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171.
为了对晶闸管特性进行计算机模拟,有必要对其P区的杂质浓度分布建立准确而便于计算的模型。文中对形成P区二段式杂质分布的铝镓分步闭管扩散工艺进行了讨论。对较低浓度铝的最终分布着重考虑它在扩镓过程中的再分布,而对高浓度镓的最终分布则着重考虑扩散系数的变化。与实验样品的扩展电阻探针测试数据进行比较后表明,本工作所用模型与实验结果有较好的吻合,适宜于在实际工艺过程中使用。  相似文献   
172.
在1000℃以下制备了铝电解用TiB2-碳素复合阴极材料,并检测了其相关的性能;探讨了原料中复合树脂的含量与烧结后材料宏观形貌的关系及TiB2的含量与材料电阻率的关系.研究结果表明:随着原料中复合树脂的含量减少,烧结后材料形变减小;当复合树脂的含量为3.5%时,材料基本不发生形变;TiB2的含量越大,材料的电阻率越小;当TiB2的含量为70.95%时,中低温烧结制备的铝电解用TiB2碳素复合阴极材料的电阻率、体积密度、耐压强度分别为1.45×10-5Ω·m,2.45 g·cm-3,37.7 MPa;抗拉强度、抗热震性(即急热急冷的次数)和平均线性热膨胀系数分剐为4.06 MPa,10次和1.90×10-6℃-1,满足铝电解用可润湿性阴极的要求.  相似文献   
173.
Micrometer NbCx-C three-dimensional netted fibers were synthesized by the carbothermal method under 0.1 MPa of N2 ambient atmosphere at a relatively low temperature. Raw materials were commercial powders of Nb2O5 (99.95%), reactive carbon (99.99%), NaCl (99.95%) and sucrose (99.94%). The relationship of the fabrication processing with the composition, crystal structure and morphology of fibers was investigated. The formation mechanism was also proposed and discussed.  相似文献   
174.
异步电动机能耗制动控制实验中,所用整流二极管经常损坏,笔者根据实验教学的经验,对原电路进行改进,利用电阻、电容、熔断管等器件对二极管加以保护,使这一问题彻底解决。  相似文献   
175.
对用无压浸渗法制备高体积分数的SiC/Al复合材料的浸渗过程进行了分析。结果表明:温度在900~1100℃之间变化时,随着温度的升高浸渗深度增加;充分的浸渗时间可提高界面的润湿性,促使铝合金液顺利浸渗;Mg量为10%时浸渗能顺利进行;N2作为保护气氛,不但可以防止氧化,而且可以促进铝合金液对SiC颗粒的浸渗。  相似文献   
176.
该文重点介绍了作者实验室的PLD系统,并介绍一个实例:在不锈钢衬底上镀LiMn2O4薄膜。  相似文献   
177.
层状LiNi1/3Mn1/3CO1/3O2正极材料的合成   总被引:1,自引:0,他引:1  
用碳酸盐同沉淀法合成了LiNi1/3Mn1/3Co1/3O2正极材料,采用XRD(X-RayDiffraction)、SEM(ScanningElectronMicroscope)、差分计时电位法和充放电循环等对材料的物理化学性质及电化学性能进行了测试分析。XRD分析表明在合成温度为800℃或更高时,所合成的产物均为α-NaFeO2型的层状结构,SEM分析表明在合成温度为800或850℃时,产物为微小晶粒团聚成的球形颗粒,合成温度为900℃以上时,产物颗粒发生破碎,形状不规则。950℃合成的LiNi1/3Mn1/3Co1/3O2材料在2·5~4·4V电位区间内,首次放电容量为162mAh·g-1,并具有良好的循环性能。随着充放电电压的升高,首次不可逆放电容量增大,循环稳定性减弱。在低温(800,850℃)下合成的LiNi1/3Mn1/3Co1/3O2材料与高温下(900,950℃)得到的材料性能有很大差别,这是由于在高温和低温下得到材料的结构差别所造成的。  相似文献   
178.
毛纶、毛宗岗父子在《三国演义》评点中,提出了对历史小说真实性的具体要求,并在其删改、整理的艺术实践中树立了历史小说虚构的原则。对历史小说虚实问题的认识,毛评本身存在一定的矛盾之处。这固然受制于作品本身虚实相间的实际状况,但更重要的是与民族文化心理、评者所处时代和自身禀赋,及评点这种文学批评形式有着或隐或显的关系。  相似文献   
179.
半导体生产线调度是制造系统实际生产中的重要问题,也是理论研究的难点之一.遗传算法是计算智能的主要研究对象,因此基于遗传算法的半导体生产线调度研究,具有非常重要的研究价值和实践意义,已经引起了国内外研究者的广泛关注.文中评述近几年来在半导体生产线调度优化中遗传算法的应用,详细介绍了算法编码、操作、参数的选择、算法的改进及具体应用,并指出这一领域中值得进一步研究的一些问题和可能的发展方向.  相似文献   
180.
The electron emission property of a novel antiferroelectric cathode material lanthanum-doped lead zirconate stannate titanate (PLZST) on the application of positive or negative triggering voltage pulses has been investigated. All experiments were performed in a vacuum of 10-5 Torr and at room temperature. It was discovered that there were two electron emission pulses when low positive triggering voltage was applied to the rear electrode, and three electron emission pulses when high positive triggering voltage was applied. However there were always two electron emission pulses when negative triggering pulses were applied. This phenomenon is proposed to be a result of both field electron emission at triple junctions and electron emission caused by polarization reversal. The experimental observations indicate that domain movement in the vicinity close to the triple junction under applica- tion of the triggering voltage pulse may be a primary origin of electron emission from PLZST.  相似文献   
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