980 nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计

对980 nm应变量子阱激光器的外延层工艺参数进行优化设计。通过理论计算和软件模拟相结合的方法,优化了量子阱的结构,研究了波导层、包层中的Al组分对量子阱激光器效率的影响。根据优化结果,采用金属有机化合物化学气相淀积（metal organic chemical vapor deposition, MOCVD）技术外延生长了激光器的材料,并进行测试。测试结果表明,在室温下,当工作电流为1 A时,阈值电流为150 mA,斜率效率为0.48 W/A（采用150 μm×500 μm,未镀膜器件）,输出功率为400 mW。     

真空电弧沉积簿膜厚度分布计算

该文从离子电流密度空间分布函数的角度出发，针对自由电弧沉积和磁场控制电弧沉积两种情况，分别提出了单斑点和多斑点计算模型，进行了平面基片上真空电弧沉积的金属薄膜厚度分布的计算。计算结果表明，自由电弧沉积的膜厚分布曲线存在峰值现象，而磁控电弧沉积的膜厚分布曲线可使该峰值现象得到消除；同时，磁控电弧沉积的膜厚分布均匀性与阴极半径和基片配置距离密切相关，当两者比值选取适当时，可获得较均匀的膜厚分布；旋转基片上所获得的膜厚分布均匀性较之静止基片上获得的膜厚分布均匀性要好。理论计算值与实验测量值吻合。     

铧厂沟金矿床成矿热力学条件及金的迁移和沉淀

铧厂沟金矿床属热液蚀变细碧岩型金矿床。本文运用包裹体地球化学和热力学方法，研究了该矿床形成的物理化学条件以及金的迁移形式和沉淀机制。结果表明，金的成矿作用主要发生在中温（２０５～３２０℃）、中低压（２５．３３～４５．６０ＭＰａ）、中等盐度（１０．３％～１２．９％）、弱碱性（ＰＨ＝５．９４～６．０５）、较强还原（Ｅｈ＝─０．２４～─０．５４ｖ）条件下。金主要以Ａｕ（ＨＳ）￣－＿２形式迁移，而促使金沉淀的最主要机制是还原硫活度的降低。     

俄歇电子能谱仪系统及其对铜快离子导体的表面研究

介绍了一台用于表面分析的饿歇电子能谱仪(AES)系统。用该系统研究了铜快离子导体CuI-Cu_2O-MoO_3-P_2O_5在AES的探针电子诱导下铜沉积的规律;并发现在这种样品表面,部分氧在电子轰击过程中被蒸发而减少,总的二次电子发射电流由于铜沉积在样品表面上面随电子轰击时间迅速改变。     

常压化学气相淀积非晶态硅薄膜的光电特性研究

本文研究了以SiH_4为气源,常压下化学气相淀积(APCVD)非晶态硅薄膜的光电特性及工艺参数的影响。通过与辉光放电a-Si:H膜的光电特性的比较,分析了APCVD a-Si膜的带隙结构和导电机理。     

浙西桐庐县桐君山下志留系安吉组风暴沉积

浙江西部桐君山剖面下志留系安吉组可确认出一套浅海风暴沉积,发育三种不同类型的风暴层序,其中包含盆内泥砾、丘状层理、反递变层理及其他沉积构造。在正常和风暴波基面之间的地带,其中部风暴层序发育最佳,由此向海向陆均趋简单化。风暴砂层是由振荡流、风暴流、推移质和悬移质共同作用形成的,并且是由异地沉积而不是残留砂改造而成。     

喷射沉积金属基颗粒复合材料的研究

对喷射沉积金属基颗粒复合材料的工艺过程及其主要影响因素进行了分析,对制得的复合材料进行了结构观察和性能试验,对喷射沉积凝固特点进行了讨论。试验结果表明,采用该工艺制取金属基颗粒复合材料,能够克服传统方法的某些不足,增强颗粒在基体中呈弥散分布,无凝固偏析。与基体合金比较,复合材料硬度有较大提高,且具有优良的耐磨性。     

化学镀Ni-Mo-P合金及其在5%NaCl溶液中的耐蚀性能

对自酒石酸盐-乳酸为络合剂体系的镀液中制得的Ni-Mo-P合金镀层的参数、结构及元素分布进行了研究。用静态浸泡失重法、中性盐雾试验、孔隙率试验和腐蚀电化学测试法等对此合金镀层在5%NaCl溶液中腐蚀性能进行了测试。结果表明,此合金镀层耐蚀性优异,镀层中Mo/P此为8时,有最佳耐蚀性。用XRD、XPS、AES及电化学法对合金耐蚀机理进行了研究。结果表明,合金结构的非晶态性和合金表面易生成耐蚀性优异的钝化膜,是分别使不同成分合金镀层耐蚀性优异的重要原因。     

化学气相淀积反应器中超细粒子的形态控制 Ⅲ.TiO_2超细粒子晶体组成

在超细粒子粒度及粒度分布控制模型的基础上,对快相变速率和慢相变速率两种晶型转变情形,建立了化学气相淀积合成超细粒子过程中,表征超细粒子晶体组成及含量的物理模型和数学模型。利用该模型探讨了物系参数和操作参数对超细粒子晶体组成的影响,理论预测和实验结果相一致。