硫酸盐渍土在单向升温时的室内融沉试验研究

硫酸盐渍土的融沉是造成地基二次破坏的主要原因。为了探究不同含盐量和含水率在单向升温条件下硫酸盐渍土的融沉规律,以宁夏地区硫酸盐渍土为研究对象开展室内融沉试验。结果表明：(1)硫酸盐渍土的融沉可根据环境温度的不同分为三个阶段：升温初期（-24℃~5℃）,融沉率增长较缓;升温中期（5℃~20℃）,融沉率增长速率显著;升温后期（20℃~24℃）,在含盐量较低时融沉率趋于稳定,含盐量较高时增长幅度渐缓;(2)含水率低于最优含水率时,2%含盐量土体在升温中期融沉率达到最大,而含水率高于最优含水率时,5%含盐量土体在升温后期融沉率达到最大;(3)含盐量较低（<2%）时,最大融沉率随含盐量增大而增大;含盐量较高（>2%）时,融沉率因含水率的高低呈现两种不同的变化趋势：含水率小于最优含水率的土体最大融沉率开始下降并趋向于稳定,而大于最优含水率的土体最大融沉率继续缓慢增加;(4)建立的最大融沉率预测模型与试验值有较好的拟合效果,可用于硫酸盐渍土融沉率的预测和评价。     

电磁场对1100铝合金铸轧板材组织的影响

研究了1100铝合金中添加不同质量分数(0.4%,0.2%,0.1%)的Al-Ti-B细化剂和在铸轧过程中施加电磁振荡场对铸轧板坯组织细化的影响.结果发现,在添加相同含量的Al-Ti-B条件下,铸轧过程中施加电磁振荡场的板坯组织细化效果明显高于普通铸轧的板坯.同时发现,细化剂的质量分数在0.1%~0.4%范围内,在铸轧过程中施加电磁振荡场,其细化效果都比较满意,其显微组织优于常规铸轧添加0.4%细化剂的组织,因此,电磁振荡铸轧可以大幅度降低细化剂的用量,减少元素偏析,改善铸轧坯的内部质量.     

铝对大豆根系分泌物的影响

以2个大豆品种(浙春3号和华春18)为实验材料,用砂培方法研究了不同浓度铝处理后大豆根系分泌物的变化.通过研究铝对大豆电解质外渗率、根系分泌氨基酸和糖的影响,探讨了铝胁迫下植物根系的生理反应.结果表明,在铝胁迫条件下,电解质外渗率和糖类的泌出量随铝离子浓度的升高而增加;在低浓度铝离子作用下,随铝处理浓度的升高,氨基酸的分泌量也增加:浙春3号,苯丙氨酸和脯氨酸在ρ(Al3 )＜20 mg/L时,丝氨酸、缬氨酸\,精氨酸和氨基丙酸在ρ(Al3 )＜40 mg/L时,色氨酸和赖氨酸在ρ(Al3 )＜60 mg/L时,而酪氨酸和亮氨酸直至ρ(Al3 )为100 mg/L时才达最大值;华春18,丝氨酸和缬氨酸在ρ(Al3 )＜20 mg/L时,色氨酸、精氨酸和氨基丙酸在ρ(Al3 )＜40 mg/L时,苯丙氨酸、酪氨酸和赖氨酸在ρ(Al3 )＜60 mg/L时,亮氨酸在ρ(Al3 )＜80 mg/L时,脯氨酸至ρ(Al3 )为100 mg/L时达最大值.当铝处理浓度高于相应浓度时,氨基酸的种类随铝浓度的升高而减少.说明大豆通过改变根系分泌作用而缓解酸铝的毒害.     

外加电磁场对半连续铸造7075铝合金宏观偏析规律的影响

研究了外加电磁场在直径200mm7075铝合金圆锭半连续铸造过程中对合金元素宏观偏析规律的影响·分别在100～600A和10～100Hz范围内调节感应线圈中交变电流的强度和频率,通过电磁铸造工艺制得7075铝合金圆锭·采用化学分析的方法测定合金元素沿铸锭半径方向的分布情况·结果表明,采用电磁铸造工艺能够有效抑制宏观偏析;在保持线圈电流强度不变的情况下,电磁场频率的改变显著地影响了合金元素的分布情况,其中频率为30Hz时消除宏观偏析的效果最佳·     

ARB工艺下Al/Zn多层复合材料界面变化的研究

累积复合轧制（Accumulative Roll-Bonding,ARB）工艺作为一种大塑性变形工艺,近期在制备金属基多层复合材料方面受到关注.通过ARB工艺制备Al/Zn多层复合材料,重点观察Al/Zn多层复合材料界面间的变化规律.在扫描电子显微镜（SEM）下,可以明显地观察到在Al/Zn界面处扩散层的存在,说明在ARB工艺状态下,不同层之间存在扩散作用,但是X射线衍射（XRD）结果无法分辨材料内部结构.通过透射电子显微镜（TEM）观察第3周期ARB态Al/Zn多层复合材料截面,可以看到,在Al/Zn多层复合材料层间,存在4种形貌的组织,参考Al-Zn合金的时效析出过程可知,在ARB工艺过程中,Al过固溶体存在连续脱溶和非连续脱溶两种路径,其脱溶路径的不同主要与扩散到Al基体中的Zn浓度有关.     

Preparation of high-strength Al-Mg-Si-Cu-Fe alloy via heat treatment and rolling

An Al-Mg-Si-Cu-Fe alloy was solid-solution treated at 560°C for 3 h and then cooled by water quenching or furnace cooling. The alloy samples which underwent cooling by these two methods were rolled at different temperatures. The microstructure and mechanical properties of the rolled alloys were investigated by optical microscopy, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, X-ray diffraction analysis, and tensile testing. For the water-quenched alloys, the peak tensile strength and elongation occurred at a rolling temperature of 180°C. For the furnace-cooled alloys, the tensile strength decreased initially, until the rolling temperature of 420°C, and then increased; the elongation increased consistently with increasing rolling temperature. The effects of grain boundary hardening and dislocation hardening on the mechanical properties of these rolled alloys decreased with increases in rolling temperature. The mechanical properties of the 180°C rolling water-quenched alloy were also improved by the presence of β″ phase. Above 420°C, the effect of solid-solution hardening on the mechanical properties of the rolled alloys increased with increases in rolling temperature.     

高导电率圆铝杆连续铸挤成形技术实验研究

为制备高导电率电工圆铝杆,采用连续铸挤技术制备了直径9mm圆满铝杆,借助光学显微镜、材料电子拉伸试验机和双臂直流电桥研究了连续铸挤成形圆铝杆的微观组织、力学性能和导电性能.结果表明,连续铸挤成形技术可制备组织、性能优良的高性能电工圆铝杆.当浇注温度为730℃,铸挤轮转速为15r/min,挤压出口杆温度为500℃,成盘杆空冷至室温时电工圆铝杆的力学性能和导电性能优良,拉伸强度为90.4～95.2MPa,伸长率为21.1%～22.1%,电阻率为27.09～27.20nΩm,为生产高导电率电式圆铝杆开辟了新途径.     

聚合双酸铝铁-次氯酸钙联用处理淀粉废水的研究

采用聚合双酸铝铁和次氯酸钙联用处理玉米淀粉废水,研究了聚合双酸铝铁投加量、次氯酸钙投加量、pH值及温度对废水处理效果的影响.实验结果表明,当聚合双酸铝铁投加量为0.6 g/L,次氯酸钙投加量为6 g/L,搅拌后静置120 min,水样COD去除率为74.55%,处理后水样清澈透明,pH值6～7.     

利用铝灰制备聚合氯化铝工艺参数的优化

以铝灰为原料,用一步酸溶法制备高效无机高分子的多价聚合电解质混凝剂聚合氯化铝.研究了铝灰、HCl、水三者配比,以及反应温度、反应时间、熟化温度、熟化时间、搅拌速度等参数对聚合氯化铝的性能影响,确定了制备聚合氯化铝的最佳工艺条件：初始加水量为15 mL,酸水比为1,投加量3 g,反应时间2 h,反应温度85℃,熟化时间48 h,熟化温度50℃.氯化铝的质量分数由原生产工艺的6%~8%提高到现在的12%~14%.     

硬铝LY11的SPF/DB工艺试验研究

采用浸镀锌法,调整预处理后 Ｌ Ｙ１１ 合金表面的氧化状态;在大气环境、无中间合金条件下进行了超塑成形／ 扩散连接（ Ｓ Ｐ Ｆ／ Ｄ Ｂ） 试验,并探讨了其连接机理结果表明,覆盖于连接表面的锌元素,在 Ｓ Ｐ Ｆ／ Ｄ Ｂ 过程参与了金属间互扩散实现了无保护气氛条件下的超塑变形／ 扩散连接在４４０ ℃／５０ Ｍ Ｐａ／４ｈ 条件下获得较好的连接效果,拉伸试样在母材处断裂扩散连接机理为通过原子扩散实现连接界面的迁移;回复和再结晶引起原始连接界面的消失