用于VLSI的新型介质膜界面陷阱的特征

采用雪崩热电子注入技术和高频Ｃ－Ｖ准静态Ｃ－Ｖ特性测试,研究了新型快速热氮化的ＳｉＯｘＮｙ介质膜界面陷阱的特征,侧重于研究界面陷阱的特性与分布。结果表明：这种ＳｉＯｘＮｙ薄膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的分布变化呈现”回转效应“,且存在着不同类型、密度悬殊很大的电子陷阱、指出雪崩热电子注入过程中在Ｓｉ／ＳｉＯｘＮｙ界面上产生两种性质不同的快界面态陷阱;给出了这两种界面态陷阱密度在禁带中能量的分布     

常压射流等离子体处理PET膜诱导自由基研究

为了考察常压射流等离子体(APPJ)处理对PET膜表面诱导自由基及其引发接枝共聚反应的效能,采用电子自旋共振技术(ESR)对APPJ处理前后PET膜表面生成的自由基及其衰变行为进行测试分析,并与接枝率测试结果进行对比。结果表明:纯He气体的APPJ处理更易引发PET膜表面生成自由基,处理时间越长,膜表面自由基浓度越高,自由基产物的稳定性受存储条件影响显著,自由基浓度越高的样品对应的接枝率也越高。     

竖壁下降液膜受热流动的不稳定性分析

利用液膜自由表面的温度随波动变化的关系,从理论上分析了饱和液膜在竖壁上受热流动因温度不均而存在表面张力波动的流动不稳定性,讨论了波数,雷诺数,壁面和液膜温差的影响。     

WC—Co硬质合金刀片热丝法金刚石薄膜涂层附着力

用热丝法研究了ＷＣ－６％Ｃｏ硬质合金刀片金刚石薄膜涂层附着力。结果表明：采用温度为８０℃,（ＨＣｌ：ＨＮＯ３：Ｈ２Ｏ）（体积比）为１∶１∶１溶液对硬质合金刀片表面去Ｃｏ１５ｍｉｎ后,经４０ｕｍ金刚石粉及１．５ｕｍ金刚石加２０ｕｍＴａＣ混合粉进行超声预处理,结果表明,沉积的金刚石薄膜与硬质合金刀片基底具有良好的附着力,而经４０ｕｍ金刚石粉处理的薄膜涂层组织与附着力要好一些。     

多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析

采用ＨＦＣＶＤ生长法,以较低生长温度,在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。ＸＲＤ显示薄层具有明显的择优取向特征。ＶＡＳＥ测量出薄层的折射率为２．６８６,光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。ＸＰＳ深度剖面曲线表明薄层中Ｓｉ／Ｃ原子比符合ＳｉＣ的理想化学计量比,其能谱证明Ｃ１ｓ与Ｓｉ２ｐ成键形成具有闪锌矿结构的３Ｃ－ＳｉＣ。     

不均匀场中静磁波的传播和导波光衍射效应

理论分析了磁光薄膜垂直不均匀静磁场对静磁波以及导波光衍射效率的影响,并以抛物线分布的不均匀磁场为例对Ｂｉ：ＹＩＧ薄膜波导进行了计算,计算表明,在适当分布的不均匀场作用下,与均匀磁场情形相比,波导中传播的静磁波振幅以及导波光的衍射效率都有显著增加。     

新法制备高亮度蓝色SrS∶Ce薄膜电致发光器件

以ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件,研究了新法制备的ＳｒＳ∶Ｃｅ膜的光致发光（ＰＬ）性能和它的电致发光（ＥＬ）器件的电致发光性能,并与直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ粉末制备的薄膜和器材的性能进行了对比．结果表明混晶法制备的薄膜电致发光器件的亮度和效率比直接法制备的器件要高得多,且ＺｎＳ的引入弥补了在ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜Ｓ的不足,避免了直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ材料蒸发而采用的共Ｓ蒸发方法中Ｓ气氛对环境的污染．     

弱酸性介质中Silicalite—1分子筛膜的制备与表征

在ＳｉＯ２－ＴＰＡＢｒ－ＮＨ４Ｆ－Ｈ２Ｏ弱酸性氟离子体系中,在玻璃基片上采用水热晶化法制备了Ｓｉｌｉｃａｌｉｔｅ－１（全硅ＺＳＭ－５）分子筛膜．通过ＸＲＤ,ＳＥＭ分析测试手段对所合成的分子筛膜进行了表征,并对膜合成中硅源,水量等影响因素进行了考察．     

硒水平对食管癌发病率影响的初步研究

对比研究显示食管癌高发区磁县土壤,粮食,水和正常人发硒的质量分数「分别为０．４２＊１０＾－９,０．０８＊１０＾－９,１．２４＊１０＾－９,１．１６＊１０＾－６」最高,中发区临漳县次之「分别为０．１７４＊１０＾－９,０．０４９＊１０＾－９,０．６８＊１０＾－９,０．９７＊１０＾－６」,低发区魏县最低「分别为０．１４８＊１０＾－９,０．０２６＊１０＾－９,０．２４＊１０＾－９,０．９１＊１０＾－６」,     

新的非对称四硫富瓦烯衍生物的合成及LB膜的研究

设计并合成了一种新的具有电子给体结构的非对称四硫富瓦烯衍生物２,３－二硫苄基－６,７－二硫十六烷基四硫富烯。经元素分析,红外光谱,核磁共振谱确定了其结构,并对单分子膜的成膜性能和条件进行了初步的探讨。