Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO/Mg2SiO4复相陶瓷的制备与介电可调性能

采用标准电子陶瓷工艺,制备了Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO/Mg2SiO4复相陶瓷(MgO和Mg2SiO4按相同重量加入),研究了MgO和Mg2SiO4含量对复相陶瓷微观结构、介电性能及介电可调性的影响.结果表明,随着MgO和Mg2SiO4含量的增加,陶瓷的晶粒尺寸略有增大,低频(100 kHz)介电常数、介电损耗、介电可调度和介电常数温度系数降低.随着偏置电场的增强,介电常数降低,介电损耗变化不大(均在10-3量级).当MgO和Mg2SiO4的百分含量均为30%时,获得了室温介电常数为101.6、介电损耗为0.0017及1.79 kV/mm偏置电场下介电可调度为12.19%、介电常数温度系数为0.009℃-1的介电性能.     

Sol-Gel法制备M型钡铁氧体

采用溶胶-凝胶法制备钡铁氧体超细粉体。详细讨论了起始溶液的组成、溶液pH值、反应温度和热处理温度等因素对产物性能的影响规律。并用X射线衍射仪（XRD）、透射电子显微镜（TEM）对粉体的结构、形貌进行了表征。研究发现：在制备工艺条件pH值为7,Fe与Ba之比在10～12之间,溶胶温度为60℃,450℃预热处理1h后,经850℃热处理3h,能够形成单一、均匀的M型钡铁氧体,饱和磁化强度为57.25emu/g,磁性较强,属于一种永磁体材料。     

环氧琥珀酸共聚物的制备及对硫酸钡的阻垢作用

将环氧琥珀酸(ESA)、丙烯酸(AA)、丙烯酸羟丙酯(HPA)三种单体共聚,再将该三元共聚物与膦羧酸(PBTCA)复配,制备了一种阻垢剂EAHP。初步探讨了该阻垢剂对硫酸钡垢的阻垢机理。结果表明,在m_ESA:m_AA:m_HPA:m_PBTCA=1:0.5:0.5:0.5、催化剂的质量分数0.3%、温度88~93℃和反应时间4h时,可制得阻垢性能优异的阻垢剂。阻垢剂的加入量为15mg/L时,其对硫酸钡的阻垢率达到100%,远优于各种常见的阻垢剂,从而为原油开采中遇到的硫酸钡阻垢难题提供了一种解决办法。该阻垢剂对硫酸钡的优异阻垢性可能是—OH和—COOH基团及—O—基团共同作用的结果。。     

液相法合成粉体中冷冻干燥对团聚的影响

采用化学共沉淀法制备钛酸钡电子陶瓷粉体,在共沉淀产物的干燥过程采用恒温干燥和冷冻干燥两种方法,利用扫描电镜观察干燥后的共沉淀产物和煅烧后粉体形貌,以比较冷冻干燥对粉体颗料团聚的影响.结果表明,所制得的粉体颗粒平均尺寸约为200nm,采用冷冻干燥的共沉淀产物的团聚体比恒温干燥的小,说明在液相法制备超细粉体过程中采用冷冻干燥可以减轻颗粒之间的团聚.     

阻垢剂对硫酸钡结晶动力学参数影响研究

以BaSO₄结晶过程为研究对象，基于经典的均相成核理论，采用电导率法研究了添加0.02 mmol/L的阻垢剂DTPA--5Na(二乙烯三胺五乙酸钠)、EDTMPS(乙二胺四亚甲基磷酸)及DTPMP(二乙烯三胺五亚甲基磷酸)前后BaSO₄结晶诱导期、BaSO₄晶体析出时的生成吉布斯自由能及活化能的变化，并通过扫描电镜与X-射线衍射分析了阻垢剂对BaSO₄微观形貌和特征衍射峰的影响。实验结果表明，在实验温度为298~318 K、Ba²⁺与SO₄^2-浓度为0.5~1.2 mmol/L条件下，加入阻垢剂后，BaSO₄的结晶诱导期延长，BaSO₄晶体的活化能增大，同时BaSO₄晶体的生成吉布斯自由能分别提高了10.52、8.06和6.18 mJ/m²。此外，扫描电镜分析与X-射线衍射分析结果表明，3种阻垢剂显著地改变了BaSO₄晶体形貌，使得BaSO₄晶粒更小和分散，并使BaSO₄晶体某些晶面的特征峰衍射强度降低。3种阻垢剂不同程度地抑制了BaSO₄晶体生长。     

高载药量硫酸钡微丸的制备研究

为进一步提高标志物在消化道的显影清晰度，对高载药量硫酸钡微丸处方及制备工艺进行了优化研究。首先，以硫酸钡为模型药物，采用挤出滚圆法制备硫酸钡微丸丸芯；其次，通过粉末层积法在丸芯外包裹硫酸钡药物层，得到硫酸钡微丸；最后，以丸芯或微丸的圆整度、脆碎度、收率等为质量评价指标，通过单因素试验和正交试验，考察处方及工艺因素对丸芯和微丸性能的影响，优化处方和工艺参数。 结果表明，所得硫酸钡微丸丸芯圆整度好，制备工艺可靠，载药量为80%，550~700 μm（24~30目）收率可达85.33%；粉末层积法供粉中硫酸钡质量分数为90%，830~1 180 μm（14~20目）收率可达90.33%；硫酸钡微丸呈白色球形，粒径分布均匀，脆碎度低，密度高，表面光滑，具有一定的强度，可作为中间产品用于下一步包衣过程。所研制的硫酸钡微丸达到预期设计目的，载药量高，可为硫酸钡微丸的深入研究和开发提供依据，为不透X线标志物的设计提供新思路。