N2/H2辉光放电等离子体电子碰撞电离的Monte Carlo模拟

采用N2/1-12直流辉光放电等离子体综合的Monte Carlo模型,通过计算N2/H2混合气体直流辉光放电等离子体电子碰撞电离及离解电离率,电子密度及电子能量分布函数,研究了H2的浓度对氮辉光放电等离子体电子碰撞电离过程的影响.研究结果表明:随着H2浓度的升高,电子的电离及离解电离碰撞率减少;但在一定的放电条件下,加入少量的H2,可以提高电子碰撞电离及离解电离率,即选取合适的放电参数,加入少量的氢,可以提高放电空间的电子及离子的密度.模型考虑了12种和电子相关的反应,在氮气中加氢的比例为0～30%.这些影响能通过放电中发生的碰撞过程及鞘层厚度的改变得到解释.研究结果为认识N2/H2混合气体辉光放电等离子体过程机理提供参考依据.     

基于CAXA雕刻V2的雕刻加工

介绍了利用CAXA雕刻V2软件将文字与图片进行雕刻加工的的几种加工方法。雕刻文字所用的加工方法有原线输出、切割及清角加工方式;雕刻图片所用的加工方法有图像浮雕和影像雕刻。文中给出了各种加工方法的实例和加工后的实际效果图。     

凸集上的非线性算子的固有元及固有值

本文利用拓扑度研究集上的具边界条件的非线性集压缩算子的不动点。固有元及固有值的存在性,推广了[3,5,6]中的相应结论,部分回答了[4]的一个猜测。     

用AD650作PC-XT的A/D转换接口电路

介绍V/F转换器AD650的工作原理,并且提出了一种基于AD650进行模数转换的新型结构的数据采集系统。本系统兼有模拟量输入通道隔离功能,可以远距离传递信号,可按用户要求实现10bit—16 bit不同精度要求的A/D转换,可直接与PC机及其相兼容各种机相连接.     

切槽爆破断裂应力强度因子及其装药量的确定

本文首先用脆性介质宏观断裂力学理论讨论了Ｖ型对称双切槽炮孔爆破的断裂机理，确定出切槽尖端介质中的断裂韧度和抗压、抗拉强度，导出使岩石沿切槽方向理想断裂所需的爆生气体作用于孔壁的最小压力和允许的爆生气体作用于孔壁的最大压力，从而提出切糟爆破炮孔装药量的合理范围。     

武夷山和九龙山崇安髭蟾的同工酶分析

本文采用聚丙烯酰胺凝胶垂直平板电泳的方法,对产于福建武夷山和浙江九龙山的崇安髭蟾(Vibrissaphora Liui Pope)作了四种器官组织(肝、心、脑、肾)乳酸脱氢酶(LDH)和酯酶(EST)同工酶的分析比较,结果表明,两个产地髭蟾的同工酶谱无差别,我们认为,武夷山和九龙山崇安髭蟾的形态差异只能是地理种群分化(geographical population differentiation),把这两个不同产地的髭蟾作为同一个种处理是恰当的。     

普通小麦T型与V型不育系花粉发育过程中苹果酸脱氢酶的变异

对不同发育时期花药的苹果酸脱氢酶(MDH)同工酶的研究表明:线粒体MDH(m-MDH)同工酶谱型是保守的,即只有量上的变化,质的差异不明显;不同类型不育系植株的胞浆MDH(s-MDH)同工酶表现不同:T型植株在花粉发育的整个时期s-MDH都存在,而V型植株在花粉发育的二胞期才出现s-MDH;此两不育类型植株从未出现微体MDH(g-MDH)。     

几乎弱θ加细空间

证明了如下结果:①空间X是几乎弱θ加细空间,当且仅当X是几乎离散弱θ加细可膨胀的,并且X的每个开覆盖,U={Uα∶α∈∧},都存在X的稠密子集D和U的开加细V=∪n∈ωVn,使得(V) x∈D存在n∈ω和α∈∧,有x∈Uα,并且st(x,Vn)(∈)∪β≤αUβ;②如果X=Ⅱα∈∧Xα是|∧|—仿紧空间,则X是几乎弱θ...     

V_(2．1)TiNi_(0.4)Gd_x贮氢合金的结构和电化学性能研究

本论文开展了系列V2.1TiNi0.4Gdx(x=0,0.03,0.05,0.07,0.09)贮氢合金的相结构和电化学性能研究.测试结果表明,系列V2.1TiNi0.4Gdx合金均由体心立方结构的V基固溶体主相和第二相组成.当Gd含量x≤0.03时,合金的第二相为体心立方结构的TiNi基相;当Gd含量x>0.03时,第二相为GdNi5相,且主相的晶格常数随着x的增大而增大.添加Gd会降低V2.1TiNi0.4合金的活化性能、最大放电容量和高倍率放电性能,但在x＝0.05时,合金的循环稳定性略有提高,经过30次充放电循环后,其容量保持率为24.67%.     

关于分次 V- 环

引入并刻划了分次V-环,证明在有限群G-型强分次环（|G|是R的逆元,e是G的单位元）的条件下,分次环R及由它导出的非分次环R,Re,R#G在V-环性质上是一致的。