GaAs/Alx Ga1-x As超晶格扩展态电子能级结构的理论研究

运用Kroning_Penney模型,研究了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格扩展态(E>V0)的电子能级结构和带宽随超晶格的阱宽、垒宽和A1组分的变化关系,以及扩展态能量随波矢k的变化关系.计算结果表明:影响光跃迁频率的最大因素是阱宽和A1的组分,随着阱宽的增加,光跃迁频率逐渐减小,随着A1组分的增加,光跃迁频率逐渐增大;影响带宽的较大因素是阱宽和垒宽,随着阱宽和垒宽的增大,带宽逐渐减小.这些将对实验和器件设计具有指导意义.     

量子阱中束缚光学极化子

采用线性组合算符及幺正变换方法研究了量子阱中强、弱耦合束缚光学极化子的性质．导出了量子阱中束缚光学极化子的基态能量与库仑束缚势、电子-LO声子的耦合强度和阱宽的变化关系．通过数值计算结果表明：基态能量因电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势的不同而不同，它随电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势的增大而增大，当电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势取某一定值时随阱宽的增大而增大．     

关于一类有界弦振动方程能量变化及解的性态

研究了一类关于受摩擦力作用且具有固定端点的有界弦振动的波动方程，证明了在满足一定条件时其能量的衰减性，并由此推导出在外力作用下方程解的性态．     

新型Al-Mg-Si-Cu合金热压缩流变应力研究

在Gleeble 1500热模拟机上对一种新型Al-Mg-Si-Cu合金热压缩流变应力行为进行了研究,应变速率为 0.005~5 s-1、变形温度为350~550 ℃.结果表明:在较小应变(<0.15)出现一峰值后流变应力随应变的增加有所降低,表现出较明显的动态软化;在实验范围内,流变应力值随着应变速率减少和变形温度升高而降低,可用Zener-Hollomon参数的幂指数关系描述合金的流变应力行为,其变形激活能Q为236 kJ/mol.图5,参11.     

在中空纤维膜中Dean涡降低浓差极化的试验研究

膜污染与浓差极化是不同的概念，两者是相互关联、相互影响的，浓差极化使膜表面被截留组分浓度提高，从而加速了膜污染过程的，而膜污染使部分膜孔堵塞，又会促使局部浓差极化的加剧．因而，膜污染与浓差极化成因果关系，浓差极化是导致膜渗流量下降和分离效率降低的原因．在中空纤维膜中，Dean涡这种不稳定流能有效地将膜靠近膜壁的浓差极化现象大大消除．通过设计一组试验，证明了浓差极化的危害性和Dean涡能较大程度的降低浓差极化．从能耗的观点上说，试验结果表明，有Dean涡存在的编织型中空纤维膜，其能耗低于直线型，其渗透流量和回收率高．图12．参19．     

Co2+: CaAl2S4吸收光谱的理论解释

MgAl2Sd，CaAl2S4，CO^2 MgAl2S4和Co^2 CaAl2S4晶体是典型的三重复合半导体材料，由化学输运反应的方法可以成功制备而得出，具有宽的能隙结构，因而在光电方面有着非常重要的应用而备受广泛的关注．采用Sugano-Tallabe强场近似理论，引入平均共价因子Ⅳ，利用经典晶场能量矩阵公式，在D2对称模型下计算出的结果较好符合了实验事实，从而纠正了S．K．Oh等人对Co^2 ：CaAl2S4吸收光谱的不合理解释。     

冲击破煤过程中能量耗散的理论分析

介绍了能量在冲击式破煤过程中的产生、传递和耗散过程以及能量最终的分布范围;运用应力波的方法分析了应力波在煤体中传播过程,并得出能量在衰减过程中衰减率的计算方法;还分析了剥落厚度的计算方法,并得出正弦应力波在煤体中传播时的冲劈厚度和最大煤块尺寸的关系;根据冲击规律和能量的传递特征对能量的传递过程进行了分析,并求出冲击消耗能量和最小散逸能之间的关系,指出了要使煤块破碎必须满足冲击消耗能量要大于最小散逸能。     

氢化物发生-原子荧光光谱法测定饮料中微量砷

采用氢化物发生－原子荧光光谱法测定饮料中砷的含量，研究硼氢化钾浓度、盐酸浓度等因素对测定结果的影响，建立饮料中微量砷的适宜分析条件。方法检测限为0．60μg/kg，回收率在93％－96％之间。     

半导体表面态的研究与展望

半导体表面的研究是半导体物理中极为活跃的一个分支，因为半导体器件的体积越来越小，靠近半导体表面附近的物理性质越来越重要。笔者系统地对半导体表面态进行了综述。认为当波矢K取复数时局域于表面附近存在表面电子态，其波函数体内、体外都衰减。同时对半导体表面研究的发展历程、现状以及前景进行了展望。     

多原子晶体中纯二维极化子的内部激发态

研究多原子晶体中纯二维电子与表面光学声子的相互作用性质，采用线性组合算符和幺正变换方法计算了多原子晶体中纯二维弱耦合极化子的基态能量、第一内部激发态能量和激发能量．结果表明：多原子晶体中纯二维极化子的基态能量、第一内部激发态能量和激发能量表示为耦合常数αn的幂级数，不仅包括不同支SO声子与电子耦合的能量，还包括不同支SO声子间相互作用贡献的附加能量．