基于AT89S52玻尔兹曼常数测量仪的设计

应用PN结电流电压特性关系,采用硅三板管接成共基极电路,由集成运放实现电流电压转换以实现弱电流测量．利用AT89S52单片机所具有的智能测控特点,由AD转换对数据进行采样,采用最小二乘法对数据进行处理,从而较准确测定玻尔兹曼常[k=0．41-1．44）×10^-23J／K],误差小于5％．测量仪有手动、半自动及自动测量三种模式．     

变压器阻抗与无功补偿装置容量的选择

从调节变压器分接头、高阻抗变压器、无功负荷等三个方面分析对负载端电压的影响,阐述电力系统的无功平衡对维持电压水平的重要性,并说明使用高阻抗变压器(或变压器负载侧出口处)串联电抗需增加无功补偿容量的原因。     

小电流系统单相不完全接地故障分析

为找出单相接地故障相判别的依据,本文采用理论分析和实验研究相结合的方法,分析了小电流系统接地过渡电阻对单相接地参数的影响,进而发现了发生不完全接地故障时各点对地电压的特征,从而总结出单相接地故障相的判据.     

高压电场中陶粒填充床对亚甲基兰的脱色效能

考察了高压脉冲电场中陶粒填充床对于亚甲基兰的脱色效能.实验结果表明,在高压脉冲电场与陶粒的相互作用下,亚甲基兰得到了有效去除.当反应条件为电压25 kV,通入空气流量为270 mL/min,亚甲基兰溶液初始质量浓度为5 mg/L,流速为40 mL/min,在反应180 min时,去除率稳定在78%左右.随着电压的增加,流速的减小,亚甲基兰初始质量浓度的减小和空气的通入,亚甲基兰的去除率都得到增加.在高压脉冲电场下,陶粒的存在增强了电场强度,同时放电过程也增强了陶粒对于亚甲基兰的吸附,二者的相互作用促进了亚甲基兰的降解.     

高压静电场对蒙古黄芪愈伤组织增殖和分化的影响

蒙古黄芪愈伤组织经场强为±1.0 kV/cm的高压静电场处理后生长速率明显提高,超氧化物酶(SOD)活性,过氧化氢酶(CAT) 活性和蛋白含量明显高于对照,过氧化物酶(POD)、吲哚乙酸(IAA)氧化酶活性和丙二醛(MDA)含量明显降低.正负高压静电场处理的结果存在着明显差异,正高压静电场能够有效地促进蒙古黄芪愈伤组织芽的分化,而负高压静电场能够有效地促进根的分化.     

填充床放电等离子体反应器对铜绿微囊藻的去除

研究了多根高压电极型填充床放电等离子体反应器对铜绿微囊藻光密度的去除.探讨了高压电极材料、气量、峰值电压和脉冲频率对填充床放电等离子体反应器中铜绿微囊藻光密度去除的影响.结果表明:高压电极材料对铜绿微囊藻光密度的去除不太明显;铜绿微囊藻光密度去除率在处理当天随气量、峰值电压、频率增加而增强的作用效果不明显;而是在放置培养期间,铜绿微囊藻生长受抑制的程度加强,光密度去除率增加.     

电弧离子镀技术中脉冲偏压对TiN薄膜的影响

用正交设计实验研究了电弧离子镀技术中采用脉冲偏压以后各种参数对沉积TiN薄膜性能的影响.研究表明,与直流偏压相比,直流叠加脉冲偏压能更好地细化颗粒,降低薄膜的表面粗糙度,提高沉积速率.对实验结果的方差分析显示:气氛和频率是降低表面粗糙度、提高沉积速率的主要因素.     

直流偏场和面内场共同作用下第Ⅰ类哑铃畴的条泡转变

实验研究了直流偏场和面内场共同作用第Ⅰ类哑铃畴(IDs)的条泡转变现象.实验表明:1)存在3个特征直流偏场,即:条泡转变后的磁畴均为软泡的磁场以及条泡转变后的磁畴中依次出现普通硬磁泡和第Ⅰ类哑铃畴的磁场;2)IDs的最小条泡转变面内场和最大条泡转变面内场均随直流偏场的增加而减小.     

开滦电网电压的调整与控制

阐述了开滦电网运行中维护电网电压的稳定性的重要意义,分析比较了在现有的一次设备容量情况下,适合目前开滦电网的合理、经济的调节控制电压的技术方法.     

高压脉冲放电对靛蓝二磺酸钠脱色效能研究

研究了针-板电极高压脉冲放电对靛蓝二磺酸钠的脱色效能.试验表明,单纯高压脉冲放电对靛蓝二磺酸钠具有一定的氧化脱色效果,其脱色率随着电压上升、电极间距缩小、溶液电导率降低及pH值降低而升高.Fe2 对该过程具有良好的催化效果.在0.1 mmol/L Fe2 的作用下,高压脉冲放电在20 m in内可以将5 mg/L靛蓝二磺酸钠脱色98.6%,比不加Fe2 相同条件下的脱色效率(11.9%)提高了7倍多.试验结果表明,脱色过程与该过程中产生的过氧化氢以及Fe3 有关,由于Fe2 的投加,脱色过程中可能发生了Fenton反应.