子光学传递函数的计算量，提高计算速度，对大物面成象系统的计算具有实际意义。     

118号元素的"发现"、隐退与再发现

对118号元素的"发现"与隐退的始末进行了分析,由此告诫人们淡泊名利、勤奋敬业、实事求是、恪守诚信是科学研究人员应该具备的高尚职业美道德,而像维克托·尼诺夫(VictorNinov)那样贪图名利、行为不规、弄虚作假,必然导致身败名裂的可耻下场.