防火涂料炭质层形成及阻燃机理的研究

在高温或火焰下,涂层中的各主要组分均参与了炭化层的形成.本文借助傅立叶红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、核磁共振(NMR)和热失重分析(TGA)等分析手段对炭质层的形成过程进行了表征,并探讨了相应的阻燃机理.实验结果表明涂层在膨胀成炭过程中通过气相和凝聚相阻燃机理实现了对基材的保护作用.     

苎麻纤维环氧化合物改性研究

研制了6种不同结构的环氧化合物交联剂。对环氧化合物与苎麻纤维交联反应工艺进行了研究。改性苎麻纤维物理性能分析结果显示，交联剂质量分数、焙烘温度和时间均对苎麻纤维的改性效果有显著影响。当交联剂在3％～5％之间，焙烘温度130～140℃左右，焙烘时间3～5min左右，苎麻纤维回潮率、拉伸断裂强度及断裂伸长率有明显提高。     

等离子体方法实现金属管件内表面改性研究进展

综述了近年来国内外利用等离子体方法实现金属管件内表面强化的研究进展. 介绍了几种管件内表面等离子体源离子注入和沉积技术，并对其优缺点分别加以分析. 详细介绍了中国科学院物理研究所等离子体物理实验室先后提出的几种等离子体源离子注入方法用于金属管件内表面改性的原理、技术特点及最新研究进展. 力图展望管件内壁离子注入技术研究的发展前景.     

时/空分离光接枝技术在核孔膜表面改性上的应用

时/空分离光接枝技术是一种全新的光接枝方法，使用该方法可对不能直接光照到的表面进行改性。本文采用时/空分离光接枝技术对核孔膜的内、外表面进行接枝改性，实验结果表明，核孔膜外表面及孔内表面均能得到改善，并对反应机理进行了探讨。     

PMMA/TiO2纳米复合粒子的制备及初步应用研究

采用原位乳液聚合法，用经硅烷偶联剂处理过的纳米TiO₂，与MMA单体混合，合成PMMA/TiO₂纳米复合粒子。探讨了TiO₂表面改性机理， 并用TG、IR、DSC等对产物进行了表征，表明纳米TiO₂被包覆在聚合物PMMA中。将复合粒子加入紫外光固化涂料，制得复合涂膜。由原子力显微镜照片分析，制备的PMMA/ TiO₂复合粒子平均粒径约为75nm。分别在涂膜中添加等量的纳米TiO₂和PMMA/ TiO₂纳米复合粒子，制成两张复合涂膜，比较发现PMMA/ TiO₂纳米复合粒子在涂膜中的分散情况优于纳米TiO₂，呈现良好的纳米级分散，明显改善了TiO₂与涂膜的相容性，从而提高了涂膜的硬度及涂膜与基材的附着力。     

塑料－玻璃粘接用UV固化胶粘剂的性能

探讨了活性单体、预聚体及偶联剂对UV固化胶粘剂的粘接强度、体积收缩的影响，结果表明，极性单体A、偶联剂B的加入有利于提高胶粘剂的粘接强度，芳香族聚氨酯预聚体胶粘剂体系的粘接强度较高，活性单体官能度越高，体积收缩越大。所研制胶粘剂的剪切强度可达5.98MPa，体积收缩为3.67％，在可见光区透光率为97％，玻璃化转变温度为88.02℃。     

不同离子对氧化锌晶体形貌的影响

以不同Zn盐Zn(CH3COO)2.2H2O,ZnCl2,ZnSO4.7H2O,Zn(NO3)2.6H2O与不同碱NaOH,KOH为原料,制得Zn(OH)42-前驱溶液,使之在水热环境下分解,生成ZnO晶体.产物通过全自动X射线衍射仪(XRD)进行物相分析,扫描电子显微镜(SEM)观测ZnO晶体的形貌和大小.170℃,溶液中的阴离子CH3COO-,SO42-,NO3-,Cl-分别与Na+构成干扰离子对,伴随着晶体生长12 h,晶体成长为片球集状、极性生长明显的花状、极性生长不明显的花状、小尺寸花状ZnO晶体;140℃,溶液中阳离子Na+,K+分别与CH3COO-作为离子对,干扰晶体生长,12 ...     

Cu(I)-桐油酸螯合物的制备及性能研究

用桐油酸与Cu 进行了络合反应研究,对络合产物进行了紫外光谱测试.分析了产物的形成机理和结构特点.对在防污涂料方面可能的应用作了性能探索,反应在106℃时所得产物具有较好的抑制藻类作用.     

Co掺杂对Zn1-xCoxO稀磁半导体光学性质的影响

溶胶-凝胶法制备了Co掺杂的ZnO基稀磁半导体,研究其粉体和薄膜的结构和光学特性.X射线衍射结果表明Co2 随机替代Zn2 位置进入ZnO晶格,并引起晶格常数的变化.紫外-可见透射光谱表明样品的禁带宽度随着Co掺杂浓度的增大呈现非单调变化规律,低浓度掺杂样品的光学带隙随掺杂浓度增大而减小(红移),这是由于Co2 替代Zn2 ,局域d电子与能带电子之间的sp-d交换耦合引起的.     

Al掺杂ZnO光学性能的第一性原理研究

本文用平面波赝势方法(PWP)计算了Al掺杂ZnO前后的光学特性,即介电函数虚部2ε(ω)并从能带结构和态密度图上解释了为什么掺Al后ZnO的光学谱在3.045、7.158、10.066、11.386和13.649eV处的峰消失了,在1.835、4.329、5.460、6.592、10.668和12.024eV处的峰值减小了,而在8.100和8.855eV处的峰值增大了的原因,并从光谱图上分析得出,掺杂后的ZnO要发生蓝移现象。