高压CMOS管工艺的设计、模拟和验证

模拟和验证了一种低成本的，以标准CMOS工艺为基础，无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技术。讨论了低压器件中的各种击穿机理，相应提出了高压器件中所做出的改进，列举了该工艺技术中所用的特殊版图；对此工艺的应用性进行了二维的工艺和器件模拟；将模拟结果与实际测试结果进行了比较，验证了这种高压工艺技术的实用性。     

耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计性质

研究了耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计特性 ,给出了当腔场初始处于真空态而激子处于真空态与粒子数态大于 2的叠加态时的腔场与激子能量交换的表达式。研究结果表明 ,激子和腔场可以呈现亚泊松分布状态 ,激子与腔场之间的关联是经典的 ,不存在Cauchy Schwartz不等式的偏离现象。     

霍耳效应实验分析

对霍耳效应测量磁感应强度的实验原理作了分析,讨论了外界定向干扰磁场对实验的影响、指出在实验教学中,相邻霍耳效应测量仪摆放距离宜大于等于2.5m才能忽略相互干扰.     

轴拉杆随机分析的域外奇点法

采用随机域外奇点法对轴拉杆件进行了分析．考虑杨氏模量的不确定性，得到了不同相关类型、不同相关长度下的解析解，并分析了相关类型、相关长度以及随机场中点离散法对位移方差的影响．     

用CCD测量单缝宽度的一种实验室方法

根据单缝夫琅和费衍射原理 ,介绍利用CCD测单缝宽度的一种实验室方法 ,并对测量误差等问题进行了讨论     

随机Benjamin-Ono 方程初值问题及对河口区域生物分布的应用

该文对具梯度耦合噪声的随机Benjamin-Ono 方程（以下简记为B-O方程）的初值问题导出了解得积分表达式，并将它应用于河口区域生物分布问题，得到了一维空间的分布表达式。     

高Q-腔中量子化平移运动与原子内态布居的关系

讨论了在驻波腔场中两能级原子的量子化平移运动与原子内态布居间的相互影响。结果表明原子量子化平移运动敏感地依赖于原子的内态布居。     

论田径课发散思维的训练

根据发散思维与收敛思维的辩证关系 ,论述了田径课培养学生发散思维的 3种方法 ,有利于表现个性 ;全方位地培养学生与老师之间的有效交往能力 ;激发学生潜力 ,发展学生的兴趣 ;在安排时间、搜集资料、自我评价等方面培养了学生独立的学习能力 .     

磁场和杂质对激子低能谱的效应

探讨了磁场B和杂质对二维激子低态能谱的效应.杂质被固定在z轴上且与激子所在的平面的距离为d.用直接对角化方法获得了激子低态能量E随B和d的演化.当d一定时,对于中性杂质(或者无杂质) 和带正电杂质,E随B的增加而增加.而对于带负电杂质,激子的角动量L等于0时,能量E曲线上升;L等于1、2、3时,能量E曲线先下降后上升.当B一定时,对于带电杂质,E先随d增加而急剧增加,后随d增加而几乎不变.