掺铈铌酸锶钡晶体中光致光散射的研究——II.双光束入射导致的光散射

研究了双光束照射下,掺铈铌酸锶钡晶体的锥形光散射,分析了成因及条件,从理论上求得了光锥各点的相对光强分布及这种光散射强弱与各种实验条件的关系,实验结果与理论基本相符.     

用发射光谱研究荧光灯阴极区中的钡浓度

应用发射光谱技术研究了T12荧光灯阴极电子发射材料钡的损失，实验测定了阴极区中钡原子553．6和钡离子455．4，493．4nm谱线的辐亮度，由此得到钡原子6p^1P1、钡离子6^2P3／2和6^2P1／2态浓度的轴向分布。理论上，由包含9个原子能级和5个离子能级的阴极区钡放电的速率方程，计算出了这些能级上钡粒子的浓度，实验和理论计算符合较好。结果表明，在阴极区钡离子浓度比钡原子浓度大，离阴极2mm处钡的总浓度为10^15m^-3量级。     

毒重石钡矿高温分解特性

提出了经济合理地开发利用毒重石钡矿资源生产钡产品的方法，研究了毒重石钡矿高温分解的机理，探寻采用高温焙烧使毒重石钡矿分解的最佳条件，为毒重石钡矿的利用开辟新途径。理论分析认为，毒重石钡矿在900℃左右开始分解，1200℃开始大量分解，1300℃约有90％的BaCO3已经分解。并通过一系列实验对焙烧条件作了比较细致的，认为毒重石钡矿高温焙烧的适宜条件为：粒度6-9mm、焙烧时间3h、焙烧温度控制在1300℃以内。     

二溴对甲基偶氮甲磺光度法测定水中硫酸根的研究

基于二溴对甲基偶氮甲磺与钡离子的显色反应 ,建立了间接光度法测定硫酸根 .在硫酸根的样品溶液中加入已知过量的钡 ,沉淀硫酸根后对钡离子进行测定 .工作波长为 6 32 nm ,εmax=6 .5 9× 10 4 L· mol- 1 · cm- 1 ,线性范围为 0～ 2 5μg/2 5 m L .考察了常见离子的干扰情况 ,提供了一种新的测定硫酸根的光度法 ,用于测定水中硫酸根含量 ,相对标准偏差小于 2 % ,加标回收率为 97%～ 10 6 %     

分析纯乙酸钡的制备新工艺

提出了用毒重石矿粉与工业乙酸直接作用的新工艺，制备了分析纯乙酸钡，研究了结晶次数和重结晶等工艺对乙酸钡主含量、产率、纯度的影响规律，并研究了草酸沉淀剂对除去杂质离子Ca^2 ，Sr^2 的影响。结果表明：控制结晶产率达63％，加草酸形成共沉淀，可有效除去Ca^2 ，Sr^2 等杂质；不加草酸通过重结晶等方法，均可使乙酸钡产品质量达到分析纯的质量标准。     

TB-偶氮胂双波长分光光度法同时测定锶、钡

研究了TB -偶氮胂与锶、钡的显色反应 ,实验结果表明 ,该络合反应在pH 0 .2～ 2 .5酸度范围内具有较好的灵敏度 (εSr =4 .5× 1 0 4L·mol- 1 ·cm- 1 和εBa =4 .3× 1 0 4L·mol- 1 ·cm- 1 ) ,反应酸度范围宽 (pH 0 .2～2 .5 )且两者最大吸收波长具有明显差异 ,可用双波长分光光度法同时测定Sr2 +、Ba2 +.该方法用于某些纯试剂中Sr、Ba的同时测定 ,结果满意     

PZT掺杂Ba(Cu1/2W1/2)O3的压电陶瓷的性能研究

采用固相合成法制备了(1-xmol％)PZT—xmol％Ba(Cu1／2W1／2)O3三元体系压电陶瓷，研究了三元体系内Ba(Cu1／2W1／2)O3的掺杂比例x对材料的压电性能和介电性能的影响；讨论了Ba^2 、Cu^2 、W^6 离子对PZT压电陶瓷进行改性的作用机理；通过XRD和SEM测试手段，分析了物相组成和微观结构与材料性能的关系，发现合成的PZT材料均为钙钛矿结构，显微分析表明晶粒发育良好，其尺寸大约在3．5μm之间；实验结果表明，配方为0．95PZT-0．05Ba(Cu1／2W1／2)O3压电陶瓷的d33可达605pC／N，材料的机电耦合系数Kp约为0．4，材料机械品质因数均低于100，但相对介电常数εr由544提高到1400。     

β—BaB2o4晶体缺陷的正电子湮没研究

该文首次报道了利用正电子湮没寿命谱检测β-BaB_2O_4单晶的缺陷状况,并结合晶体的生长条件,晶体后处理等工艺,讨论了缺陷的形成机理.