带乘性 Lévy 噪声的随机 Cahn-Hilliard 方程的中偏差原理

中偏差原理是统计推断中构建渐近置信区间的重要依据之一. 本文旨在研究带乘性 Lévy 噪声的随机 Cahn-Hilliard 方程的中偏差原理. 在该方程中, 带跳噪声和高阶非线性项的耦合导致随机积分的计算较为复杂, 不易获得指数型概率估计. 本文运用经典的弱收敛方法逐一验证了两个中偏差条件, 进而建立了方程的中偏差原理.     

新型AgBr/GO复合催化剂的制备及其可见光催化还原CO2性能的初步研究

 采用液相合成法,在十三烷基三甲基溴化铵（CTAB）辅助下制备具有可见光效应的AgBr/GO复合材料,并考察其在可见光下催化还原CO₂制备碳氢化合物的可行性及催化性能。XRD和TEM结果表明：AgBr纳米颗粒均匀地分散在GO载体表面,有利于光诱导下产生的电荷在AgBr与GO界面间的有效传递。可见光照射下,AgBr/GO复合催化剂还原CO₂生成的甲烷、甲醇、CO和乙醇的产量分别是106.11、64.20、26.53和10.96 μmol·g^-1,明显高于AgBr的催化活性。AgBr/GO在重复使用5次后其光催化还原CO₂的活性基本保持不变,因此AgBr/GO是一种高效的、光化学性质稳定的催化剂。     

D→K_1跃迁形状因子及其在半轻衰变中的应用

跃迁形状因子是描述强子遍举衰变中非微扰QCD相互作用的重要物理量.在重夸克有效场论的框架内,利用光锥求和规则的方法计算了D介子衰变到轴矢量介子K1的跃迁形状因子并在此基础上对D→K1(1270),K1(1400)半轻衰变进行了研究,计算了相应过程的分支比.计算表明D→K1(1 270)半轻衰变过程的分支比为10-3量级,而D→K1(1400)的分支比要小大约两个量级,这些结果可以被将来更为精确的实验所检验.     

GRIN (Gradient Index)介质中的Maxwell方程组与光线光学

利用坡印廷矢量(Poynting vector)的方向就是光线轨迹曲线的切线方向,推出程函方程(Eikonal equation)的矢量式.经分析发现此式包含了光的粒子性与光的波动性因素,光线的传播规律还受介质折射率函数的制约.再由程函方程进一步推得光线方程,并给出了应用实例.     

微晶硅膜MIS结构光位敏探测器的研制

采用快速退火工艺，促使非晶硅膜固相晶化，获得具备器件质量的微晶硅膜，以此晶化膜作基本材料，采取侧向光伏效应的工作模式，以金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构成功地研制出了一维微晶硅膜的光位敏探测器，实验结果表明，该器件具有非晶硅器件与晶体硅器件互补兼容特色。     

偏振光的四元数表示

本文给出偏振光和偏振器件一种新的利用四元数的表示。应用这种表示重新证明了由一系列延迟器和旋转器组成的光学系统的等效定理,并且引入一种新的计算上述系统的 Mueller 矩阵的方法     

A New Discriminating Experiment on the Invariance Hypothesis of Light Speed

IMRODUCTIONThoughthetheoryofspecialrelativityhasalreadybecomethebasisofmodernphysics,experimentstoprovethistheoryhaveneverceased.Menhavenevercarriedoutsomanyexperimentstoverifyanyothertheoryinthehistoryofphysics.Thisonlygoestoprovethatscientistsstillhavedoubtsconerningthebasisofthistheory,andsuchdoubtsarecentredaroundthehyPOthesisoftheinvarianceofspeedoflight.Especiallyaftermenhavediscoveredtheabsoluteframegdefinedby3KCosmicBackgroundRadiationthroughexperiments,itappearstobemorenecessar…     

逆向反射镜反光模型的建立

从理论角度分析逆向反射镜（三面直角棱镜阵列形式）的二面直角偏差及其工作姿态（入射角、观察角、旋转角）等因素对反射光光能分布的影响，建立起逆向反射镜反光模型．对逆向反射镜的加工、使用及光度测试均有一定指导作用     

试论轻声

对轻声的性质、轻声的功能、轻声的原因及轻声的语音特征进行了分析。     

自然光照条件下硅光电池组件伏安特性

本文给出了利用DS—125型光电池(阵)户外特性测试仪测得的自然光照条件下硅光电池组件的伏安特性。对同类产品在自然光照下和人工模拟光照下测得的电性能进行了比较。同时也对单晶硅和多晶硅两类不同晶体硅组件在两种不同测试条件下获得的结果进行了比较。 作者认为,由于模拟光下测得的光电池组件输出比自然光照下的输出值为大,因此,若以模拟光照条件下的峰瓦值来确定光电系统的容量时,应考虑1.10—1.20的修正系数。