快速沉积的金刚石薄膜生长特性

本文研究了用直流电弧等离子体喷射法快速沉积的金刚石薄膜的生长特性,并与用热解CVD法沉积的金刚石薄膜生长特性做了比较。     

外推长度对铁电存储材料BaTiO_3薄膜极化分布的影响

基于朗道-德文希尔（Landau-Devonshire）平均场热力学理论,计算并阐述了在非对称的边界条件下外延生长的铁电存储材料BaTiO3薄膜的极化特性,特别研究了外推长度在薄膜由顺电相到铁电相的相变中所表现出来的重要作用,得出铁电薄膜的极化特性及其分布强烈地依赖于外推长度的取值,揭示了外推长度在铁电薄膜的铁电相变中的物理本质.     

粉末ZnS样品的高压原位阻抗谱研究

采用高压力下的原位阻抗谱测量技术,研究了晶界对粉末ZnS电阻的影响.数据分析结果显示:在11 GPa处,ZnS粉末的电阻主要是由于晶界引起的.对于岩盐相的ZnS,其残余电阻也是来自于晶界的影响.在14 GPa处,阻抗谱由双半弧变成一个椭圆型半弧对应于ZnS粉末的高压相转变.     

高密度磁记录纳米颗粒膜磁性的蒙特-卡罗模拟

用蒙特－卡罗方法对Co-C和CoPt-C纳米颗粒膜的磁特性进行模拟研究。模拟中，假设磁性颗粒为球形、单畴，易轴随机取向。对包含hcp结构、直径为3nm的Co颗粒的Co-C膜给出了湿度从3K到300K的磁滞回线，超顺磁驰豫的截止温度约20K；对包含fct结构CoPt的CoPt-C膜给出了300K时平均颗粒尺寸从4nm到6nm，对应于不同尺寸分布下的磁滞回线。模拟显示，由于fct结构CoPt-C有特大的各向异性，因而具备超高的矫顽力，可以满足超高密度磁记录的需要。以上模拟的结果与Co-C颗粒膜和CoPt-C颗粒膜的实验结果一致。     

反应溅射制备MoO3薄膜及其电致变色响应时间研究

在Ar和O2气氛下采用直流反应溅射沉积了MoO3薄膜,样品制备过程中改变薄膜沉积气压,保持其它参数不变,研究了沉积气压对其电致变色性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、傅里叶红外透射光谱(FTIR)对薄膜的结构进行了表征.采用分光光度计研究了MoO3薄膜的电致变色性能,通过电致变色动态测试对样品...     

微波等离子体CVD金刚石薄膜的显微结构

用扫描电镜（ＳＥＭ）和透射电镜（ＴＥＭ）对６种微波等离子体ＣＶＤ金刚石薄膜的表面形貌和显微结构进行了研究，结果表明：在金刚石晶粒长大过程中，（１１１）面方向长大时产生密度很高的微挛晶缺陷，而（１００）面方向长大时产生的晶体缺陷较少。     

Microstructure and optical properties of Ag5In5Te47Sb33 phase change thin films with high reflection in thermal annealing process

The microstructure and optical properties of Ag-5In-5Te 47Sb 33 phase change films with high reflection in the thermal annealing process were systematically reported. The as_deposited film is amorphous and its crystalline temperature is 160℃. The annealed films are crystalline. The crystalline phases are AgInTe-2, AgSbTe-2 and Sb when annealed at low temperature. When annealed at 220℃, the AgInTe-2 phase disappears and the amount of AgSbTe-2 is the largest. The research of electronic transmission microscopy shows that the morphology of AgSbTe 2 is sphere and that of Sb is bludgeon. The reflection of the annealed films is higher and reaches its peak value at 220℃.     

射频等离子体功率参数对硅基发光薄膜生长与结构的影响

采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)对薄膜的形貌、结构和性能进行了表征,并利用发射光谱(OES)对薄膜等离子体生长过程进行了分析.研究结果表明,随着射频功率的增加,等离子体发射光谱中Hβ谱线强度激增,薄膜的红外光谱中Si—O键在1095cm-1处振动吸收峰强度减小,Si—Si键在613cm-1处特征吸收峰强度增加,说明射频功率增加加剧了硅烷的裂解与氧化硅的还原,提高了薄膜结晶度和纳米晶粒的融合度,并降低了沉积薄膜的表面粗糙度.     

聚吡咯-聚酯透明导电复合膜的研究——Ⅰ—在水溶液中的化学合成

首次在聚酯(PET)母体中化学合成了聚吡咯(PPy),获得了性能优良的透明导电PPy-PET复合膜,详细探索了吡咯单体在PET膜中扩散时间,FeCl_3水溶液浓度、酸度以及氧化聚合温度对合成的透明导电复合膜的影响。在最佳工艺条件:扩散时间为2h,温度为0℃,浓度为10wt％,pH为1,氧化聚合时间为11h下,获得的复合膜电阻率ρ≤30Ω.cm,透射率T_r≥70％。     

CVD金刚石膜中的缺陷

研究了利用直流电弧等离子体喷射(DC Arc Plasma Jet)制备的大面积金刚石膜中的缺陷问题.研究表明:金刚石膜中的缺陷包括表面缺陷、晶内缺陷和晶界缺陷,以及由于内应力产生的金刚石膜宏观和微观裂纹.金刚石膜中的缺陷与制备工艺参数有着密切关系.