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21.
铁铝原子在金属间化合物形成中的扩散   总被引:27,自引:0,他引:27  
采用铁铝扩散偶,研究铁铝原子在化合反应中的扩散和金属间化合物的形成机理,扩散偶在铁铝低共熔反应温度上下进行热处理,结果表明,扩散偶在低于共熔反应温度处理时,在扩散偶铁-铝界面铁的一侧,通过铝原子的扩散,形成了富铝相金属间化合物FeAl2;而在高于共熔反应温度处理时,则在铁-铝界面上,通过铁、铝原子的互扩散形成了金属间化合物Fe3Al5,并随时间向两旁生长,两种化合物均为多孔体。研究发现铁、铝原子的  相似文献   
22.
将装有8-羟基喹啉修饰的玻璃小珠或XAD-2聚合物小球的微型富集分离柱接入流动注射-石墨炉原子吸收联用系统,分析茶汤和水样中不同形态的铝.选择不同的富集分离条件,样品中的铝可被分为与8-羟基喹啉快速络合的无机态铝、有机疏水态铝和总铝等几个种类,并比较和讨论实验结果.  相似文献   
23.
讨论了用混合稀土对Al-Si共晶合金的变质工艺,测定了合金的热抗拉强度、线膨胀系数和活塞的尺寸稳定性。结果表明:加入混合稀土1%后,ZL108号合金铁热抗拉强度提高了26%,线膨胀系数降低,活塞的尺寸稳定性增加。  相似文献   
24.
用扫描电镜原位观察技术,发现拉伸早期形成的G-m界面断裂并不是直接连续扩展成主裂纹,而是逐步再生许多界面裂纹,其间基体韧带缩小而形变裂开将界面裂纹连接起来这些过程局限在裂开前主裂纹及其近邻处很窄的微带区内进行在断口或表面裂纹中,G-m界面断裂占绝大部份,基体韧带的穿晶断裂只占很少基此对灰口铸铁中石墨与性能关系提出了新的解释  相似文献   
25.
基于分析有利于合金非晶化的热力学因素,从非晶形成的热力学观点出发,综合应用Miedema理论和Toop模型,并考虑纯金属在不同温度下的自由能,在此基础上提出了一种定量预测三元非晶合金形成范围的方法:通过比较晶态的自由能和相应非晶态的自由能来确定成分范围.用该方法计算Mg—Cu—La三元合金系的非晶形成范围,并与已有的实验数据进行比较,发现二者符合得较好.该方法对于定量预测二元及三元甚至是多元合金系非晶形成范围将有一定的指导意义.  相似文献   
26.
压铸铝合金ADC12.1R的组织、性能及成形性   总被引:4,自引:0,他引:4  
在ADC12压铸铝合金成分的基础上,通过成分优化设计,并对合金进行晶粒细化及变质处理,获得了一种高性能的压铸铝合金ADC12.1R,该合金经金属型重力浇注,其铸态力学性能达到:抗拉强度(σb)为254.9 MPa,延伸率(δ5)为2.925%,硬度(HBS)为102,均优于国内普遍使用的压铸铝合金ZL112Y.实际生产试验也表明ADC12.1R合金具有更好的压铸成形性、出型性及机械加工性能能够满足工业生产应用的要求.  相似文献   
27.
超细晶粒W-40%Cu合金的烧结和力学性能   总被引:2,自引:1,他引:2  
以纳米W,Cu粉末为原料,通过测定H2中热压烧结和无压烧结的收缩动力学曲线,研究了纳米W-40%Cu化学混合粉末的致密化过程.对比了纳米W粉与常规Cu粉(-44μm)的机械混合粉和纳米W-Cu化学混合粉的热压烧结致密化过程.测定了烧结合金在300℃和500℃下高温应力一应变曲线.实验结果表明:采用纳米W-40%Cu化学混合粉末在H2中无压烧结时最大收缩速率对应温度为980℃;1 200℃烧结平均晶粒小于2μm,相对密度为97%.纳米W-Cu化学混合粉在H2热压烧结时最大收缩速率对应温度为930℃;1 200℃烧结合金的平均晶粒为0.5 μm,相对密度为98%.纳米W-Cu化学混合粉热压合金高温抗压强度比纳米W与常规Cu粉的热压合金高.  相似文献   
28.
挤压态AZ31D镁合金化学镀镍工艺及镀层性能研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
研究了在挤压态AZ31D镁合金上化学镀镍的工艺及镀层性能.结果表明,在碱式碳酸镍体系中AZ31D镁合金表面可沉积化学镀镍层,所得Ni-P镀层均匀致密,无明显缺陷.X射线衍射分析结果表明,镀层为非晶态结构.动电位极化曲线测试结果表明,镀层的自腐蚀电位接近-0 4V(SCE),有明显的钝化区,耐腐蚀性能优异.锉刀实验表明镀层与基体金属结合良好,对镁合金具有理想的防护作用.  相似文献   
29.
纳米催化剂KF/Al2O3制备条件的正交设计与优化   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用正交设计法优化了浸渍法制备固体超强碱KF/Al2O3催化剂工艺参数.以丙烯腈和丙二酸二乙酯的Michael加成反应收率为考察指标,对催化剂制备工艺进行优化,并采用SPSS统计软件包对制备工艺参数进行多元回归统计,并根据回归拟合的多项式数学模型,讨论了浸渍法制备的较佳工艺.  相似文献   
30.
ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响   总被引:6,自引:0,他引:6  
主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系·得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3),Al对Zn的掺杂替换是提高ZAO薄膜导电性能的关键因素,对薄膜在可见光区的透射性影响不大·制备的薄膜最低电阻率为4 5×10-4Ω·cm,可见光透射率达到80%以上·  相似文献   
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