粒度对纳米氧化锌与硫酸氢钠溶液反应动力学的影响

以纳米氧化锌与硫酸氢钠溶液的反应为模型体系,研究了反应物粒度对动力学参数的影响规律。结果表明:反应物的粒度对反应的速率常数、反应级数、表观活化能和指前因子均有较大的影响;随着反应物粒径的减小,速率常数增大,反应级数增大,表观活化能减小,指前因子减小,并且表观活化能与反应物粒径的倒数呈线性关系。     

CdS纳米材料合成方法研究进展

硫化镉纳米材料具有许多特异的性质,其合成方法研究近年来受到人们的青睐。硫化镉纳米材料的制备方法有固相法、液相法和气相法,对这些方法进行了综述,并展望了硫化镉纳米材料合成技术的发展前景。     

纳米ZnO的制备及其抗菌特性的研究

利用水热沉淀法,成功地制备了ZnO纳米晶超微粉末,通过XRD、TEM、IR、DTA、BET等手段对制得的粉末进行了表征,结果表明粉体粒径为40nm左右,纤锌矿结构,以球状为主,粒度分布均匀,分散性好;用抑菌圈实验法和细菌总数测定法定性、定量地考察了样品的抗菌效果和抗菌性能,结果表明样品对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌、白色念珠菌有较好的抗菌效果,当纳米ZnO在悬浮液中质量分数为2％时,抑菌率可达到99％;同时还对水热沉淀法形成纳米ZnO的机理和纳米ZnO抗菌机理进行了探讨。     

稀土Eu掺杂ZnO纳米棒的水热合成及其光学性质

采用水热法合成了稀土Eu掺杂ZnO纳米棒材料,研究了稀土Eu掺杂浓度对ZnO材料的结构、形貌和光学性能的影响。研究表明,Eu3+成功掺入到ZnO中,材料呈现纳米棒状结构且直径为15-25 nm。Eu的掺杂对ZnO材料的结晶质量和光学性能有明显的影响,随着Eu掺杂浓度的增加,ZnO材料的结晶质量明显下降,认为是杂质Eu的引入导致材料缺陷增加所致,而缺陷的改变引起ZnO材料的Eu3+红色特征发光峰增强。另外,随着Eu掺入到ZnO中,紫外峰峰位发生明显的红移现象,认为与引入新的Eu杂质能级有关。     

Field Emission Characterization of 1D-Nanostructural ZnO Grown at Low Temperature

Ondeu-ctdio rmse nhsaivoen aaltt rwaicdteed b aan gdr-egaatp d neaaln oosft uartctteunrtialon se bmeiccaounse-of their remarkable physical and chemical properties[1 ,2].Amongthose properties ,the highaspect ratio of these materi-als makes them genuine can…     

量子点敏化太阳能电池ZnO光阳极的制备及性能

先用水热法合成ZnO颗粒, 再用溶胶 凝胶法将ZnO颗粒制备成量子点敏化太阳能电池光阳极, 并通过X射线衍射(XRD)、 扫描电子显微镜(SEM)、 透射电子显微镜(TEM)、 紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和光电流密度 电压曲线分析不同厚度的六方纤锌矿型ZnO光阳极对量子点敏化太阳能电池性能的影响. 结果表明, 增加量子点的吸附面积可使ZnO光阳极的UV-Vis谱吸收带边红移, 进而提升太阳能电池的光电转换效率.     

CdS/ZnO核壳结构量子点的制备及其光学性能

通过溶胶-凝胶法制备出ZnO、CdS和CdS/ZnO核壳结构量子点的前驱体,在空气气氛下高温处理后得到壳厚度为10nm左右的CdS/ZnO核壳结构.CdS/ZnO核壳结构会导致紫外吸收边产生明显的红移.与ZnO和CdS相比,核壳结构使CdS/ZnO的激发、发射光谱都产生了明显变化,并且提高了发光强度.研究发现核壳结构会使ZnO和CdS原有的能级结构发生变化.     

正己烷在ZnO／HZSM－5上的催化活性和脉冲反应动力学研究

用浸渍法制得系列ＺｎＯ／ＨＺＳＭ－５催化剂，ＸＲＤ结果表明，当ＺｎＯ含量低于５％时，ＺｎＯ以非晶相表面层形态存在于ＨＺＳＭ－５表面，含量超过１０％时，有ＺｎＯ晶相生成．用脉冲微反技术测定了正己烷在ＺｎＯ／ＨＺＳＭ－５上的催化活性，并且测得不同温度下正己烷在ＺｎＯ（１％）／ＨＺＳＭ－５上的表观速率常数，自表观活化能和色谱法测得的吸附热，求得表面反应活化能为１５０．７ｋＪ／ｍｏｌ．     

电沉积法制备Cu_2O与ZnO反蛋白石的复合材料

通过两步电沉积法,利用聚苯乙烯(PS)微球作为模板制备Cu2O与ZnO反蛋白石的复合材料.在UV-vis谱中观察到了明显的光子禁带,而且复合材料的光子禁带随ZnO反蛋白石禁带的改变而改变.此外还研究了温度和pH值对制备Cu2O与ZnO反蛋白石的复合材料的影响.     

Zn_(1-x)Co_xO稀磁半导体的XAFS研究

利用XAFS技术研究溶胶-凝胶法制备的Zn1-xCoxO稀磁半导体材料结构随Co含量(x)的变化.结果表明在低含量的Co掺杂ZnO(x=0.02,0.05)时Co2 离子完全进入ZnO晶格中,替代了Zn2 离子,并且造成了Co2 离子周围局域结构的膨胀.当Co的含量x增加到0.10或更高时,只有一部分的Co2 离子进入晶格,剩余的Co2 和Co3 析出晶格形成Co3O4相.