基于失配控制的非线性补偿带隙基准电路设计

在一阶线性补偿基准非线性温度特性分析基础上,提出了利用基准电路内部可控非线性失调电压实现高阶补偿的方法,即利用3路互偏结构代替传统基准电路中的2路自偏置结构,在宽温度范围内,理想状态下的基准温度系数相比一阶线性补偿明显降低.与其他类型的分段高阶补偿相比,基于失配补偿的带隙基准不仅结构简单,而且工艺稳定性更好.基于CSMC 0.18μmCMOS工艺完成了该基准电路的MPW验证,在-20～120℃温度范围内,基准温度系数的测试结果最低为6.2×10-6/℃.基于理论与实测结果误差产生原因的分析,提出了电阻修调以及面积功耗折中方面的改进措施.     

“政治惊扰”与“市场窄化”：传统文化资源现代性转型的结构性困境——基于钧窑历史变迁的政治经济学分析（二）

＂政治惊扰-市场窄化＂的逻辑或机制,深刻地渗透、贯穿于整个传统文化产业体系之中,构成了中国传统文化资源现代性转型的结构性障碍或困境。以＂政治惊扰-市场窄化＂的概念框架研究钧窑创烧以降到1970年代末市场化转型前后的发展历史,可以看出政治、市场对钧瓷技艺、手工艺人及整个钧瓷文化产业发展的社会性挤压,也能感受到其强大的正面积极功用。只有通过对更多＂传统文化资源＂现代性转换个案的充分＂经验分析＂,才能从学术理论角度更恰当地定位＂政治惊扰＂和＂市场窄化＂的适切边界,并使其成为革故鼎新的现代化动力源泉。     

基于圆弓形散射元的光子晶体禁带研究

基于对光子晶体禁带影响因素的研究,设计了圆弓形和非对称圆弓形两种新型散射元。并利用平面波展开法,根据六边形排列结构,对两种新型散射元禁带宽度进行模拟计算,比较了TE模式和TM模式禁带关系和相对禁带宽度。结果表明,两种新型散射元不但可以获得更大的光子晶体禁带宽度,而且可以方便地调整禁带的位置。     

二维旋转复式晶格光子晶体绝对带隙的研究

设计一种二维旋转复式晶格光子晶体,利用平面波展开方法计算其带隙结构.结果表明,通过优化参量,该结构具有较大的绝对光子禁带,带隙宽度为0.08538(ωa/2πc),禁带宽度与中心频率比值达到17.91%.相对于其它光子晶体结构,该结构更容易产生绝对带隙.     

密度对声子晶体带隙的影响

从弹性波动方程出发,利用平面波展开法计算二维（三维）声子晶体的带结构,研究散射体与基体的密度比对最低带隙的影响,得出了最低带隙宽度和带隙边界随密度比的变化规律.数值计算结果显示随着密度比的增加,带隙下边界的频率降低,而上边界的频率升高,从而增加带隙宽度,且带隙能级不变.     

Si/SiO_2和Si/SiN_x/SiO_2超晶格的能带结构

利用Kronig-Penney模型从理论上计算了Si/SiO2和Si/SiNx/SiO2多层膜结构中量子阱的能带结构,进一步分析了各亚层薄膜厚度对能带结构和有效质量的影响.结果发现,适当减少亚层的厚度都能使得纳米Si薄膜的带隙发生明显宽化.在Si/SiO2超晶格中,Si量子阱层带隙能量随着Si层厚度的变化符合EPL(eV)=1.6+0.7/d2关系,与我们的计算结果十分吻合.在Si/SiNx/SiO2超晶格系统中,可以通过控制各亚层厚度,尤其是Si和SiNx层厚度,均能够有效地控制发光.     

碳化硅电力电子器件及其在电力电子变压器中的应用

随着“坚强智能电网”建设的不断深化以及“泛在电力物联网”概念的提出,硅基电力电子器件以及电力电子化装置正面临着新的挑战。以碳化硅基为代表的宽禁带功率半导体器件,因其高耐压、高耐温、高频开关等优良特性,在中高压领域前景广阔。其典型应用之一即因硅基器件耐压水平有限而难有突破的电力电子变压器。电力电子变压器除了能实现传统工频交流变压器的电压变换和电气隔离功能之外,还在故障切除、功率调控、分布式可再生能源接入等方面有独特优势。本文首先对碳化硅电力电子器件的研究与发展作简要概述,而后对电力电子变压器的发展进行了简单梳理。最后,重点介绍了几种典型的应用碳化硅器件的电力电子变压器,以便相关研究的进一步开展。     

TiO2-x(V2O5)纳米复合薄膜的光吸收

采用溶胶 -凝胶技术 ,以Ti(C4H9O) 4 和V2 O5粉末为原材料制备了纳米结构的TiO2 -x(V2 O5) (x为V2 O5的质量分数 ,分别为 10 % ,2 0 % ,30 % ,10 0 % )复合薄膜 .采用原子力显微镜观察薄膜的表面形貌 ;使用UV VIS NIR分光光度计测量了复合薄膜在紫外 -可见光波段的透射率和反射率光谱 ,研究其光吸收特性 .实验结果表明 :复合薄膜具有纳米颗粒结构 ;随着V2 O5用量的增加 ,复合薄膜在紫外光区的吸收逐渐增加 ,(αhv) 1/ 2 与hv存在线性关系 ,光学带隙由纯TiO2 的 3.36eV减小为x =30 %时的 2 .83eV ,光学带隙与x满足Eg(x) =Eg(0 ) [Eg(1)-Eg(0 ) -b]x bx2 关系式 ;复合薄膜光吸收边缘红移起因于V2 O5复合后薄膜中定域态宽度的增加 .     

基于数字修调技术带隙基准电压源的设计

带隙基准电压源在同一工艺的不同工艺角下,基准源的输出电压会有很大的变化.为了减少工艺角变化的影响,引入数字修调技术,对影响带隙输出基准电压的电阻阻值进行修调,以保证不同工艺角下的电压基准值可以通过修调调回理想值.基于华虹NEC 0.35μm BCD工艺的仿真结果表明,修调后的带隙基准源在-40℃~85℃范围内,各工艺角下基准电压的温度系数均小于6 ppm/℃.     

闽江北港束流工程方案研究

针对河道整治模型试验所提出的在北港文山河段设置束流工程这一项案,用数学模型对此束流工程进行专项的方案研究和分析,提出一种能改善北港河道水流条件,保证行洪安全和航稳定和束流工程方案。