相对论电子束泵浦真空紫外离子型准分子及碱金属蒸汽二聚物准分子激光研究

采用独特的相对论电子束泵浦手段成功地首次观测到碱金属卤化物及稀有气体－碱金属体系离子型准分子Ｘｅ＋Ｒｂ，Ｋｒ＋Ｒｂ，Ｋｒ＋Ｌｉ等以及碱金属卤化物离子型准分子Ｃｓ２＋Ｆ－等１１种新型准分子的真空紫外辐射，并在世界上首次实现了至今未能实现的Ｎａ２的紫带，Ｋ２的黄带和Ｒｂ２的红带准分子的受激发射，为电激励金属准分子激光器的开发奠定了基础。     

半导体激光器电光采样测量技术的研究

研制了１．３μｍ半导体激光器电光采样测试装置,并对测试系统的性能进行了分析研究,确定了系统的时间分辨率为１６．７ｐｓ,电压灵敏度为０．２６ｍＶ／Ｈｚ,工作频率可在１～５ＧＨｚ连续改变．通过测量ＨＰ３３００５Ｃ疏状脉冲发生器产生的超短电信号,证明了系统的时间分辨率高于Ｔｅｋ７１０４采样示波器（带Ｓ４采样头）．对高速Ｇｅ探测器脉冲响应特性的测量进一步说明了系统的实用性．     

差温生长法制备 1.55 μm InP/InGaAsP/InP 激光晶片

采用差温生长法制备了１．５５μｍＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光晶片．差温生长法是在高温（约６２６℃）状态下生长ＩｎＧａＡｓＰ有源层;然后降低温度,在低温（约６００℃）状态下生长Ｐ－ＩｎＰ上限制层．此方法有效地解决了这种结构长波区（λ＞１．４５μｍ）的回熔问题,并克服了其他方法的缺点．     

快轴流气体激光器预电离的放电特性实验研究

通过对直流激励快轴流CO2激光器的交流预电离的研究,发现预电离能降低起辉电压,提高放电电流的稳定性,有效地消除激光器相邻阴极间的“拉弧”现象．还对这一现象进行了理论分析．     

在210K温度下CW运转5.2μm的量子级联激光器

在210K的温度下，5．2μm的量子级联激光器在CW运转下输出光功率高于5mW，利用温差电致冷器件即可达到此温度．将激光器放置于铜块上，在210K时，它的热阻抗约为10K／W．使用实验测量得到的T0=136K，J0=535A/cm2，Vop=8．1V和上述的热阻值，理论上可以达到激光运转的最高温度是212K，与实验结果相一致．通过热学模拟显示，由提高激光器的设计和散热，可使热阻抗降低到8．8K／W，从而使激光器运转温度提高到230K。     

窄线宽可调谐半导体激光器

研究了一种利用光栅弱耦合外腔改善可见光半导体激光器性能的方法,并对６５０ｎｍ半导体激光器进行了实验,外腔镜由一个闪耀光栅构成,通过转动光栅角度,获得了窄线宽单模激光输出,谱线宽度０．１ｐｍ,线宽压窄比达９８００,边模抑制比＞２０,并且在约２０ｎｍ的荧光谱宽基础上得到约５ｎｍ波长的连续调谐范围     

连续波化学氧碘激光器的发展及应用

简要阐述了连续波化学氧碘激光器的运转机理,介绍了它的发展过程和应用前景,并指出了今后发展的方向.     

光纤光栅外腔半导体激光器的输出谱特性

采用射线法,计算增益随波长的变化,推导出光纤光栅外腔半导体激光器(FGESL)输出谱的表达式.结合载流子速率方程,对外腔半导体激光器输出谱的精细结构进行了数值模拟研究.结果表明:光纤光栅外腔的输出谱在反射带宽内呈现出多峰结构,随着前端面反射率减小和耦合效率增加,输出谱相应地变得比较稳定.     

增益开关分布反馈半导体激光器输出特性的研究

讨论了采用增益开关技术在分布反馈半导体激光器上产生超短光脉冲的特性。理论分析表明，光脉冲特仅与峰值反转率ｒ有关，峰值功率随ｒ升高而升高，脉宽随ｒ升高而降低。     

采用三稳频激光源实现绝对长度测量

合成波长法利用多个波长构建数值足够大的合成波长,从而可实现绝对测量.然而实际应用中要找到波长值合适且波长稳定性足够高的多个波长难度很大.本文研究了一种长度绝对测量光路,采用三个高精度稳频波长构建合成波长链,建立合成波长链测量公式及其级间过渡条件,搭建相移干涉光路测量各单一波长的干涉级次小数值,最后实现绝对长度的高精度测量.对零膨胀微晶玻璃样品进行了长度测量实验,实验结果及误差分析表明长度测量不确定度约为3 nm.所提方法对样品的初测精度要求较低,而测量范围仅受干涉光路的长度限制.