培养学生记忆能力之我见

培养学生记忆能力是素质教育的需要。思想政治课在要求学生记忆的问题上,有三种模糊认识必须克服;要充分认识培养学生记忆能力的重要性和必要性。     

FeMnSi基形状记忆合金在水溶液中的电化学腐蚀

在 Fe Mn Si基形状记忆合金中加入 N,能强化基体 ,改善其形状回复率 ,同时有可能提高抗腐蚀性能 .采用浸泡试验和慢线性电位扫描法测量阳极极化曲线等方法 ,以 1 Cr1 8Ni9Ti不锈钢为参照 ,研究了 Fe Mn Si、Fe Mn Si Cr、Fe Mn Si Cr N等合金在 Na Cl(w=3 .5 % )、Na OH(3 mol/L )、HCl(1 mol/L)溶液中的电化学腐蚀行为 .结果表明 :在 Na Cl和 HCl溶液中 ,Fe Mn Si Cr N的抗腐蚀性能较好 ,但不如 1 Cr1 8Ni9Ti;Na OH溶液中 ,Fe Mn Si三元合金会发生钝化 ,且有很宽的钝化区 ,因此有很好的抗腐蚀性能 ,而抗腐蚀性能排序为 Fe Mn Si>Fe Mn Si Cr N>Fe Mn Si Cr>1 Cr1 8Ni9Ti.总之 ,与 Fe Mn Si和 Fe Mn Si Cr相比 ,Fe Mn Si Cr N在水溶液中有较好的抗腐蚀性能     

Ti-Ni合金的织构与弹性模量及伪弹性应变的定量关系

应用取向分布函数（Orientation Distribution Function,ODF）方法分析了形状记忆合金Ti-50.4%Ni（原子分数）热轧后的织构,结果表明其织构类型为α纤维,根据其织构系数计算了不同轧向的弹性模量,并由ODF回算的反极图计算了不同轧向的伪弹性应变,经实验证实,得到了Ti-50.4%Ni形状记忆合金热轧织构与弹性模量及伪弹性应变的定量关系。     

对称三值逻辑的实现

本文从对称三值逻辑最小项的性质出发,讨论了对称三值逻辑与二值逻辑的内在联系,从而使对称三值逻辑函数可用PLA技术实现。文中给出了三值优先编码器和三一十编码译码电路作为示例。文中还给出了对称三值CMOS存贮器ROM和RAM的逻辑系统图。     

一个基于Java的DSM系统——JAD

介绍一种在Java虚拟机上开发的,适于多种分布式环境的分布式共享存储(DSM)系统.该系统可以隐蔽计算机体系结构的差异性,集成各种计算资源并取得较好的性能.     

基于Windows的DLL编程技术及应用

介绍DLL技术在Windows编程中的基本运用方法及应用实例,给出了直接内存访问及端口I／O的两个实用DLL的全部源代码。     

分布式分组共享数据对象管理系统的设计和实现

研究和开发基于网络的并行程序设计语言是并行领域的主要研究方向之一。介绍了基于工作站网的管理分组共享对象系统,该系统能对以共享数据对象模式实现虚拟共享存储的并行程序设计语言提供仍力的支持。     

记忆状态下儿童青少年脑α波特点的研究

对24名7～18岁的儿童青少年进行脑电图记录,比较其在静息状态和记忆状态下脑电α波特点.结果表明:1)记忆状态下被试α波分布的熵值明显升高;2)记忆状态下α波平均频率显著上升;3)记忆状态下11,12,13Hz等高频脑波所占比率显著上升;4)高频脑波所占比率的上升在前脑和左脑更加明显.     

给人以鱼,不如授之予渔--谈数学教师如何对学生进行学法指导

文章从中学生的认知角度出发，从五个方面论述了数学教师应如何对学生进行学法指导。     

一款通用CPU的存储器内建自测试设计

存储器内建自测试（memory built-in self-test,MBIST)是一种有效的测试嵌入式存储器的方法，在一款通用CPU芯片的可测性设计（design-for-testability,DFT)中，MBIST作为cache和TLB在存储器测试解决方案被采用，以简化对布局分散，大小不同的双端口SRAM的测试。5个独立的BIST控制器在同一外部信号BistMode的控制下并行工作，测试结果由扫描链输出，使得测试时间和芯片引脚开销都降到最小，所采用的march13n算法胡保了对固定型故障，跳变故障，地址译码故障和读写电路的开路故障均达到100%的故障覆盖率。