HoBa2Cu3Ox的超导电性

通过交流磁化率和X-ray衍射分析，对用固态反应法制备的HoBa2Cu3Ox超导体的超导电性进行了研究．实验结果表明：随淬火温度的升高．由正交相(123相)向介于正交和四方相之间的过渡相变化；超导转变温度Tc(0)(零场下)从90K降到38．5K；交流磁化率虚部峰值温Tp(H)随附加直流磁场的增加而降低，Tp与Hdc之间的关系偏离[1一Tp(H)／丁(0)]∞H^2/3规律．     

双脉冲TEA CO_2激光器电路参数的选择

分析了电路参数及电路结构对双脉冲TEA CO_2激光器输出稳定性的影响,并提出合理选择电路参数与结构的原则。实验结果,证实了分析的正确性。     

串联电脉冲沉积Ni20Cr弥散Y2O3微晶涂层及其高温氧化性能

提出了一种把脉冲电源的输出两极均作为沉积电极、被处理试样作为一种感应电极、利用产生的串联脉冲放电沉积金属涂层的新技术. 通过“针-板-针”电极系统的放电电压-放电间隙测量实验证实了上述串联脉冲放电的物理过程. 采用振动式串联电脉冲沉积设备在Ni20Cr合金基体上成功地制备出了Ni20Cr微晶涂层和Ni20Cr弥散Y₂O₃微晶涂层. 950℃空气中的高温氧化实验结果表明, Ni20Cr合金微晶涂层极大地提高了基体合金的抗高温氧化性能, 同时还证实在微晶涂层中施加细小弥散Y₂O₃颗粒有助于进一步降低涂层的氧化速率及提高氧化膜的抗剥落性能.     

高压CMOS管工艺的设计、模拟和验证

模拟和验证了一种低成本的，以标准CMOS工艺为基础，无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技术。讨论了低压器件中的各种击穿机理，相应提出了高压器件中所做出的改进，列举了该工艺技术中所用的特殊版图；对此工艺的应用性进行了二维的工艺和器件模拟；将模拟结果与实际测试结果进行了比较，验证了这种高压工艺技术的实用性。     

彩电中I2C总线系统调整

介绍了彩电中 I2 C总线系统的控制和调整原理 ,以及实例机型的调整方法 .     

第二大特征值不超过√5—1／2的连通线图

给出了互二大特征值不超过√5－1／2的所有连通线图，它们包括三大类和十大特殊情形。     

3β—取代5—甾烯并—1—取代[17,16—C]吡唑啉—5—酮和3β—取代5—甾烯并[17,16—C]异恶唑啉—5—酮的合成

以3β－取代5－甾烯－17－酮与碳酸二甲酯经Claisen综合，所得产物再分别与肼或羟胺反应，设计合成了几种3β－取代5－甾烯并－1－取代[17,6-C]吡唑啉－5－酮和3β－取代5－甾烯并[17,16-C]异恶唑啉－5－酮，其结构经元素分析、IR、^1H NMR和^13C NMR确证。     

Studies of Several Systems with Air Electrode Electro-Synthesizing H2O2 on the Spot for Degrading Aniline in Aqueous

A gas diffusion electrode (air electrode) with a high current efficiency of electro-synthesizing H2O2 using O2 in air was prepared. The several systems with air electrode as cathode of electro-synthesizing H2O2 on the reaction spot for degrading aniline in aqueous--electro-Fenton system, photo-excitation electro-H2O2 system and photo-electro-Fenton system, were developed. The rates of decomposition of H2O2 and mineralization of aniline were experimentally measured respectively under different conditions, and the results indicated there has an excellent parallel relation between decomposition rate of H2O2 and mineralization rate of aniline. Especially, photo-electro-Fenton system, where H2O2 is decomposed the fastest, is the best system of oxidizing and degrading organic toxicants. Compared photo-electro-Fenton system with photo-Fenton system, important role is revealed in the interface of air electrode. In this paper, the mineralization mechanism of aniline in the photo-electro-Fenton system was also discussed.