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121.
在进行实验研制、产品开发及科学研究时,对电子元器件要求很高,选择范围很大,但是在一些特殊场合下,现有的器件仍然不能满足科技工作者设计制作的要求。笔者以集成运放为核心器件,配合适当的电阻、电容器件,采用特殊的连接方式,模拟成特殊的电阻和电容器件。这一思想不仅扩大了对电子元器件的选择范围和特殊要求,而且也展示了集成运放的独特应用,极大地推广了集成运放的实用价值。  相似文献   
122.
新型电力电容器微机保护的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
讨论了电力电容器的保护配置,分析了谐波对电容器运行的影响。在此基础上提出了电容器微机保护的配置方法和考虑谐波对电容器作用的微机保护动作判据,并阐述了微机保护的硬件、软件设计特点和保护算法的设计思路,为研制新一代电力电容器微机保护装置做了必要理论准备。  相似文献   
123.
采用时域仿真法分析了有载调压变压器 (OLTC)对电压稳定的动态影响 .表明在考虑了动静态负荷的情况下 ,当系统无功功率不足且系统扰动较小时 ,确实存在由于OLTC的连续调节而引起的慢动态电压失稳 .同时 ,探讨了采用闭锁OLTC分节头以防止电压崩溃的措施的有效性 .还结合电压稳定域的概念 ,研究了大扰动情况下OLTC对电压稳定的影响  相似文献   
124.
本文研究了Bi2O3·nTiO2、Pb2 、Mn2 和Zn2 对SrTiO3基高压电容器陶瓷的改性作用,获得了2B4组的高压电容器瓷料,其性能指标如下:ε20℃=2000±100   tgδ≤50×10-4   ρv>1011Ω·cmΔε/ε20℃<±10%Ts=1200±10℃Eb>9kV/mm  相似文献   
125.
碱炭比对活性炭孔结构及电容特性的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
以酚醛树脂为原料、KOH为活化剂制备双电层电容器用高比表面积活性炭.考察KOH与酚醛树脂炭的质量比对所制得的活}生炭的吸附性能、孔径分布和比电容的影响.实验结果表明,随着碱炭比的增大,所得活性炭的BET比表面积、总孔容积和中孔容积不断增大,碘吸附值和亚甲基蓝吸附值也不断增大,比电容则先增大后减小并在碱炭比为4时达到最大值74.2F/g.以这种高比表面积活性炭组装成的电容器具有良好的充放电性能和循环性能,既能在大电流下快速充放电也能在小电流下缓慢充放电。  相似文献   
126.
电动客车直流电机驱动双向升降压变换器的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种双向升降压变换器,可用于采用超级电容器作为车载能源的电动客车直流电机驱动,构成的电流双象限不可逆调速系统具有再生制动能力,分析了主电路的工作原理,并通过仿真和实验验证了其可行性。  相似文献   
127.
研制了以MSP430F4152单片机为核心的水表采集和远传系统。实现水表用水量的实时采集,存储和远传;用单片机内部FALSH存储器存储数据,实现数据存储和断电情况下数据不丢失;法拉电容作为储备电源,保证在外接电源断电后一定时间内系统的水量采集功能正常工作;使用TA6932芯片驱动8位数码管进行多路路水表水量信息的轮流显示;采用RS-485总线和网络转换器(NETCOM-10)把水量数据转换成TCP/IP协议后上传至局域网.  相似文献   
128.
利用电容器的并联、串联以及能量的方法,计算了充有线性各向异性电介质和对数各向异性电介质时圆柱形电容器的电容,并比较了两种电介质对电容的影响.  相似文献   
129.
超级电容蓄电池混合模组   总被引:1,自引:0,他引:1  
指出了蓄电池的某些局限性,提出超级电容与蓄电池组成混合模组的方法.这种方法简单实用,可以改善蓄电池使用环境,形成的控制电路便于提高蓄电池使用寿命,提高混合模组功率密度,特别适合于设计电动自行车的电源电路.介绍了混合模组的控制策略,根据对混合模组在电动车中应用工况的分析,设计了控制电路.应用计算机仿真说明了混合模组控制器...  相似文献   
130.
Al2O3 绝缘栅SiC MIS 结构基本特性的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
刘莉  杨银堂  马晓华 《科学通报》2011,56(11):822-827
采用原子层淀积(ALD)方法在4H-SiC(0001)8°N-/N+外延层上制备了超薄(~4 nm)Al2O3 绝缘栅高介电常数SiC MIS 电容. 通过对Al2O3 介质膜以及Al2O3/SiC 界面微结构和电学特性 分析表明, 实验所得Al2O3 介质膜具有较好的体特性和界面特性, Al2O3 薄膜的击穿电场为25 MV/cm, 并且在可以接受的界面态密度(2×1013 cm-2)下具有较小的栅泄漏电流(8 MV/cm 电场 下漏电流密度为1×10-3 A/cm-2). 电流-电压测试分析表明, 在FN 隧穿条件下, SiC/Al2O3 之间的 势垒高度为1.4 eV, 已达到制作SiC MISFET 器件的要求. 同时, 在整个栅压区域也受 Frenkel-Poole 和Schottky 机制的共同影响.  相似文献   
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