Hermitian流形和U上率超曲面公理

证明了如果一个Hermitian流形满足U上率超曲面公理，则它是一个W4-流形。     

置换空间PBBs中的两个凸性

在全函数空间有有限逼近的条件下,置换空间中弱*局部完全k-凸、弱*中点局部一致凸的表现形式是对每个s∈S,Bs有相应的性质,推广了文[3]的结果。     

H∞辨识的多英式插值算法及Worst—Case误差

就单输入、单输出、离散、时不变因果系统讨论了面向鲁棒控制的Ｈ∞系统辨识问题，首先提出了用线性规划检验先验假设和后验数据是否相容的判据，然后给出了基于线性规划的多英式插值算法，该算法计算量少，所得模型简单，最后估计了该算法的Ｗｏｒｓｔ－Ｃａｓｅ误差，并证明了该算法的收敛性。     

q—Hermite多项式与Askey—Wilson积分

应用ｑ－微分算子研究了ｑ－Ｈｅｒｍｉｔｅ多项式，得到了若干结论，应用这些结论简洁地计算了Ａｓｋｅｙ－Ｗｉｌｓｏｎ积分。     

四面体中著名不等式的统一和加强

本文在证明了Ｐｏｌｙａ－Ｓｚｅｇｏ不等式向四面体推广所得的两种形式等价的同时，统一证明了四面体中的一些著名不等式，并加强了这些不等式。     

生物表面活性剂生产菌株培养条件优化的研究

对生物表面活性剂生产菌W2的培养条件进行研究,以获得最佳的菌株生长条件和最佳的产生物表面活性剂条件.结果表明:W2产生物表面活性剂的最佳培养基成分(g/L)为葡萄糖40.0,NaNO32.67,K2HPO41.0,KH2PO40.5,KCl 0.1,MgSO40.5,CaCl20.01,FeSO4.7H2O0.01,酵母提取物0.1.W2产生物表面活性剂的培养基最适宜pH=6.5,接种量为1%,最适温度为30℃.针对其产生物表面活性剂和菌体生长的关系,将分段培养工艺应用于W2产生物表面活性剂中,即在培养的初期24h内采用菌体生长最佳培养条件,在培养后期采用菌体产生物表面活性剂的最佳培养条件.