超铹元素及未来元素周期表

本文根据元素周期律,在原子结构理论的基础上,讨论铹以后元素的结构规律,并预测第一、第二、第三稳定岛附近存在元素的可能性,绘制出新的元素周期表。     

离子束作用下动态靶的计算机模拟

固体中离子传输和原子碰撞级联的计算机模拟程序ＴＣＩＳ已发展起具有模拟离子 束作用下固体靶中成分动态演变的功能。本文详细介绍动态 ＴＣＩＳ模拟程序的物理模 型及计算方法，给出算例及有关问题的讨论。动态 ＴＣＩＳ可以研究离子束轰击三元靶 的复杂问题：如大剂量离子注入、择优溅射和界面混合等。     

离子对萃取原子吸收光谱法间接测定微量硫氰酸根和碘

研究了NCP-Cu(I)·SCN~-离子对的形成、萃取和测定条件;探讨了有机溶剂对测定灵敏度的影响.方法用于电镀厂排放水中微量硫氰酸根的测定,并取得满意的结果.当I~-与SCN~-共存时,通过改变试剂用量,可以对二者选择性地连续测定.     

三元离子缔合物浮选-原子吸收法的研究 金属离子·SCN~-·RB体系

本文研究了一种高灵敏度高选择性连续测定ppb级Au、Ag、Cu、Fe、Bi的新分析方法,在pH0.5—1.5范围内金属离子与KSCN及RB形成三元离子缔合物,用甲苯进行萃取浮选,用DMF溶解并用火焰原子吸收法测定.本文详细研究了其浮选条件、浮选行为及分析特性.富集倍数高达200倍.已用于环境监测和化探样品的测定.     

纤锌矿类型晶体的力常数和动力学矩阵

应用成键轨道近似（ＢＯＡ）、紧束缚方法加上Ｃｈａｄｉ的短程势计算了纤锌矿类型晶体的总能、力常数和动力学矩阵．模型清晰，力常数可靠．为计算此类晶体的振动谱和讨论其各种重要物理性质提供了基础，     

卤代甲烷分子中s键轨道的特征

本文借助最大重叠杂化轨道理论,研究了卤代甲烷系列分子的红外伸缩频率,基团电负性和质子酸度等分子性质与结构的关系.明确地反映了这类分子的化学键特征和卤素取代基对分子性质的影响.     

不对称Diels—Alder反应区域选择性的理论研究

用半经验量子化学方法MNDO并结合广义微扰理论,在考虑二烯和亲二烯的两对前线轨道相互作用的基础上,研究了不对称Diels-Alder反应不同反应途径的相互作用能,用相互作用能预测了反应优势产物,定量地计算出了不同产物的比例,结果表明理论预测与实验结果一致。     

空气—乙炔火焰原子吸收光谱法测定痕量铝

文研究了空气－乙炔火焰原子吸收光谱法测定铝的方法，利用铝对钙的干扰效应和微量进样技术间接测定了化学试剂中的痕量铝。实验表明，该法具有样品用量少，精密度好，简便实用的优点。。     

火焰原子发射光谱法测定水中钾钠影响因素的探讨

文章对采用火焰原子发射光谱法测定水中钾钠存在的诸多影响因素和干扰问题进行了试验与探讨，得出了较准确的测定条件和数据。     

Theoretical calculations on the atomic and electronic structure of β-SiC(110) surface

We present a theoretical calculation of the atomic and electronic structure of β-SiC and its non-polar (110) surface using the full potential linear augmented plane wave (FPLAPW) approach. The calculated lattice constant and bulk modulus of β-SiC crystal are in excellent agreement with experimental data. The atomic and electronic structure of β-SiC(110) surface has been calculated by employing the slab and supercell model. It is found that the surface is characterized by a top-layer bond-length-contracting rotation relaxation in which the Si-surface atom moves closer towards the substrate while the C-surface atom moves outward. This relaxation is analogous to that of Ⅲ-Ⅴ semi-conductor surface. The driving mechanism for this atomic rearrangement is that the Si atom tends to a planar sp2-like bonding situation with its three N neighbors and the N atom tends to a p3-like bonding with its three Si neighbors. Furthermore, surface relaxation induces the change from metallic to semiconducting characterization.