求Ramsey数最优下界值的递归算法

要确定每个具体的Ramsey数的数值是相当困难的,至今人们只求出了为数很少的几个Ramsey数的数值.人们在研究Ramsey数性质的同时,也在估计Ramsey数的数值,得出了某些Ramsey数的下界值,但工作进展缓慢.本文提出了一种计算Ramsey数最优下界值的递归算法,该算法利用当今关于Ramsey数的最新结果,能得出Ramsey数的目前最优下界值.1 算法描述不妨将本算法定名为G,参数个数为1个以上(可变化),算法允许递归调用,其输出值为Ramsey数的目前最优下界值.C(k_1,k_2…,k_n)表示以k_1,k_2…,k_n作为输入,通过算法G所得到的输出结果,即C(k_1,k_2…,k_n)表示的是G算出的Ramsey数N(k_1,k_2,…,k_n;2)的目前最优下界值,其中N(k_1,k_2…,k_n;2)的含意与文献[2]中有关含意相同.算法G:     

过程控制中计算机图形信息压缩存贮和图形滚动方法

对工业生产过程控制和管理中的计算机图形显示,提出一种压缩存贮和滚动的新方法。新方法的实施,可使图形数据占用的存贮空间减少约80％,一般地不需使用外存,从而大大提高了显示速度,解决了普通微型机存贮空间和显示速度之间的矛盾,有效地提高了普通微机的功能/价格比。所提出的方法均经工程实践检验过,效果良好。     

HoBa2Cu3Ox的超导电性

通过交流磁化率和X-ray衍射分析，对用固态反应法制备的HoBa2Cu3Ox超导体的超导电性进行了研究．实验结果表明：随淬火温度的升高．由正交相(123相)向介于正交和四方相之间的过渡相变化；超导转变温度Tc(0)(零场下)从90K降到38．5K；交流磁化率虚部峰值温Tp(H)随附加直流磁场的增加而降低，Tp与Hdc之间的关系偏离[1一Tp(H)／丁(0)]∞H^2/3规律．     

一类新型双杂环衍生物的合成及其杀菌活性

三唑并嘧啶类杂环衍生物由于其分子结构中同时包含了三唑及嘧啶这两类重要的活性结构单元 ,因而往往表现出广泛的生物活性[1～ 4] ,既可以用于医药 ,也可以用于农药 .因此 ,近年来关于三唑并嘧啶类衍生物的合成及其生物活性的研究受到了人们的广泛关注 -二甲基 - 1 ,2 ,4-三唑     

The General Machining Process Simulator GMPS

Ｔｈｅ　Ｇｅｎｅｒａｌ　Ｍａｃｈｉｎｉｎｇ　Ｐｒｏｃｅｓｓ　Ｓｉｍｕｌａｔｏｒ　ＧＭＰＳＸｉａｏＴｉａｎｙｕａｎ，ＹａｎｇＧａｎｇ＆ＬｉＸｉｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｕｔｏｍａｔｉｏｎ，ＴｓｉｎｇｈｕａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｂｅｉｊｉｎｇ，Ｃｈｉ...     

Introduction to Ant Colony Algorithm and Its Application in CIMS

Ant colony algorithm is a novel simulated ecosystem e volutionary algorithm, which is proposed firstly by Italian scholars M.Dorigo, A . Colormi and V. Maniezzo. Enlightened by the process of ants searching for food , scholars bring forward this new evolutionary algorithm. This algorithm has sev eral characteristics such as positive feedback, distributed computing and stro nger robustness. Positive feedback and distributed computing make it easier to find better solutions. Based on these characteristics...     

互补问题中Gauss-Newton方法全局收敛性的推广(英文)

研究了由Subramamian为求解互补问题提出的阻尼Gauss-Newton方法的收敛性质，在较弱的条件下，给出了一个全局收敛效果，这个结果是Subramanian PK (1993)和（1997）中相应结果的一个推广。     

一种最短路径的演示算法

根据最短径问题的理论 ,编制了一个最短路径问题的演示算法 ,文中给出了合理的存储结构及主要算法 ,本算法与教材中的算法不同 ,更好地体现了迪杰斯特拉思想     

I_3─半群是幂零的若干充要条件

本文通过半群的代数理论给出了Ｉ＿３—半群是幂零的若干等价条件，并且导出几类是幂零的Ｉ＿３－半群     

改性钛酸锶陶瓷电容器

采用溶胶凝胶法在一定条件下合成组成为0．91SrTiO_3＋0．09（Bi_2O_3·3TiO_2）的高纯、超细陶瓷粉料。该粉料添加PbO．Li_2O,Cs_2O等物质．可制成高质量改性SrTiO_3电容器材料。用此法制备的电容器材料可大大地降低合成温度，经改性后可使其烧结温度展宽，并具有较为理想的介电常数和介电损牦。