巨磁电阻的若干问题

本文综述了各向异性磁电阻(AMR)．巨磁电阻(GMR)，特大磁电阻效应(CMR)以及隧道磁电阻效应(TMR)的实验结果及理论模型     

正交各向异性圆薄板大挠度问题

本文引入载荷分布函数使复合载荷依单参数变化，并选取平均挠角作为单一的位移摄动参数，给出了在均布载荷和中心集中力联合作用下边缘可移夹支正交各向异性圆薄板大挠度问题的摄动解，并讨论了中心点挠度为零的情况。     

混晶法制备高亮度蓝色SrS∶Ce薄膜

以ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜，研究了新制备ＳｒＳ∶Ｃｅ膜的光致发光（ＰＬ）性能和它的电致发光（ＥＬ）器件的电致发光性能，并与直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ粉末制备的薄膜进行了对比．测量了它们的Ｘ射线衍射谱、ＰＬ激发光谱和发射光谱以及电致发光器件的ＥＬ光谱，结果表明混晶法制备的薄膜比直接法好，ＺｎＳ的引入弥补了在ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜中Ｓ的不足，且避免了在直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ材料蒸发过程中Ｓ气氛对环境的污染．     

压电陶瓷矩形薄板振子的弯曲振动研究

在矩形薄板四边自由及简支两种边界条件下，导出了振子共振频率方程的解析表达式，研究了弯曲振动压电陶瓷矩形振子共振频率与其振动模式、几何形状及尺寸之间的相互关系．矩形截面压电陶瓷细长棒的弯曲振动以及细长条矩形振子的条纹模式弯曲振动，可以由本文理论直接导出．实验结果表明，振子弯曲振动共振频率测试值与理论值符合较好     

Polishing technology of surface for diamond film using the method of laser ablation

Conclusion Good unity in thickness and a smooth surface of diamond film are obtained by using the methods of laser ablation and machine grind to the surface of diamond film. Compared with the machine polishing method, the polishing rate increased by over 10 times. After laser ablation and machine polishing, the thickness change and the roughness of a diamond film with 400 μm thickness and 1 cm² area are 10–15 μm and 0.05 μm, and this film is basically suitable to using in electronics.     

激光焦斑分析系统

介绍了激光焦斑图象的二维微机分析方法与系统。根据CCD的特性建立了焦斑图象的灰度与胶片上黑密度之间的转换关系;并根据胶片的物理特性及成象系统对激光能量的衰减系数,推导出计算产生焦斑的激光能量的计算式以及胶片反差系数的计算公式。并详细地讨论了利用各种焦斑图象构成一具有完整激光能量信息的图象(即焦斑嵌套)的意义和方法。文中还对胶片本底灰雾的影响进行了讨论并给出了解决办法。     

MOVPE生长不掺杂薄GaAs层线偏振光吸收系数和折射率的电流感生变化

本文报道研究MOVPE技术生长微米量级不掺杂薄GaAs层的线偏振光吸收系数电流感生变化(△α)和折射串电流感生变化(△n)的实验结果。发现通有电流的薄GaAs层内△α和△n值随光波长(λ)呈脉冲线型非线性变化。电流增加,△α,△n和脉冲线型函数的半极值全宽值都明显增大,而△α-λ谱和△n-λ谱的峰值对应的λ_p值明显移向长波端。不掺杂薄GaAs层内电流感生的这种光学非线性效应,对了解具有多薄层结构的电流注入型半导体光电子器件和集成光学元件的物理机制,设计和改进器件性能具有实用参考价值。     

太阳光控薄膜的研制

利用光控膜对太阳光透过或反射的选择性,借以改善节能建筑热光性能,获得舒适的环境.同时通过该光控膜彩色反射作用增加美感,这是近年来发展起来的一项技术.制备这些光控膜的工艺方法很多,如真空蒸发、溅射浸渍、喷涂热解及化学沉积等.光控膜可直接沉积在玻璃上,也可以沉积在塑料聚酯膜上,再粘到玻璃上.实际应用中要求     

聚丙烯薄膜辐射后生成电子陷阱的实验研究

本文详细地研究了聚丙烯薄膜受到高能电子束辐照以后介质电性能的变化,利用不同吸收剂量下相应的热刺激电流直接地表征了介质中的陷阱密度随吸收剂量的变化.实验结果表明,在本文所研究的吸收剂量范围(1×10~3Gy～1×10~5Gy)内,辐照在薄膜中引起的电子陷阱密度随吸收剂量的增加迅速增大,介电常数与吸收剂量无关,介质损耗角正切随吸收剂量增加而升高.进一步分析表明,薄膜性能的这些变化主要是由氧化作用、辐射交联、辐射裂解所引起的.根据实验结果,本文提出了聚丙烯薄膜应用的吸收剂量宜限制在<1×10~4Gy的范围内.