聚苯胺的掺杂及其导电性能研究

利用对甲基苯磺酸（ＴＳＡ）和磺基水杨酸（ＳＳＡ）对聚苯胺（ＰＡｎ）进行了掺杂，研究了在掺杂过程中浓度、温度及时间对聚苯胺电导率的影响，并对掺杂态ＰＡｎ在空气中电导率与温度的关系进行了研究，结果表明ＴＳＡ和ＳＳＡ掺杂的ＰＡｎ在研究的温度范围内电导率均随温度的提高而增加。     

CeO2掺杂的SnO2基材料的气敏特性￣①

报道ＣｅＯ２掺杂的ＳｎＯ２基敏感材料的制备及其气体敏感性能的研究，结果表明，含５％ＣｅＯ２和Ｓｉｏ２的ＳｎＯ２基敏感元件在低温下对ＣＯ具有最高的灵敏度和良好的选择性。此外，对ＣｅＯ２掺杂的ＳｎＯ２敏感元件，在合适的ＣＯ浓度范围内所呈现的一种自振荡现象进行了讨论     

约束流的r-矩阵

经典γ-矩阵和Poisson结构在可积系统研究中具重大作用,因为它们蕴含了系统的许多内在性质.近年来,依赖于动力系统变量的动力γ-矩阵及相联系的推广的Yang-Baxter方程的研究已引起越来越多的兴趣.然而,孤立子方程约束流的经典Poisson结构和γ-矩阵至今尚未被研究过.实际上,约束流的γ-矩阵具有丰富的结构,其中有些是动力型的,且满足推广的带矩阵附加项的Yang-Baxter方程.因此,这些γ-矩阵不仅给出研究约束流可积性质的途径,而且为研究动力γ-矩阵的内在结构提供了例子.本文以AKNS方程族为例阐述有关内容.AKNS方程族的约束流的Lax表示为     

烷基苯磺酸掺杂聚苯胺的特征及可溶性

以烷基苯磺酸（ＡＢＳＡ）为反离子质子酸，研究了大阴离子酸掺杂苯胺（ＰＡｎ）的过程及其可溶性，表现溶解度和真实溶解度随溶剂和处理温度的变化表明大阴离子酸掺杂的特殊性；受分子链的运动和聚合物边间距影响较大，可溶部分的ＵＶ－Ｖｉｓ光谱的结果进一步证实这一结论，ＦＴ－ＩＲ对ＰＡｎ和ＡＢＳＡ混合物在氯仿中的可溶物和不可溶物的结构分析表明掺杂过程发生的氧化还原反应对溶解不利，而ＡＢＳＡ中的烷基直链结构对溶解有     

Role of doping and oxygen content in supercon—ductivity of La2CuO4＋δ

ＲｏｌｅｏｆｄｏｐｉｎｇａｎｄｏｘｙｇｅｎｃｏｎｔｅｎｔｉｎｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙｏｆＬａ_２ＣｕＯ_（４＋δ）￥ＬｉＭｉｎｇ；ＨｕａｎｇＹｕｍｉｎｇ（ＳｃｈｏｏｌｏｆＣｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄＣｈｅｍｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｓｏｕｔ...     

A-Si∶H磷掺杂固相效率

证明了ａ－ＳｉＨ磷掺杂固相效率η可表示成磷气相浓度的解析函数，其系数可由磷掺杂饱和极限、悬挂键密度和带尾态电子密度等的实验值决定     

KZnF3：Fe^3＋晶体中Zn^2＋—空位研究

本文通过对零场分裂参量的理论计算，证实了ＫＺｎＦ３：Ｆｅ＾３＋晶体中Ｚｎ＾２＋－空位方向的配体要移动。     

导电聚苯胺/聚苯乙烯核/壳结构复合微球的制备

通过化学改性对聚苯乙烯微球进行磺化处理，引入亲水性的磺酸基，采用原住聚合的方式，在磺酸根的掺杂下制备了具有核／壳结构的导电聚苯胺／聚苯乙烯复合微球。复合微球中聚苯胺含量为19．3％时导电率约为0．10S／cm，与用聚苯乙烯磺酸本体掺杂的导电率相当。     

二价离子掺杂钨酸铅晶体的计算机模拟

应用GULP软件计算了PbWO4(PWO)晶体中分别掺杂Zn、Ca二价离子的相关缺陷生成能,并对计算结果进行了讨论.结果表明,Zn离子进入PWO晶体中只能占据铅空位附近的填隙位置,而Ca离子进入PWO晶体中可以占据铅空位,也可以占据铅空位附近的填隙位置,这两种情况出现几率近似;对于相同的掺杂浓度,在掺Zn的PWO晶体中的孤立铅空位数量比掺Ca的PWO晶体中少,从而掺Zn可以更好地抑制与铅空位有关的短波段吸收,增加晶体的光产额.     

金刚石薄膜电极处理含氯酚废水的实验研究

以硼掺杂金刚石薄膜(BDD)为电极,采用电化学氧化的方法对含氯酚废水进行实验研究。采用循环流动的方式,结果表明:在给定不同恒电位的情况下,电流随时间变化的规律也不同;在高电位时电流密度比较大,使间接氧化增强,导致COD去除率和瞬时电流效率(ICE)增大;由于支持电解质N aC l在电解过程中产生的次氯酸盐氧化性强,因此N aC l比H2SO4对COD去除率和ICE增大更有利。采用钛基活性涂层(ACT)电极与金刚石电极的对比实验发现:由于BDD电极的弱吸附性,其处理效果明显优于ACT。