含碳球团生产海绵铁的研究

研究了含碳球团直接还原的金属化率与还原时间、温度和气氛之间的关系,并得到含碳球团生产海绵铁的工业参数。     

用光反射测试方法检测的硅抛光片和外延片表面的图谱

利用检测半导体硅抛光片及硅外延片表面缺陷的光反射法（魔镜法）［1］,观测到了二十余种硅抛光片及硅外延片表面缺陷的图样．本文报道了部份图样．     

用铁砂研制铁氧体电波吸收材料

以铁砂为原料制备一种尖晶石型铁氧体电波吸收材料,在７－１２ＧＨｚ范围,发现有两个吸收峰,吸收量在９－１３ｄｂ;将铁氧体吸收体和铁砂吸收体组成复合电波吸收材料,亦有两个吸收峰,一峰向低频区偏移,吸收量增至１４．５ｄｂ;以复合吸收体为基础材料,在其中添加六角铁氧体和稀土元素,可改变吸收峰位置,提高吸收量,最大可达２７ｄｂ。     

G-m界面断裂对灰口铸铁力学行为及性能的影响

用扫描电镜原位观察技术,发现拉伸早期形成的Ｇ－ｍ界面断裂并不是直接连续扩展成主裂纹,而是逐步再生许多界面裂纹,其间基体韧带缩小而形变裂开将界面裂纹连接起来这些过程局限在裂开前主裂纹及其近邻处很窄的微带区内进行在断口或表面裂纹中,Ｇ－ｍ界面断裂占绝大部份,基体韧带的穿晶断裂只占很少基此对灰口铸铁中石墨与性能关系提出了新的解释     

纳米结构硅研究的发展动态*

本文综合归类了目前制备纳米结构硅的主要方法：等离子体化学气相沉积．激光诱导化学气相沉积和热蒸发法（制纳米晶硅）及电化学腐蚀法（制多孔硅）,给出各种方法的典型参数及其对纳米硅结构的影响,分析了纳米硅结构特征,比较分析了各种方法制备的纳米硅的光学性能,如光学能隙Ｅｏｐｔｇ,光致／电致发光谱峰位波长、半高宽及影响因素等,并对纳米硅研究的发展前景进行展望．     

锑—铁合金电沉积的研究：Ⅱ.方波电位法的应用

利用方波电位法在合金镀液中电沉积锑和锑合金的复合镀层,并用扫描电镜进行镀层的综合性能检测。实验结果表明,在合适的电镀参数下可以镀层结合力好,晶粒细致紧密,光亮平滑,具有中等硬度和一定厚度的复合镀层。     

化学法清洗硅片过程中清除颗粒的机理(英文)

对化学法清洗硅片过程中消除颗粒的机理作了定量的探讨。颗粒的清除是由于化学蚀刻和颗粒与表面排斥力共同作用的结果。首次提出了最浅蚀刻深度和最小蚀刻速度的概念。最浅蚀刻深度可通过颗粒与表面间作用能的关系进行计算。是小蚀刻速度则可通过蚀刻侧形进行计算。研究结果对于优化化学法清洗过程和设计高性能清洗液都具有重要意义。     

抗磨贝氏体球铁的裂纹形核与扩展

采用压痕法及扫描电镜观察,研究了抗磨贝氏体球铁中裂纹的形核与扩展。实验结果表明,裂纹主要在石墨─基体界面形成,其次在碳化物─基体界面形核。裂纹在石墨─基体界面和碳化物─基体界面的形成机制不同,裂纹优先沿界面扩展。并从热力学的角度对其进行了分析。     

Mg-Cu-La三元非晶合金形成范围的热力学预测

基于分析有利于合金非晶化的热力学因素，从非晶形成的热力学观点出发，综合应用Miedema理论和Toop模型，并考虑纯金属在不同温度下的自由能，在此基础上提出了一种定量预测三元非晶合金形成范围的方法：通过比较晶态的自由能和相应非晶态的自由能来确定成分范围．用该方法计算Mg—Cu—La三元合金系的非晶形成范围，并与已有的实验数据进行比较，发现二者符合得较好．该方法对于定量预测二元及三元甚至是多元合金系非晶形成范围将有一定的指导意义．     

氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态

研究了不同温度氮化烧成后,硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态.结果表明:1300℃氮化后,硅的外层包裹着絮状的O'-Sialon;1400℃时,硅颗粒破裂且内部有氮化硅生成;1 500℃时,已没有残留硅保留下来,硅氮化生成了O'-Sialon和氮化硅;1 600℃时,硅氮化完全,其中的杂质相CaO,Fe2O3等富集在一起.