内壳层电子激发诱发的电子波函数的弛豫效应

利用电子关联效应和相对论效应的Hartree-Fock(HFR)自洽场方法(SCF),计算了Kr原子在基态4p6和激发态1s-15s,2s-15s,2p-15s,3s-15s,3p-15s,3d-15s,4s-15s,4p-15s情况下的各壳层电子的轨道半径、有效量子数、束缚能及径向波函数,系统地研究了内壳层电子激发导致的电子波函数的弛豫现象。结果表明,对于同一电子轨道,越是内壳层电子激发,驰豫效应的影响越明显;对于同一激发态,驰豫效应对较外壳层电子的影响要大于对较内壳层电子的影响。     

SnO2和TiO2薄膜在钙钛矿材料上的原子层沉积工艺

金属电极与卤素之间的扩散反应是造成钙钛矿太阳电池(PSC)衰退的重要因素,而利用原子层沉积(ALD)技术在金属电极和钙钛矿活性层之间沉积致密且电学性能良好的缓冲层,是解决上述问题的优选方案之一.本文主要研究了利用ALD技术在金属有机卤化物钙钛矿材料上沉积SnO₂和TiO₂薄膜的工艺兼容性问题.通过X线衍射和紫外-可见吸收光谱等技术,表征了分别作为钛源和锡源的四(二甲氨基)钛(TDMATi)和四(二甲氨基)锡(TDMASn)脉冲以及不同温度下水脉冲对钙钛矿薄膜结构的影响,分析了不同前驱体源的脉冲及吹扫时间对薄膜沉积模式的影响,获得了与钙钛矿材料相兼容的SnO₂和TiO₂薄膜的优化ALD工艺.将优化后的SnO₂和TiO₂薄膜ALD工艺应用于倒置PSC制备,对电池的J-V曲线和大气环境下的稳定性测试结果表明,基于ALD技术沉积的SnO₂和TiO₂缓冲层的引入,使得PSC的稳定性明显改善,而且其功率转换效率也有所提高.     

以滞量为参数的 Vanderpol型方程的 Hopf分支

本文以滞量为参数讨论了时滞 Ｖａｎ ｄｅｒ ｐｏｌ型方程的 Ｈｏｐｆ分支情况。     

利用AFM电场诱导氧化实现纳米结构

利用导电原子力显微镜（AFM）在硅、其它半导体和金属表面的电场诱导氧化加工是实现纳米器件的有效方法。大气状态下样品表面吸附的水膜在电场诱导氧化加工中的必要性被证实，实验给出了相对湿度与氧化线宽度的关系。在氢钝化表面成功地制备出纳米尺度的线和图形结构，最小的线宽为22nm。     

用原子模型的松紧规律解释同族元素的次周期性

用原子模型的松紧规律解释了部分次周期性现象．     

Aln^m（m=0,±1,n=3,4,5）团簇的稳定性和芳香性研究

采用密度泛函理论中的B3LYP方法,对铝团簇Alnm（m=0,±1,n=3,4,5）进行了理论研究。经过优化得到其基态构型,讨论了其稳定性。通过核独立化学位移（NICS）和分子轨道（MO）分析,确定Al3的次稳态、Al3^-、Al4、Al4^-、Al5和Al5^＋团簇具有芳香性,其余团簇不具有芳香性,芳香性均以π芳香性为主。     

原子能级精细结构中一些问题的分析

本文分析了原子能级精细结构方面普遍存在的一些问题。     

完全分配格是完备集环的刻划定理

利用RaneyGN的完全分配格的次直积表示定理证明了 :完全分配格L是完备集环 L是相对原子格 ;完全分配格L是完备集环 conc(L)同构到一个幂集格 ,这里conc(L)是L的完备同余关系格 .     

PMO与两可亲核试剂的双重反应性——微扰理论在有机化学中的应用研究Ⅷ

本文介绍了用于分析电子授-受反应过程的普通微扰方程,通过考查反应过程的电荷控制和轨道控制,从而半定量地解释和预测了具有双重反应性的两可亲核试剂的反应选择性。 我们曾用分子轨道微扰理论的普通方程(GP方程)半定量地解释了某些环加成反应的反应性、周边选择性、次级效应以及烯烃和苯环的亲电反应性,本文试用类似的考虑方法,分析电子授-受过程的电荷控制和轨道控制,从而解释和预测具有双重反应性的两可亲核试剂的反应选择性。     

如何确定同科电子的原子谱项

确定同科电子的原子谱项，一些书中采用列表的方法，比较麻烦，也容易出错，如果采用偶数定则，则比较简便。