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661.
随着战场电磁环境日趋恶劣,考核武器装备在强电磁场环境条件下适应性的技术需求变得越来越高.采用大电流注入等效替代连续波强场电磁辐射研究中,电流注入探头带来的影响是不可回避的.对非线性互联系统实现注入等效替代辐射实验方法进行了分析,介绍了关键器件大电流注入探头以及其等效电路模型.通过理论分析和实验验证发现辐射实验时不放置大电流注入探头对等效产生的误差不可忽略,需保证辐射和注入两种条件下等效电路相同.进一步对所用探头性能进行了测试,在150 MHz频点时,随着注入功率增大至60 W时,探头注入与输出线性误差高于12%,因此在高功率注入等效替代强场电磁辐射实验时,注入探头自身性能会对等效产生影响. 相似文献
662.
某些西方经济学文献在运用数学建模进行论证分析时,由于没有理清一些数学变量关系在经济上的含义,从而造成逻辑混乱或数学工具的错用,并由于其一定的隐蔽性,可能对读者造成相当程度的误导.首先分析国内颇具影响的文献[1]中两个数学模型中的推导问题,一个是关于要素供给模型的构建和推导,另一个是关于一般均衡条件的推导.然后指出文献[2]中一个严重的数学错误,在分析其错误根源的基础上,一并给出了相应的解释和修正. 相似文献
663.
在完全市场下,考虑基于随机参考点的带有下限约束的证券组合投资问题.利用等量代换,将随机参考点等价转化为另一损失厌恶水平下的固定参考点,进而应用鞅方法求解固定参考点下的模型,给出损失厌恶投资者的最优财富过程和最优投资策略的解析表达式. 相似文献
664.
665.
运用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法,研究了第Ⅴ主族原子(P,As,Sb)替位掺杂条件下不同中心半导体沟道长度的GeSe纳米电子器件的整流特性.结果表明,第Ⅴ族原子局部替位掺杂的扶手椅型GeSe纳米带在中心半导体沟道5.1 nm长度范围内,在正偏压下不同中心半导体沟道长度的扶手椅型GeSe纳米带电流随着电压的增大而增大;在负偏压下当中心半导体沟道长度从1.7 nm增加至3.4 nm时,电流不随电压的变化而变化,继续增大中心半导体沟道长度,电流大小接近于0,器件呈现显著的整流特性. 相似文献