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一种适应于低电压工作的CMOS带隙基准电压源 总被引：1，自引：0，他引：1
采用0．5μm标准的CMOS数字工艺,设计了一种适用于低电压工作的带隙基准电压源．其特点为通过部分MOS管工作在亚阈值区,可使电路使用非低压制造工艺,在1．5 V的低电源电压下工作．该电压源具有结构简单、低功耗以及电压温度稳定性好的特点．模拟结果表明,其电源抑制比可达到88 db,在-40～140℃的范围内温度系数可达到1．9×10-5／℃,电路总功耗为37．627 5 μW． 相似文献
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ZHANG Yuan-nong~ XU Guo-xiong~ ZHAO Zheng-yu~ HUANG Tian-xi~.School of Electronic Information Wuhan University Wuhan Hubei China . School of Electronic Information Zhongyuan University of Technology Zhengzhou Henan China 《武汉大学学报:自然科学英文版》2005,10(3):534-538
0Introduction Photonicbandgap(PBG)structureshavebeenextensive lystudiedduringthepastdecade[13],duetothepossi bilityofhandlinglight.ThePBGmaterialsareperiodical structurescomposedofmetallicordielectricelements.Thefirstcharacteristicofthisbehavioristoforbidthepropagation oftheelectromagneticwaveswhosefrequencyincludedwithintheirfrequencybandgap.Thebanddependsonthematerial structure,i.e.,dimensions,periodicityandpermittivity.Thesecondmajorcharacteristicistheabilitytoopenlocalizedelec tromagnet… 相似文献
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二维六边形晶格光子晶体的带隙研究 总被引：2，自引：0，他引：2
运用平面波展开法模拟计算了二维六边形晶格光子晶体的能带结构,得到了使光子带隙最大化的结构参数.分别以不同介质作为本底,由圆柱、正方直柱和六角形直柱空气孔构成的六边形晶格光子晶体都出现了完全光子带隙,为进一步光子晶体的实验制备和应用提供了理论依据. 相似文献
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光子带隙结构用于改善功率放大器的性能 总被引：5，自引：0，他引：5
利用一种渐变尺寸的光子带隙结构的带阻特性，来抑制功率放大器输出端的二次谐波分量，通过减小消耗在二次谐波分量上的能量来提高功率放大器的输出性能。为了尽量减小PBG结构对功率放大器基频分量的影响，对所选择的PBG结构的尺寸参数进行了优化。通过实验分析证明了优化后的PBG结构可以在很宽的频段内（6.9-7.5GHz)有效地改善功率放大器的输出特性。 相似文献
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光子晶体的发展和应用 总被引：3，自引：0，他引：3
20世纪80年代末出现的光子晶体是一种具有光子带隙的新材料,它独特的性质使得光子晶体具有广泛的应用前景.该文介绍了三维光子晶体的制备技术,并综述了光子晶体的一些物理特性及在光学、微波方面的应用. 相似文献
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光子晶体又称光子带隙,是指具有一定光子带隙的人造周期性电介质结构,其理论依据来源于电子能带理论(半导体中的电子存在禁带),人们对光子带隙结构在微波工程中的应用给予了特别的关注,PBG结构的材料在微波集成电路的应用中造就了许多新型器件。经过近年的发展,又派生出新型单平面紧凑型光子带隙结构,在军用和民用方面有极大的应用价值,该文对UC-PBG结构在雷达系统中的应用展开分析。 相似文献
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余红英 《安徽师范大学学报(自然科学版)》2007,30(2):151-154,191
使用二氯化镉(CdCl2.2.5H2O)、硫粉(S)、硒粉(Se)为原料,用乙二胺作溶剂,在180℃的温和条件下,通过改变原料中硫、硒的组分,合成了固溶体半导体CdS1-xSex(0≤x≤1)纳米材料,用XRD、TEM、SAED进行分析表征,产物为六方相、直径约20nm左右、长度约500nm左右的短棒状结构.依据XRD图,对产物的晶格常数随组分x的变化关系进行了研究,其变化关系遵从Vegard定律;测量了产物的紫外吸收光谱,对其能带隙随组分x的变化关系进行了研究,说明可通过对组分x的控制来调制材料的带隙. 相似文献
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本文的目的是研究FCC反相密堆积结构光子晶体在改变其结构的情况下完全禁带的变化。通过事先设定品格常数a和组成密堆积结构的空气球的半径R,利用平面波展开法计算得到当背景材料的相对介电常数分别为εr=3．6和εr=11．9时两种不同的完全禁带。在此基础之上,又对晶体结构做了一些改动,保持a和R不变,在相邻球体的空隙中再嵌入4个半径r=0．2R的空气小球,结果发现当εr=3．6时完全禁带消失了,而εr=11．9时则产生了新的完全禁带。 相似文献
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普通的一阶补偿带隙基准因忽略了VBE的高阶非线性项,其温度系数一般在20×10-6~30×10-6/℃,不能满足高精度系统的设计要求,因此为了得到温度系数更好的基准电压,需要对带隙基准中VBE的高阶项进行补偿。文章利用工作在亚阈值区MOS管的I-V指数特性,分别对低温及高温条件下VBE的高阶非线性项进行了补偿,从而实现了高精度基准电压。 相似文献
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介绍了一种带隙基准参考电路结构，采用二阶曲率补偿技术，通过增加一正温度系数项补偿电路中Vbe（T）展开的负温度系数对数项，改善了基准参考电压源的温度稳定性．文中给出了详细的分析和电路实现，经Hspice仿真表明，其温度系数为10ppm／℃． 相似文献