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161.
如何解决大流量和高响应之间的矛盾一直是液压高速开关阀设计中的难点,在传统液压阀的结构中要实现大流量势必要增加阀芯通径和行程,这样会使响应时间变慢.虽然采用超磁致伸缩致动器(GMA)代替传统比例电磁铁结构来实现电—机械转换可得到更高的响应速度和更大输出力,但同时由于超磁致伸缩材料的特性,其输出位移很小,从而限制了阀的流量.因此经过反复的建模分析,设计一种多通流面阀芯结构,以实现阀芯在高响应的同时产生较大的流量.在相同的阀芯尺寸和工况下,多通流面阀芯流量是传统锥阀的1.8倍.  相似文献   
162.
针对传统测试方法中效率低、耗资大等问题,提出一种电控系统性能测试平台的设计方案.设计代替挖掘机各电气部件与传感器的工作状态信号模拟电路,并使用LabVIEW软件开发监控界面.测试平台通过串行口和CAN总线建立与电控系统之间的实时通信.实验结果表明:该测试平台能实现对电控系统电气逻辑功能、主控制器算法有效性等项目的测试.  相似文献   
163.
为提出运营期地铁隧道内转辙机基坑渗漏水的有效治理方案,以南方某城市地铁隧道为依托,通过现场试验方法研究了振动环境下道岔转辙机基坑渗漏水的治理方案。结果表明:运营期地铁隧道内道岔转辙机基坑渗漏水治理可分为以下三步:首先,彻底清理基坑内的积水和杂物,打磨基坑表面已经被污染的混凝土并漏出正常混凝土;第二,采用采用水泥基临时堵水材料、亲水型环氧树脂灌浆料、聚硫密封胶和改性硅烷密封胶在基坑表面对渗漏水进行治理;最后,利用亲水性环氧树脂灌浆料对底板裂隙进行处理。治理工程完工6个月后,现场情况良好,基坑内再无渗漏水出现,可见,“表面治理+底部注浆”的综合治理方案,不仅能使得渗漏水治理过程做到有的放矢,还能起到多重防水的作用。  相似文献   
164.
介绍了一种基于ISO/IEC14443协议的带有片上天线的近耦合非接触式IC卡的芯片设计,它将天线集成到芯片中并用状态机代替MCU作为芯片的控制器,采用0.35pm工艺模型,用HSPICE对天线、模拟电路进行了仿真,采用Verilog语言和Synopsys综合工具对数字电路进行了VLSI设计,芯片仿真结果表明功能及各项性能达到了原定指标。  相似文献   
165.
A novel filter built by multiply-output current conveyor Ⅱ (MOCCII) is presented and analyzed which implements the low-pass, high-pass, band-reject and all-pass second order transfer functions simultaneously.With the passive elements grouned, the filter also displays low incremental parameter Sensitivities. Spice simulation results are presented and support the theory.  相似文献   
166.
通过用声、光敏传感器等常用电子元器件设计制作声、光控电路模拟演示器,利用LED发光管的有序流动效果模拟演示声光控元件的导通性能,这对声光控原理的讲述起到画龙点睛的效果,由于该演示电路的创新之处是将声光控及闪光电路集为一体,简单明了,说服力强,便于学生实际动手操作,加深学生对传感器知识的理解,激发学生学习的探索欲望,使老师的教学可取得很好的教学效果.  相似文献   
167.
研究了影响模式转换市场下期权定价的因素。首先对模式转换市场下期权定价的三叉树模型进行了分析研究,并证明了其合理性;从而得出,影响模式转换市场下期权定价的因素主要是生成矩阵和不同模式下波动率的差值;然后通过数值算例,利用Matlab编程,证明了波动率对模式转换下期权定价的影响,并针对生成矩阵为对称矩阵的情况,通过数值算例说明了其对期权定价的影响。  相似文献   
168.
《模拟电子技术》是电类及其相关专业的一门重要的专业基础课,随着电子技术的不断发展,现有的课程教学模式已不能与之相适应。本文给出了一种新的教学模式:"任务驱动"一体化教学模式,将理论与实践融为一体。本文从教学内容、教学模式、教学方法与手段等方面进行了阐述。实践证明,这些改革对提高学生分析问题和实践动手能力有很大帮助。  相似文献   
169.
研究了一类具有范数有界时变参数不确定性能的时滞切换系统在任意切换下的保性能控制问题,基于线性矩阵不等式处理方法,导出了控制律存在条件。  相似文献   
170.
采用流水线结构完成了一个10位精度150MHz采样率的模数转换器的设计.通过采用动态比较器降低电路的功耗.在采样保持电路中使用一种新颖的自举开关,可减小失真,使得电路在输入信号频率很高时仍具有很好的动态性能.芯片采用台积电(TSMC)0.25μm CMOS工艺,其有效面积为2.8mm2.测试结果表明,最大积分非线性误差和微分非线性误差分别为1.15LSB和0.75LSB;在150MHz采样率下,对80MHz信号转换的无杂散动态范围为52.4dB;功耗为97mW.  相似文献   
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