氧化铝微粉—水浓悬浮液流变行为的研究

对文题研究表明：氧化铝微粉浓悬浮液属于非聚集性微粉浓悬浮液的胀性流体,随氧化铝微粉浓度增加,临界剪切速率γｃ向低剪切速率方向移动,由于假凝出现剪切中断现象。据该微粉浓悬浮液具有的正负双触变环,表明系统既具有触变性又具有粘弹性。小振幅振荡剪切实验证明,系统粘弹性随浓度增加而增强。借助分子运动论解释了贮能模量Ｇ′和耗能模量Ｇ″与频率ω的关系。     

共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷的烧结缺陷研究

本文研究了共沉淀法制备ＺｎＯ压敏陶瓷材料烧结缺陷的特点及其对压敏特性的影响．结果表明,晶粒表面所形成的微空洞主要由ＺｎＯ的分解挥发产生,晶界的微空洞则主要是由富集于晶界处的Ｂｉ２Ｏ３分解挥发产生．并对这两类烧结缺陷的形成进行了初步讨论．     

EXAFS研究合成甲醇催化剂Cu/ZnO/AL_2O_3的制备条件

用EXAFS研究了不同制备条件对合成甲醇催化剂Cu／ZnO／Al2O3结构的影响,研究表明选择较温和的还原气氛和还原温度有利于制备高分散的Cu催化剂,在还原前较小的焙烧温度有利于制备较小颗粒的ZnO粒子,此研究表明Cu0是催化剂的主要活性组分．     

ZnO/IDT/SiO2结构声表面波传感器仿真和分析

针对现有声表面波理论模型难以分析多层结构声表面波传感器器件的缺点,利用周期性介质的矩阵本征算子模型,成功对ZnO/IDT/SiO2多层结构中IDT电极的机械特性对装置性能的影响进行了建模。基于此模型,仿真和分析了此结构装置的波传播速度、机械耦合系数等参数与波导层厚度以及电极厚度的关系。并将仿真结果得到的装置传输频率响应与试验结果进行比较,二者基本一致。     

基于麻纤维的ZnO遗态材料的模板法制备及光催化性能

为确定酸处理及浸渍时间的长短对遗态材料光催化性能的影响,使用麻纤维作为生物模板来制备氮掺杂的ZnO遗态材料。通过XRD,SEM,BET对所制备材料的成分及微观构造进行表征,测定其光催化性能。结果表明：用质量分数0.01的盐酸对麻纤维预处理3 h, ZnCl₂溶液浸渍1 h,并在600℃高温下持续煅烧3 h,所制备的遗态ZnO比表面积达到328.9 m²·g^-1,光催化性能最好,对亚甲基蓝指示剂的降解率高达94.9%。     

ZnO@PPL复合材料的实验与理论计算研究

利用水热合成法制备氧化锌(ZnO)和植物多酚(Polyphenol, PPL)复合材料,标记为ZnO@PPL。结构、光谱和电子显微镜分析表明,复合材料中ZnO的晶型为六方纤锌矿型,PPL均匀包覆于ZnO表面,形成松果状结构。选择了三种多酚模型并构建多种多酚与ZnO的络合方式,对ZnO@PPL模型进行了密度泛函理论计算,从结构和热力学反应方面探索了复合物各种异构体的稳定性。对最稳定的电子结构和激发态性质进行计算,得到的电子光谱与实验结果相符合。结构分析显示,复合材料的组分ZnO和PPL的界面作用主要由H…O_Z和O_PPL—Zn键贡献。抗紫外性能研究表明,ZnO@PPL复合材料具有优异的紫外屏蔽性能,可以屏蔽全紫外波长范围内的光。     

Mg2 掺杂ZnO薄膜制备及性能研究

通过溶胶-凝胶法,运用提拉技术在普通玻璃衬底上镀制出掺Mg2+的ZnO薄膜。通过测前驱物的热重-差热(TG-DTA)分析了前驱物的失水和分解的温度分别为100℃和280℃。采用显微照片和粗糙度照片可以看到薄膜质地均匀、致密。通过紫外-可见透射光谱(UV-VIS)可以看出掺镁ZnO薄膜的透过率在80%左右,具有较高的透过率。     

一步干磨法制备聚氯乙烯(PVC)微粉蜡

以聚氯乙烯(PVC)再生颗粒为原料,通过高能球磨法制备PVC微粉蜡.在球磨机转速500 r·min~(-1),球料质量比100?1,NaCl/PVC质量比4?1的条件下,所得产品d_(50)小于10μm.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)及热重(TG)分析技术手段表征所得样品.结果表明:球磨后样品为不规则的片层颗粒,无污染杂质引入,且PVC结构未遭到破坏.     

磁控反应溅射直接生长绒面H化Ga掺杂ZnO-TCO薄膜及其特性研究

采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上直接生长出了具有绒面结构的H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜。研究了H2流量对薄膜结构、表面形貌及光电特性的影响。实验表明,在溅射过程中引入H2明显改善HGZO薄膜电学性能,并且能够直接获得具有绒面结构的薄膜。在H2流量为2.0sccm时,所制备的HGZO薄膜具有特征尺寸约200nm的类金字塔状表面形貌,同时薄膜方阻为4.8Ω,电阻率达到8.77×10-4Ω.cm。H2的引入可以明显改善薄膜短波区域的光学透过,生长获得的HGZO薄膜可见光区域平均透过率优于85%,近红外区域波长到1 100nm时仍可达80%。为了进一步提高薄膜光散射能力和光学透过率,根据不同H2流量下HGZO薄膜性能的优点,提出了梯度H2技术生长HGZO薄膜;采用梯度H2工艺生长获得的HGZO薄膜长波区域透过率有了一定的提高,薄膜具有弹坑状表面形貌,并且其光散射能力有了明显提高。     

IWO缓冲层对MOCVD-ZnO:B薄膜性能的影响研究

金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的绒面ZnO透明导电(ZnO-TCO)薄膜应用于Si基薄膜太阳电池上能够形成"陷光结构",以提高薄膜太阳电池效率和稳定性。本文将电子束反应蒸发技术生长的掺W的In2O3(In2O3:W,(IWO)薄膜作为缓冲层,应用于MOCVD-ZnO:B薄膜与玻璃之间,可促进ZnO:B薄膜的生长,并且有效提升薄膜的光散射特性。当IWO缓冲层厚度为20nm时,获得的IWO/ZnO:B薄膜的电阻率为2.07×10-3Ω.cm,迁移率为20.9cm2.V-1.s-1,载流子浓度为1.44×1020 cm-3;同时,薄膜具有的透过率大于85%,且在550nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约9.5%,在800nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约4.5%。