图的最大亏格与面度

利用图在曲面上的嵌入特征,特别是面的度的大小,研究图的最大亏格的下界.     

与路正交的 (0,f)-因子分解

文章证明了，若G是（0,mf-m 1)-图，H为G的具有m条边的路，则G有（0,f)因子分解与H正交。     

简单图含有完全子图的一个充分条件

从生活中的一个问题出发,运用图论知识进行了分析,得到了结论,并且对结论进行了推广 得到了在一般情况下简单图含有完全子图的充分条件 并且,在度数要求方面,这个结果是最佳可能的     

复杂电路中独立回路选择的新方法

利用图论思想方法,讨论了复杂电路中独立回路的选择,提出了断圈、避圈选择独立回路,使用实践表明:此方法适用于任何复杂电路的独立回路的选择.     

螺烯化合物邻接矩阵特征根与电离能的关系

考虑分子图顶点的性质,用分子拓扑学方法构建螺烯化合物新的邻接矩阵.研究发现新的邻接矩阵特征根与螺烯化合物的电离能有良好的相关性:Ipi(eV)=4.514 2.952OMOi,R=0.9897,s=0.154,n=129.用该方法计算共轭多环芳烃分子轨道能级,简便、无需占用大量机时.图1,表4,参11.     

利用相量图辅助正弦稳态电路分析

正弦稳态电路分析往往要采用相量法,在分析过程中若能灵活运用相量图为辅助工具,则能为问题的解决提供简洁的思路。     

关于图的Ramsey数的几个下界

推广了3个C4对完全图的R am sey数下界以及一个经典R am sey数下界问题,得到了3个C4对完全图的R am sey数的线性下界,以及一个关于多项式的经典R am sey数下界.     

变更图的边添加

证明了:对任何整数t≥6和d≥2,从一条长为d的简单路通过添加t条边后得到的图的最小直径上界为[d-2/t 1] 2,如果d∈J'(t,k)={2k(t 1) 1,2k(t 1) 2,2k(t 1)-t 1}∪{2k(t 1)-t h:h=6,7,…,t};其他情形为[d-2/t 1] 1.这个证明改进了已知结果,而且[d-2/t 1] 1是最好的上界.     

智能规划中互斥动作延迟算法

为解决扩张规划图时某一时间步出现的互斥动作的延迟问题，引进了无序要求互斥动作和有序要求互斥动作的概念，并且在此基础上，给出互斥动作延迟算法．利用这一算法生成的规划图，在进行有效规划的搜索时是非常方便的．     

进位反馈移位寄存器状态图分布的进一步研究

进一步研究了以奇数q为连接数的FCSR的所有q 1个周期状态的状态图的圈长和计数问题，使得FCSR的状态图分布与LFSR的状态图分布一样清晰。