一种新变步长LMS算法在二阶自适应陷波器中的应用

LMS自适应算法运算简单，但收敛速度较慢，且在低信干比条件下，滤波器系数的均方差(MSE)很大．为此，提出了一种新的变步长自适应算法(VS-LMS-L)．该算法用瞬时输出信号的自相关估计值来控制步长的更新，能够在低信干比条件下，减小无关噪声的影响．该算法有着很快的收敛速度和较小的MSE，将它应用于DQPSK调制的卫星通信抗窄带干扰中．仿真表明，在输入信干比为-32．77dB的条件下，得到了-6．93dB的输出信干比，信干比改善达到了25．84dB，显示出了这种算法的鲁棒性和优越性．     

V型件翻边成形的数值模拟

将Mindlin曲壳单元引入基于逐级更新的虚功率增率型原理，考虑板材的厚向各向异性，建立了大变形弹塑性有限元模型．对V型零件翻边成形进行了模拟，模拟和实验结果的比较证实了本模型的有效性．基于此模型，研究了零件张角、翻边部分初始长度以及材料各向异性参数和应变硬化指数对V型零件翻边的影响．结果表明，几何形状，尤其是零件张角，对V型零件翻边成形性具有决定性的影响．     

消除非连续型工频干扰的零暂态响应数字陷波器

一种新型的暂态响应为零的数字陷波器可以对工频干扰(50Hz电力干扰)提供约40dB 的抑制和衰减,并且由于其零暂态响应的特点,该数字陷波器特别适合在一些特殊的使用环境中(例如检测和记录微弱的生物医学信号)抑制和消除非连续型的工频干扰或其它单一频率的非连续型干扰.     

一种估计疲劳缺口系数Kf的新方法

从能量观点出发建立了缺口局部应力应变分析的基本关系，以Ｋｆ－√ＫεＫσ作为Ｋｆ的定义式推导出包括材料循环特性、缺口根部塑性变形和理论应力集中系数等复杂因素综合影响的Ｋｆ关系式。采用恒幅疲劳试验结果对其进行了验证，并与其它Ｋｆ公式的结果作了比较。最后对上述Ｋｆ关系式进行了讨论。     

显微组织对HK40钢持久性能的影响

本文采用时效和模拟焊接热影响区的固溶处理研究了碳化物的形态，数量，尺寸 和分布对光滑和缺口持久性能的影响。研究结果表明，固溶处理后晶界碳化物由铸态 的骨架状转变成块状使持久性能下降；二次碳化物呈枝晶偏析比均匀析出时持久延性 高；二次碳化物析出强化存在最佳时效温度且对光滑和缺口试样不尽相同；缺口强化 程度不仅与持久延性有关，也与持久寿命有关。     

合肥光源逐束团测量和横向反馈系统及初步反馈效果实验

合肥光源逐束团测量和横向反馈系统不仅可以完成合肥光源逐束团的横向振荡、流强测量、纵向振荡和常规反馈任务，同时还开发了对多束团储存环中指定束团的激励，以及形成单束团和不同数量的束团串等附加功能．介绍了该系统研制中所涉及的部分关键问题，如矢量运算模块的开发、梳状（notch）滤波器研制、数据处理程序的开发和应用，并给出了相空间重建、模式分析和带束流反馈实验的初步结果．     

东流水道冲刷坑系列正态模型研究

在东流水道冲刷坑的研究中,模型中对下滩群整治采用鱼骨坝式鱼咀和围堰式鱼咀两种结构形式坝后冲刷坑进行了试验研究,研究表明:系列正态模型是一种利用不完全相似的模型取得相似试验成果的一种有效的方法。     

自适应陷波器实际性能的理论分析及其在继电保护信号接收中的应用

首先通过理论分析发现了在精度有限的实际系统中影响自适应陷波器性能的因素,证明了将信号通过下变频,进行低频化处理的优越性.据此提出了将信号插入低频段后进行自适应陷波的低频化方案,并与在较高频直接进行自适应陷波的方案进行性能比较.计算机仿真和实际的硬件实验均说明,使用低频化方案可降低对芯片的速度要求,接收信号的幅度范围则扩大25倍,允许的发信频率误差也提高约一倍.     

缺口夹角对细观解理断裂应力的影响

用弹塑性有限元 (FEM)方法分析了 C- Mn钢不同缺口夹角 4点弯曲试样(4 PB)缺口前的应力 -应变场分布 .精确测量了解理起裂源距缺口根部的距离和细观解理断裂应力σf.结果表明 :当缺口夹角从 10°增加到 90°时 ,断裂时的高应力、应变分布产生了明显变化 ,而σf 值相对保持不变 ;解理的临界事件也没有变化 ,表现为铁素体晶粒尺寸的裂纹扩展进入邻近基体 .因而 σf 主要由临界裂纹的长度决定 ,缺口夹角及与其相关的高应力体积对σf 的值几乎没有影响     

Study of wafer pre-aligning approaches

Wafer pre-aligning system is an important component in IC manufacturing industry. A wafer prealigning platform with a CCD sensor is presented in this paper. The centering and notch detecting approaches are extended based on this platform. Least square circle fitting approach is adopted to calculate the center and radius of the wafer, and a formula for calculating the fitting error is derived. An approach called edge variation rate is also proposed to detect the range of wafer notch, and the fiducial is calculated by curve fitting approach. These approaches can improve the accuracy effectively as indicated by experiments.