论研究生教育收费的可行性、原则及配套措施

目前，对高层次人才的持续需求为研究生教育收费提供了外在的动力；人们对非义务教育“谁受益，谁出钱”的教育投资观已经有所认识，为研究生教育收费提供了内在的社会思想基础；城乡居民收入的增长为实现研究生教育收费提供了一定的经济基础；可以采取配套措施来消除收费可能给经济困难学生带来的压力，因此，实行研究生教育收费正当其时。但在制定研究生教育收费政策时应坚持扩大宣传和循序渐进、成本多元有限分担、保证国家及社会人才需要、按地域校别专业差别收费、充分考虑到社会承受力、强化监督与权力下放等原则。对研究生教育实行收费的同时，应同时对现行的研究生奖学金、贷学金、困难补助金等相关政策进行配套改革。     

稳恒电流电路中导线内部的电荷密度

本文通过对稳恒电流电路中导线内部的电荷密度的计算，解释了电流密度存在，而体电荷密度为零的现象     

Study on the charge transference and local magnetic moment of yttrium-cobalt compound

The electronic charge transference and local magnetic moment of the YCo₅ intermetallic compound were calculated using SCF-MO-DVXα method and multiple cluster model. The result shows that about one 4d-electron is transferred from anY atom to Co₁(2c), and the calculated local spin magnetic moments of Co_I(2c) and Co_II(3g) atoms in YCo₅ compound are 1.33 and 1.48μ _B , respectively, which are in very good agreement with experiments. Supported by the National Natural Science Foundation of China Qiao Haoxue: born in Apr. 1970, Master     

外电场对PbTiO_3纳米晶表面光电特性的影响

研究了1000℃（1#）和450℃（2#）条件下烧结的PbTiO纳米晶，在外电场处理前后的表面光电特性．结果表明，外电场的处理对PbTiO3纳米晶表面光电特性的影响具有明显的尺寸效应：经外电场处理后1#PbTiO3纳米晶表面光优响应没有变化；2#PbTiO3纳米晶变化明显．     

机器随机故障时使拖后工件数最少的单机调度问题

本文讨论了机器随机故障时，使拖后工件数最少的的单机调度问题，结果表明，确定情况下的Ｍｏｏｒｅ－Ｈｏｄｇｓｏｎ算法，在机器随机故障时，能以概率１确定最优工件排序。     

环状碘鎓盐光引发体系的研究

合成了３种环状碘鎓盐，表征了它们的紫外吸收光谱特征，研究了碘盐－酮－胺三元引发体系引发丙烯酸？－羟乙酯（ＨＥＡ）－三羟甲基丙烷三丙烯酸酯（ＴＭＰＴＡ）的自由基聚合，结果表明，向酮－胺体系中加入环状碘盐可大大加快聚合速度。根据实验结果，推出了光引发机理。     

苯醌类试剂用于测定多巴酚丁胺的研究

研究了多巴酚丁胺与对苯醌和四氯苯醌间的荷移反应。多巴酚丁胺与对苯醌和四氯苯醌间的反应均在乙醇介质中进行。络合物的最大吸收波长分别为５００ｎｍ和４７２ｎｍ；表观摩尔吸光系数分别为１．８１×１０４Ｌｍｏｌ－１ｃｍ－１和４．２２×１０４Ｌｍｏｌ－１ｃｍ－１。用拟定的方法测定多巴酚丁胺制剂含量，获得满意结果     

浅析配合物的颜色

本文以群论方法和分子轨道理论为基本概念，用配合物的电子吸收光谱和电荷迁移光谱解释配合物的颜色及颜色强度。     

KineticsandMechanismStudiesontheInteractionofTetramethoxylbenzoquinonewithPiperidines

ＫｉｎｅｔｉｃｓａｎｄＭｅｃｈａｎｉｓｍＳｔｕｄｉｅｓｏｎｔｈｅＩｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｏｆＴｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｌｂｅｎｚｏｑｕｉｎｏｎｅｗｉｔｈＰｉｐｅｒｉｄｉｎｅｓ＊ＬｉＺｈａｏｌｏｎｇ（李兆陇），ＦｕＨｕａ（付华），ＰｅｎｇＳｈｕｗｅｎ（彭树...     

有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响

研究了有源层ａ－Ｓｉ∶Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响．研究结果表明，ａ－Ｓｉ∶Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的静态特性（如开／关态电流比、阈值电压等）有较大的影响．理论分析表明，这是由于钝化层固定电荷在有源层背面引入了背面空间电荷层造成的．详细分析了背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响，提出了一个ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ有源层厚度优化设计的下限值，理论与实验相符合