磁泡材料中硬磁畴与物性的关系

利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软的第1类哑铃畴(ID),而较软的第1类哑铃畴(ID)又可以随着温度的升高转变为较软的第2类哑铃畴(IID);为3类硬磁畴畴壁结构的一致性提供了直接证据.此外,VBL的这些温度特性反映出BLM方案的不足.     

BiTiO3单品电致疲劳裂纹扩展的原子力显微镜研究

利用原子力显微镜（AFM）原位研究了BaTiO3单晶压痕裂纹电致疲劳的扩展过程，以及交变电场引起的畸变和疲劳裂纹扩展的相关性．结果表明、正负交变电场并不引是裂纹尖端电畴的交替变化。而是在裂纹周围发生随机转变．随着电场交变次数的增加，止裂裂纹重新起裂扩展。     

F_R~A-模范畴中束积的几个性质

给出了ＦＡＲ－模范畴中束积的一个特征刻划和若干重要性质．     

面向场对处于直流偏磁场压缩状态下的ⅡD畴壁中布…

实验研究了面内场Ｈｉｐ对处于直流偏场Ｈｂ压缩状态下ⅡＤ畴壁中的垂布洛赫线链的影响，发现存在一个阈值直流偏场口口口口Ｈｂ）ｔｈ，当Ｈｂ〈（Ｈｂ）ｔｈ时，使ⅡＤ开始转变为ＩＤ、ＯＨＢ和ＳＢ的临界面内场     

温度对ID畴壁内VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第I类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ipip(T)H(2)ip(T)时,VBL完全丢失.面内场范围[H(1)ip(T)也分别随温度的升高ip(T),H(2)ip(T)]随温度的升高而减小,其中H(1)ip(T),H(2)而变小,并分别在T(1)0和T0处减小为0.     

新形势下加强高校学生党建工作的基本思路

高校学生党建工作是基础党建工作的重点和热点。在新的形势下，加强高校学生党建工作的基本思路是：以“三个代表”和“两个务必”为指导，创新学生党建工作的内容和形式；严把“党校结业关”和“入党考察关”，选好预备党员；切实提高新党员的党性修养，培养新一代共产党人；与时俱进，努力提升学生党支部的规范化建设水平，充分发挥广大党员的先锋模范作用。     

系列脉冲偏场作用下哑铃畴的行为

该文研究了由多枝畴收缩而成的哑铃畴在系列脉冲偏场作用下的行为，发现哑铃畴在系列脉冲偏场作用下，随脉冲偏场幅度的增加会出现改变方向以及丢失ＶＢＬ的现象。