HV/CVD Grown Relaxed SiGe Buffer Layers for SiGe HMOSFETs

High-vacuum/chemical-vapor deposition (HV/CVD) system was used to grow relaxed SiGe buffer layers on Si substrates. Several methods were then used to analyze the quality of the SiGe films. X-ray diffraction and Raman spectroscopy showed that the upper layer was almost fully relaxed. Second ion mass spectroscopy showed that the Ge compositions were step-graded. Transmission electron microscopy showed that the misfit dislocations were restrained to the graded SiGe layers. Tests of the electrical properties of tensile-strained Si on relaxed SiGe buffer layers showed that their transconductances were higher than that of Si devices. These results verify the high quality of the relaxed SiGe buffer layer. The calculated critical layer thicknesses of the graded Si1-xGex layer on Si substrate and a Si layer on the relaxed SiGe buffer layer agree well with experimental results.     

集聚效应对中国风电产业发展差异影响的实证研究

风电产业的发展是清洁能源发展的热点之一。本文从产业集聚效应的角度出发,深入研究了我国风电产业链的发展情况,利用地区集中度LQ指标对2009~2012年华北、东北、西北和江苏沿海风电产业集聚情况进行了实证研究,得出我国四大区域确实存在风电产业集聚现象。同时利用产业地区集中度cR指标测度各地的市场集中度,深入分析了我国典型地区的风电产业集聚特征,得出受集聚效应和各地经济资源禀赋不同的影响,我国风电产业发展存在差异且缺少地区间的产业联动发展,并提出相应的对策建议。     

金属盐作用下的表面活性剂临界胶束浓度的变化研究

用电导法系统地研究了金属离子－－Cu(Ⅱ），Zn(Ⅱ),Co(Ⅱ),Ni(Ⅱ),La(Ⅱ)和Fe(Ⅲ）对两种离子型表面活性剂－－十二烷基硫酸钠（SDS）和十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）的临界胶束浓度（CMC）的影响，并推导了一系列表达金属离子浓度和表面活性剂SDS及CTAB的临界胶束浓度(CMC）之间关系的经验公式。结果表明，SDS和CTAB的临界胶束浓度(CMC)均随着金属离子浓度的增加而减小，这些现象可以用反离子效应和熵驱动效应来解释。     

挤压效应下土体内响应场的非线性有限元分析

通过对土在挤压效应下的有限元分析，研究了土的应力场分布的规律，从而数值化地分析了挤扩支盘桩在挤扩成盘过程中挤压效应对相应土体的性状的影响范围，对支盘的间距设计提出可行性建议。     

环境激素作用机制的研究

环境激素是一类外源性的内分泌干扰物 ,它对人类及生物体的生殖健康构成严重威胁。对环境激素的研究已成为全世界共同的课题。结合环境激素的概念、分类 ,以及对人类和动物生殖机能的影响 ,着重探讨了环境激素作用的机理     

非达西渗流效应对低渗透气藏直井产能的影响

由于低渗透气藏普遍具有低孔、低渗、高含水特征,导致其气体渗流表现出明显的非达西渗流效应,如应力敏感效应、启动压力梯度及滑脱效应。鉴于此,基于Forchheimer二项式渗流方程,引入新的拟压力函数,推导出综合考虑应力敏感效应、启动压力梯度及气体滑脱效应共同影响下的气藏直井产能模型。并以某低渗透气藏为例,研究这些效应对其产能的影响程度。结果表明:应力敏感效应比启动压力梯度、滑脱效应对直井产能的影响强烈得多;应力敏感使气井产量最大可下降49.46%;启动压力梯度使气井产量平均可下降3.09%;气体滑脱效应使气井产量平均可增加2.58%。     

苯甲酸溶剂效应的NMR考察

本文通过实验数据总结出苯甲酸溶液的化学位移δ与溶剂的介电常数ε之间存在着如下的直线方程:1/δ=A+Blgε表明,凡偏离此直线的溶液,必存在着溶质与溶剂间的分子间氢键的作用。本文还对属于这种性光的二氧六环与呲啶溶液的谱图作了仔细的讨论。     

考虑延迟效应的交通流宏观流体力学模型

【目的】研究延迟效应的高阶宏观流体力学模型及其对交通流密度波产生的影响。【方法】通过宏观转化法将微观量转换成宏观量,推导出关于延迟效应的高阶动力学模型。同时结合交通流的守恒连续性方程,对新的动力学模型进行线性分析和非线性分析。用迎风格式数值模拟研究在不同延迟时间和密度下的交通流的成簇效应和系统的稳定性。【结果】推导出的模型具有各向异性的特性。在线性稳定性分析和非线性分析中分别推导出在微扰的条件下交通流的稳定性条件和描述密度波的KdV-Burgers方程,并求得密度波解。数值模拟结果表明考虑了延迟效应的模型系统不稳定状态范围在缩小。【结论】考虑了延迟效应的宏观流体力学模型,交通流成簇效应减弱。这表明交通流的拥堵得到抑制,有利于系统稳定。     

端面研磨Nd:YAG晶体棒热透镜焦距测量

主要分析和测量端面研磨凹面的Nd:YAG激光晶体棒的热透镜焦距。实验通过He-Ne光测试法,分别测量了不同功率下的端面研磨和未研磨晶体棒的热透镜焦距,并通过作图比较二者的热透镜焦距随泵浦功率变化情况,得出随着泵浦功率的增大,热透镜焦距逐渐减小的结论。文中对未研磨晶体棒热透镜焦距进行了理论和实验值的比较,曲线情况基本相符,故根据理论计算出补偿热透镜效应所需要的晶体棒的研磨半径。由于通过理论计算得出的研磨半径在实验过程中出现了出光阈值高,输出功率降低等一些现象,不利于生产的需要,故在实际经验的指导下,增大了晶体棒的研磨半径。结论指出端面研磨晶体棒的方法在一定条件下能对激光晶体棒的热透镜效应进行补偿,对大功率固体激光器的研发有一定积极作用。     

瓦尔特·迈斯纳和超导物理学初期发展

回顾了瓦尔特·迈斯纳的生平,讲述了1911～1933年人们对超导体认识上的偏见及影响人们认识超导磁性质的实验因素,介绍了迈斯纳对超导物理学发展的贡献和迈斯纳效应现象的发现.