含纳米硅氧化硅薄膜的光致发光特性

利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心.     

一种新的交通流视频检测方法

提出一种基于彩色虚拟检测线的交通流信息视频检测方法．该方法通过分析光照、车道和阴影等模型之间的相互关系来判断车辆的存在，提高车流量检测的性能．通过引入色彩饱和度信息、自适应背景更新和运动检测，有效地区分阴影和车辆；通过二叉决策树来分析车辆的压线过程，提高了车流量检测的可靠性；通过一维视频跟踪的方式，解决了车辆速度检测的难题．试验结果表明，所采用的局部区域检测方法大大提高了交通流信息检测的实时性，且车流量检测的准确率可提高到98％．     

偏好关系的对偶性

建立了基本二元关系以及偏好关系的对偶理论．引入并讨论了二元关系之间的基本性质以及偏好关系之间的一些性质的对偶性．建立了基本二元关系以及偏好关系的各种性质之间的蕴涵式．定义了一些新的序关系，并对各种偏序关系所满足的基本性质给出了完整的刻划．     

Ag-NiMnGa颗粒膜分析

利用离子束溅射技术制备了AgNiMnGa颗粒膜的系列样品.分别采用广角X射线衍射(WXRD)技术和掠入射X射线散射(GIXS)技术分析了样品的物相组成和膜面与内层结构,NiMnGa颗粒平均尺寸为5 5nm;样品膜厚度为463nm.对样品电磁性能的研究表明:颗粒膜在室温下磁场扫描测量中呈现明显的磁致电阻效应;其伴随有振荡的非线形电流电压关系揭示了介观系统具有的输运特征.     

LZ复杂度算法中的二值化方法分析及改进

LZ复杂度被越来越多地用于非线性信号分析中．为帮助理解其概念，首先以一个形象的例子概述了LZ复杂度的物理意义，进而作者针对其计算过程中经常使用的粗粒化预处理过程，提出了一种二值化快速实现方法．该方法将原信号减去均值后直接取其二进制补码的符号位作为二值化数值，使计算简单快捷．分析了通常的二值化方法对某些信号产生过分粗粒化的原因，提出了以信号拟合曲线替代均值做为分界的二值化方法，从而有效克服了对基线漂移的信号进行二值化处理时所产生的过分粗粒化问题．用此方法对实际检测的5s时间段SD大鼠脑电信号进行二值化处理。结果表明，该方法不仅计算简单，而且完全消除了由传统二值化方法所产生的过分粗粒化问题．     

不同衬底生长ZnO薄膜的结构与发光特性研究

采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(Al2O3)(0001)和硅(100)衬底上制备ZnO薄膜．通过X-光衍射测量与分析表明两者都沿C轴方向生长，在Al2O3衬底上的ZnO薄膜结晶质量优于在Si衬底上的薄膜样品．然而，由原子力显微镜观测发现在Al2O3衬底上的薄膜晶粒呈不规则形状，且有孔洞，致密性较差；而在Si衬底上的ZnO薄膜表面呈较规则的三维晶柱，致密性好．光致发光测量表明，不同衬底上生长的ZnO薄膜表现出明显不同的发光行为．     

RF磁控溅射制备TiO2薄膜及其性能讨论

用RF磁控溅射法制备了TiO2薄膜，考察了工作压强、靶与基片距离对薄膜沉积速率、均匀性的影响以及靶材料、基片及退火温度对薄膜晶体结构的影响．获得的，TiO2薄膜在很宽的温度范围(400～900℃)内保持锐钛矿型晶体结构．     

二元序列的广义导数

以两种不同的方式对献[1]中的二元序列的导数进行了推广，定义了两类不同的二元序列的广义导数，并且进一步讨论了周期为2^N和2^N-1的二元序列的广义导数的性质，推广了献[1]的结果．     

溅射法制备的ZnO薄膜的光发射

报道了用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有好的(002)择优取向的多晶ZnO薄膜，在514nm处观察到显著的单色绿光发射峰；且随着氧分压的增加，绿光发射峰的强度减弱．经真空中退火该发射峰增强；而在氧气中退火该发射峰强度减弱．该发射峰强度依赖于氧分压的事实表明：514nm绿光发射峰与ZnO薄膜中的氧空位缺密切相关，认为它来自于氧空位缺陷深施主能级上的电子到价带顶上的跃迁．     

射频反应溅射纳米SnO2薄膜气敏特性研究

采用射频反应溅射在瓷管上制备了SnO2气敏薄膜元件,以及用传统方法制备了SnO2厚膜元件.两种元件经测试表现出对乙醇较高的灵敏度,对两种元件进行了性能对比测试.测试表明,无论在灵敏度、响应恢复时间,还是在检测浓度范围上,SnO2气敏薄膜元件都比传统的厚膜元件性能优越.SnO2气敏薄膜元件经过表面修饰,在200×10-6体积浓度下接近30.对薄膜元件加热温度及选择性进行了研究,初步探讨了元件稳定性及其敏感机理.