Dielectric properties of spark plasma sintered AlN/SiC composite ceramics

In this study, we have investigated how the dielectric loss tangent and permittivity of AlN ceramics are affected by factors such as powder mixing methods, milling time, sintering temperature, and the addition of a second conductive phase. All ceramic samples were prepared by spark plasma sintering (SPS) under a pressure of 30 MPa. AlN composite ceramics sintered with 30wt%–40wt% SiC at 1600℃ for 5 min exhibited the best dielectric loss tangent, which is greater than 0.3. In addition to AlN and β-SiC, the samples also contained 2H-SiC and Fe₅Si₃, as detected by X-ray difraction (XRD). The relative densities of the sintered ceramics were higher than 93%. Experimental results indicate that nano-SiC has a strong capability of absorbing electromagnetic waves. The dielectric constant and dielectric loss of AlN-SiC ceramics with the same content of SiC decreased as the frequency of electromagnetic waves increased from 1 kHz to 1 MHz.     

Sol-gel水热偶合法制备纳米AlOOH及其表征

以AL2（SO4）3为原料，在pH值为3．5，溶胶浓度为0．3-0．5mol/L，分散剂0．3％，温度为80℃的条件下，胶溶4h，后经5h100-150℃的水热处理，制得平均粒度小于70nm的AlOOH；用TEM、X射线衍射、TG-DTA对样品进行了表征，并研究了不同介质、不同pH、不同分散剂用量对分散性能的影响。     

铟锡氧化物导电玻璃上高氮含量氮化碳薄膜的电化学沉积及其性能研究

在铟锡氧化物导电玻璃基底上,采用二氰二胺(C2N 4H4)的乙腈饱和溶液电化学沉积高氮含量的CNx薄膜.X射线光电子能谱(XPS)分析表明,薄膜主要由C,N组成,最高nN/nC=1.22(接近C3N4中氮与碳的化学计量数比1.33).傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明碳和氮主要以C-N, CN 的形式形成共价键.样品具有较宽的带隙,在50 ℃,1 250 V下得到的薄膜样品的光学能隙为2.32 eV.实验结果表明,电压在1 000～1 300 V、温度在30～50 ℃时能得到氮含量较高的薄膜.     

铝电解中的阴极过程

对铝电解中的阴极反应、阴极过电压、阴极表面的双电层结构等阴极过程进行了研究,发现在+005～-005V(相对于铝阴极)电位区有一个还原电流峰和一个氧化电流峰,它们是Al3++3e→Al和Al-3e→Al3+·与阳极相比,阴极过电压较小,在001～3A/cm2的Taffel区,约为01V·在阴极表面的双电层中,第一层为Ca2+,Mg2+,Li+和Al3+离子,没有Na+离子,这说明,阴极过电压是因为Mg2+,Ca2+等离子形成的电化学双电层阻力所引起,同时也说明别略耶夫猜想基本是正确的·     

铝带连续铸轧工艺的现状及研究进展

介绍了铝带坯连续铸轧工艺的特点及连续铸轧过程中面临的关键问题，结合国内外研究现状，展望了连续铸轧技术的发展趋势。     

Synthesis of aluminum nitride in a coke-calcium reduction bed using nitrogen in air

An experimental study on the heating of a mixture of aluminum and lithium hydroxide (LiOH) powders in a reductive bed under air atmosphere is reported. The formation of aluminum nitride (AlN) during this process was the focus of this study. The formation of AlN was achieved using LiOH as an additive and heating the sample in a resistance furnace in a specially designed double crucible within a bed of a mixture of coke and filamentous calcium. The temperature range of the reaction was between 700°C and 1100°C. The optimum tem-perature of 1100°C and the optimum LiOH amount (5wt%) required to achieve maximum yield were determined by powder X-ray diffrac-tion (XRD) analysis. Scanning electron microscopy (SEM) micrographs clearly indicated the transformation of grain structures from rods (700°C) to cauliflower shapes (1100°C).     

氟化铝对镁铝尖晶石晶相结构及性能影响的研究

用铝型材厂阳极氧化废渣和碱式碳酸镁((MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O)为主要原料固相烧结合成镁铝尖晶石(MgAl2O4),探讨氟化铝(AlF3)矿化剂对合成的MgAl2O4晶相结构、晶胞参数及微观形貌的影响.用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)及相关分析软件等表征得到MgAl2O4.结果表明,添加AlF3的各样品都形成2种晶相:镁铝尖晶石固溶体(Mg0.68Al0.32)(Al0.84Mg0.16)2O4和镁橄榄石固溶体Mg1.81Fe0.19(SiO4).确定2%(质量分数)为最佳添加量,此时试样中MgAl2O4固溶体含量最高为95%,体积密度最高为3.44g·cm-3,显气孔率最小为1.89%,抗弯强度达到151.9 MPa.     

2014年诺贝尔物理学奖解读

 本文从半导体科学技术研究与诺贝尔物理学奖的渊源出发,详细解读了2014 年诺贝尔物理学奖成果"高效GaN 基蓝光发光二极管"的研究背景、核心创新内容、科学意义和应用价值,分析了氮化物宽禁带半导体的发展趋势。文章从3 位诺贝尔物理学奖获得者的研究历程、诺贝尔评奖委员会的评奖标准等视角,探讨了2014 年的诺贝尔物理学奖对我国物理学科建设、如何看待应用物理研究与基础物理研究的关系以及对成果评价标准的启示和借鉴价值等问题。     

铝对植物种子根生长影响的研究

以水稻、小麦和南瓜为材料，研究了Ａｌ对植物种子根的影响。植物种子根在不同浓度的单纯ＡｌＣｌ３溶液中连续培养７２ｈ以后，其生长变化的结果表明：水稻和小麦在Ａｌ溶液中，当浓度为１．０×１０（－６）时，种子根生长就受到明显抑制，种子根长度受抑制率在６５％以上；而南瓜的种子根则在１０．０×１０（－６）Ａｌ溶液中才出现显著的受毒害症状。但是三种植物种子根活力在培养溶液Ａｌ浓度仅为０．４×１０（－６）时，就出现极为显著的下降，这反映了植物根系活力的生理指标对Ａｌ的反应比植物根系形态指标更为敏感。     

电磁分离铝熔体中夹杂颗粒运动的模拟计算

根据电磁流体力学(MHD)的基本理论,建立了在采用矩形电磁线圈和工频电源的条件下电磁分离铝熔体中夹杂颗粒的体积力、颗粒运动速度等数学模型·模拟计算结果表明,电磁体积力越大,分离力越大,夹杂颗粒运动速度越快;夹杂颗粒的粒径越大,颗粒运动速度越快;粒径大于30μm的夹杂颗粒运动速度较快,容易用电磁方法分离,粒径小于10μm的夹杂颗粒运动速度较慢,难分离·