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191.
证明了上三角矩阵代数上的Jordan triple可乘映射是可加的,并给出具体刻画,同时给出一个例子说明了上三角矩阵代数上的Jordan半可乘映射不一定可加.  相似文献   
192.
基于变插入层介电常数的多层绝缘结构能改善电场分布、提高真空沿面闪络特性.通过真空热压烧结制备了TiO2/Al2O3-Al2O3-TiO2/Al2O3(A-B-A)3层绝缘结构,A层w(TiO2)为0.5%到20%.测量了该绝缘结构的真空沿面闪络特性,发现闪络特性随w(TiO2)的增加而提高,当w(TiO2)为20%时,其脉冲初次闪络电压较同等厚度的Al2O3陶瓷提高了63%.研究发现:A层的介电常数可由w(TiO2)调控,介电常数的增大能有效降低真空-绝缘子-阴极三结合点处的电场强度;A层表面存在的TiO2颗粒可以减小二次电子发射系数并改善表面电荷分布;TiO2的电导率虽比Al2O3高,但其仍为绝缘体,即使TiO2含量较高时也不会形成贯穿的导电通道.  相似文献   
193.
碳酸盐岩储藏资源潜力巨大,是当前研究的热点和难点领域.为了准确评价缝洞型油藏产能特征,以三重介质流体渗流方程为基础,考虑应力敏感对储层渗透率的伤害,建立基质-孔隙-裂缝的三重介质试井分析模型.研究结果表明:无量纲压力及压力导数曲线随应力敏感性增强而整体向上抬升,随着时间的增加,上升幅度逐渐增大;将无量纲压力导数曲线的水平段取值作为特征值,当其值大于0.5时应考虑应力敏感的影响,反之亦反;"双下凹"形态可作为判断三重介质缝洞型油藏的曲线特征.对于强应力敏感性储层,应力敏感的影响不可忽视,渗透率应力敏感的准确表征有利于提高产能预测精度.  相似文献   
194.
设U是一个2-无挠的三角代数,Ω={x∈U:x~2=0},■是U上一列映射(无可加性假设).用代数分解方法证明:若对任意的■,x,y,z∈U且xyz∈Ω,有■,则D是一个高阶导子.  相似文献   
195.
依照所回答的问题类型区分,图像和文本的视觉问答大体分为2类,第1类是可以从图像中直接获取答案的问题,第2类是需借助外部知识获取答案的问题。目前的视觉问答方法只能在一类问题上具有较高的准确率,回答另一类问题的技术尚不成熟。为了扩大可回答的问题类型,设计了一种知识图谱辅助下的视觉问答方法——K-VQA。在基于深度学习VQA的基础上,通过查询知识图谱区分问题类型,对不同类型的问题采用最合适的方法进行回答,对于需借助外部知识进行回答的问题,利用图像和问题中的信息判断回答问题所需的实体和属性,抽取知识图谱中的三元组,获取问题答案。结果表明,不同的视觉问答技术适用于不同类型的问题,K-VQA方法既能回答简单问题也能回答推理性问题,准确率高达56.67%。因此,作为知识图谱辅助下的视觉问答方法,K-VQA可以回答更多类型的问题并获得较高的准确率,对于深入研究VQA和VQA方法具有重要的参考价值。  相似文献   
196.
从面积开销、性能和可靠性的角度分析比较了检错纠错码(EDAC)、三模冗余(TMR)和控制流检测(CFC)在可靠性微处理器设计中广泛使用的抗单粒子翻转(SEU)效应技术.用VHDL描述并在FPGA上实现EDAC、TMR和CFC.研究结果表明,TMR和EDAC通过保护寄存器或存储器达到高度的容错能力,但是代价较高,适用于可靠性要求较高的恶劣环境.CFC则是可靠性和代价的一个较好的折中,适用于商用可靠性微处理器的设计.  相似文献   
197.
提供了太阳微波爆发中的2个有意义的观测事件:1989年与AR5395成协的具有对双峰/三峰结构的准周期振荡和1990年5月23日与AR6063成协的叠加在微波爆发上的精细结构,并进一步用电流环结合模型给出了解释。  相似文献   
198.
以50年代至今具有世界水平的三级跳远选手52组测试成绩为依据,根据1990年美国生物力学专家詹姆斯·沦博士依据三跳百分比划分三级跳远的三种模式,将52组测试成绩分成高跳型、平跳型、跳跃型三个水平组,运用方差分析方法,揭示三级跳远不同技术类型对成绩的影响。运用R型因子分析方法,探讨影响三级跳远成绩的相关因素,并揭示其内在规律,按主成分a_(ij)计算“权”确定三级跳远技术的三跳比例,为科学训练、技术诊断提供可靠依据。  相似文献   
199.
可迁Kirkman三元系的几个新值   总被引:1,自引:0,他引:1  
可迁Kirkman三元系(TKTS)在构造互不相交的Kirkman三元系时有着重要作用。给出了TKTS的一种直接构造方法,得到了阶为3p,p∈{23,29,47,53,59,71}的新的可迁Kirkman三元系。  相似文献   
200.
本文讨论了不相交Steiner三元系组{X,A_i)|1≤i≤n}的齐次嵌入问题,并完整地解决了n=3时,不相交Steiner三元系组的齐次嵌入.  相似文献   
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