用于288×4读出电路中的高效率模拟电荷延迟线

提出了一种带时间延迟积分功能的高性能CMOS读出电路芯片适用的高效率电荷延迟线结构。基于该结构,设计了一款288×4规格焦平面阵列组件适用的CMOS读出电路芯片,并已完成流片、测试。该芯片包括4个视频输出端,每个端口的像元输出频率为4～5MHz（如用于实现384×288规模的成像,帧频可达160Hz）。测试结果表明这款芯片具有高动态范围（大于78dB）、高线性度（大于995%）、高均匀性（大于968%）等特征。     

2-氯-4-硝基苯酚合成的新方法

采用廉价易得的工业原料2-甲氧基-5-硝基苯胺经重氮化、Sandmeyer反应得2-氯-4-硝基苯甲醚,产物与氢氧化钠发生亲核取代反应,经盐酸水解得到2-氯-4-硝基苯酚,该工艺路线简捷,实用.采用Gaussian 98量子化学程序包对2-氯-4-硝基苯甲醚苯环上各碳原子的Mulliken电荷分布进行计算,结果表明与甲氧基相连的苯环上5位碳原子Mulliken电荷分布最高,亲核取代反应的位点应在苯环5位碳原子上,量子化学计算预测了实验结果.     

倒掺杂结构PD SOI器件的抗辐射研究

摘要：为了提高SOI器件抗总剂量能力,采用了倒掺杂结构。本文研究了倒掺杂结构PD SOI器件抗总剂量能力的增强,介绍了该结构对寄生NPN晶体管的抑制作用,在研究过程中发现,倒掺杂结构不仅提高了器件的抗总剂量能力,对器件的抗单粒子能力也有所提高。本文基于0.35um SOI 工艺线,结合ISE TCAD 软件对器件的电学特性进行仿真,比较了流片测试数据和仿真数据。着重研究倒掺杂结构PD SOI器件较常规PD SOI 器件抗SEU能力的改善,并对SOI器件单粒子辐射的电荷收集效应进行了模拟与仿真。     

电荷载流子倍增输出概率分布对图像均匀性影响因素研究

为了研究电子倍增电荷耦合器件(EMCCD)中电荷载流子倍增(CCM)结构的输出概率分布及其对图像均匀性的影响,建立了EMCCD中CCM结构的概率模型,利用概率生成函数(PGF)推导了多级CCM倍增结构的输出概率密度函数(PDF),讨论了PDF在提高图像均匀性中的应用。仿真及实验结果表明:当输入信号一定时,输出图像均匀性随倍增增益的增加而逐渐变差;当倍增增益一定时,输入信号越大则输出图像均匀性越差。因此,EMCCD在微光探测条件下图像均匀性较好,且适当地降低倍增增益有利于提高输出图像的均匀性。     

绝缘油击穿电压实验研究

利用第3代SY型便携式绝缘油耐压试验仪,测定在不同温度、水分和机械杂质下,绝缘油介电强度的变化。结果表明：温度的升高能使绝缘油的击穿电压增大,当温度达到一定的时候,击穿电压开始下滑;而油中水分、机械杂质的增多,会使油液击穿电压有较明显的下降,因此在绝缘油运行前应该注意防潮、去杂。     

Ar/air介质阻挡放电丝的时空相关特性

采用特殊的水电极介质阻挡放电实验装置,测量了大气压下氩气和空气混合气体放电的击穿电压;利用光学方法测量了介质阻挡放电中放电丝的时空特性.发现随着空气体积分数的增加,击穿电压也随之升高,总光电流脉冲半宽度变窄,放电丝间的时空相关性变弱,放电丝的直径逐渐减小,亮度变暗.     

充放电制度对贮氢合金电极性能的影响

研究了不同充放电制度对贮氢合金电极性能的影响.结果表明:小电流活化有利于提高电池的容量、循环寿命和放电性能的稳定性.     

一种高性能低压电荷泵电路

提出了一种高性能低压电荷泵电路．该电路基于Dickson电荷泵,用二极管连接的npn三极管（bc结连接）替代NMOS管．三极管be结的结电压稳定,且漏电流（Ibc）小,故电荷泵电荷转移效率高．在3．3V的工作电压下,实现了11．5V的高输出电压,而且时钟频率低（1MHz）,通过分析和仿真,采用二极管连接的三极管电荷泵性能优秀,具有很强的实用性。     

掺杂非醚聚苯基喹嗯啉(PPQ)薄膜的光致发光和电致发光

用具有强蓝光发射的1,3,5-三芳基-2-吡唑啉化合物TPL对非醚聚苯基喹嗯啉（PPQ）进行掺杂,测量掺杂PPQ薄膜的光致发光和电致发光谱,根据掺杂前后PPQ薄膜的荧光谱变化,表明掺杂PPQ薄膜发光存在着基质分子和掺杂分子间的能量传递或电荷转移,掺杂PPQ薄膜的电致发光谱随外加电压变化,说明外加电压对PPQ具有调制作用。     

电子阅览室收费系统的开发与利用

基于解决图书馆电子阅览室收费与管理繁琐这一现实问题,探索应用Delphi开发电子阅览室收费系统,并描述了该系统的模块构成及系统功能。