BCN薄膜的硬度和剩余应力的研究

类金刚石结构的立方“BCN”材料由于兼有金刚石和立方氮化硼超硬、低摩擦的优点, 如有低摩抗磨、高的热稳定性和化学稳定性,并克服了它们的缺点,因而BCN薄膜材料被作为耐磨保护层,在电学、光学方面的性能也得到广泛应用。应用反应磁控溅射法将高质量的BCN 薄膜沉淀在硅基底上,通过用微压痕测量和弯曲技术研究了他们硬度和剩余应力,发现施于薄膜沉淀物上的偏压对其硬度和剩余应力均有重要影响。     

掺硼纳米TiO2的制备及其光催化降解二甲酚橙的性能

以硼酸和钛酸丁酯为原料,用溶胶-凝胶法制备了硼掺杂纳米TiO2光催化剂,通过红外光谱,漫反射光谱, XRD,SEM对催化剂进行了表征。以紫外光对二甲酚橙的降解,考察了制备、实验条件对掺硼纳米TiO2的光催化性能影响。实验表明,掺硼纳米TiO2光催化剂的活性大于纯纳米TiO2,最佳掺B2O3质量分数为2．5wt％,最佳煅烧温度为700℃下1h。用溶胶-凝胶法制备的纳米粒子有较高的相转变温度,低的团聚程度,在700℃下焙烧1h,TiO2粒径为18nm。在紫外光降解二甲酚橙中,催化剂的最佳用量为1．00-1．25g·L-1,酸性条件下降解率大于碱性条件。掺硼纳米TiO2的最佳制备条件为:无水乙醇用量:V钛酸丁酯:V无水乙醇=5:1;钛酸丁酯浓度为0．25 mol·L-1;搅拌时间为1h;通过对光生电子-空穴的俘获方式及有机物在光催化剂上的吸附行为分析,掺硼TiO2光催化剂的活性提高,与硼的缺电子特性有关。     

Mn^＋注入GaAs中Ga—Mn二十面体准晶的形成

利用选区电子衍射及明暗场电子衍射成像技术，在Ｍｎ＾＋注入ＧａＡｓ及随后退火的样品表层发现有二十面体准晶颗粒形成。能谱及电子能量损失谱分析表明，这些粒子不含Ａｓ，由Ｇａ和Ｍｎ元素组成，约含５０ａｔ％的Ｍｎ；其结构具有五次对称性和非周期分布的电子衍射斑点，这些具有２／ｍ３５↑－对称性的ＧａＭｎ准晶粒子同具有闪锌矿结构的ＧａＡｓ基体之间具有确定的取向关系：ｉ－５↑－／／〔１１０〕ＧａＡｓ；ｉ－３↑－／／     

AlGaAs／GaAs单片集成激光发射机

报道一种新型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ单片集成激光发射机。这种器件利用液相外延生长中的伴生高阻层，解决了半导体激光器与场效 晶体管驱动电路的工艺共容性问题，具有场效 晶体管与激光器结构同时形成且二者表面自动找平、制作简单的优点。     

树脂结合剂CBN砂轮表面状态对磨削比的影响

针对树脂结合剂ＣＢＮ砂轮表面状态的评价参数，试验研究了ＣＢＮ砂轮表面磨粒凸出高度和容屑比对磨削比的影响．研究结果表明，使用树脂结合剂ＣＢＮ砂轮磨削时获得高磨削比的前提条件之一就是要避免发生磨削烧伤。在现有机床条件下，只要ＣＢＮ砂轮修整得当，砂轮表面具有合适的磨粒凸出高度和容屑空间，可以得到较高的磨削比．     

树脂结合剂CBN砂轮磨削力的试验研究

针对树脂结合剂ＣＢＮ砂轮表面状态的表征参数，试验研究了ＣＢＮ砂轮表面磨粒凸出高度和容屑比对磨削力的影响，以及ＣＢＮ砂轮磨削过程及磨削深度对磨削力的影响。分析了ＣＢＮ砂轮磨削过程中的磨削力特性．     

高B_4C相含量极细碳化硼粉的制取

用碳管炉硼酐碳热还原法制得了碳化硼粉,其化学成分和杂质含量符合中国国家标准和美国国家标准对一、二级核级粉末的要求,其B_4C含量远高于按上述标准中化学成分折算的值。化学成分折算法经X射线内标法验证,证明是可靠的。两种方法获得的结果很接近。上述原始粗B_4C粉经振动球磨和酸洗后获得了成分符合技术标准的微米级B_4C细粉。实验证明:振动球磨的效率较滚动球磨高数倍甚至数十倍;振动球磨的平衡粒度和达到平衡粒度所需的时间也远低于普通球磨相应的值。     

微量硼的示波极谱测定

在pH=4.0的0.02mol/L莽二甲酸氢钾-1.29×10~(-4)mol/L铍试剂Ⅲ底液中,用单扫描示波极谱法可得到硼-铍试剂Ⅲ的络合物吸附波,导数波峰电位在-0.45Vvs(S.C.E).导数波高与硼在0.004—0.5ug/ml范围内的浓度有线性关系,检出限为2.4×10~(-4)ug/ml.研究确定该波是络合物中配位体铍试剂Ⅲ的还原;研究了共存组份的干扰,采用EDTA掩蔽,不经分离可直接测定硼.用拟定的方法测定矿样中微量硼,获得了满意结果.     

硼注入金刚石的分子动力学模拟

利用Tersoff势和分子动力学方法研究了初始动能为500eV的硼粒子注入金刚石的微观行为．结果表明：单个500eV的硼原子注入后金刚石仍保持长程有序结构；表面层原子向内驰豫，邻近表达层的其他各层原子向外驰豫，表面层与近表层原子的间距减少了15％，而第2层原子与第3层原子之间的间距增加了1．5％；硼原子穿透到表面层下0．4nm处，然后再向表面扩散；表面层产生0．4MPa的压应力．